半导体设备的调试方法及半导体器件的制备方法与流程

1.本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体设备的调试方法及半导体器件的制备方法。


背景技术：

2.在半导体领域中，动态随机存取存储器单元包括用于存储电荷的电容器和存取电容器的晶体管。随着动态随机存取存储器几何尺寸按照摩尔定律不断减小，电容器的高深宽比甚至超过了50:1，电容器中电容孔的高度超过了2800nm。
3.在刻蚀形成电容孔的过程中，刻蚀气体与待刻蚀材料层发生反应会形成聚合物层附着在电容孔的侧壁，聚合物层可以在刻蚀过程中防止电容孔被过度侧蚀，可以确保形成的电容孔保持垂直的形貌。然而，由于在刻蚀过程晶圆不同区域的温度等条件可能存在差异，这会使得晶圆不同区域内的电容孔侧壁形成的聚合物层的厚度不均匀，从而使得晶圆不同区域内形成的电容孔的形貌存在差异，譬如，会使得有些区域内的电容孔的侧壁上并未形成聚合物层，而有些区域内的电容孔的侧壁上又会形成过厚的聚合物层。


技术实现要素：

4.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种半导体设备的调试方法及半导体器件的制备方法，其具有在晶圆上形成均匀聚合物层的效果。
5.一种半导体设备的调试方法，包括以下步骤：
6.提供模拟晶圆；
7.将所述模拟晶圆置于刻蚀腔室内，在使用刻蚀气体对所述模拟晶圆进行刻蚀的同时，使用温度控制装置对所述刻蚀腔室内的温度进行调控；刻蚀过程中，所述模拟晶圆表面形成有聚合物层；
8.量测所述聚合物层的厚度并获取厚度分布图；
9.将获取的所述厚度分布图与目标厚度分布图进行比对；
10.根据所述比对的结果调整所述温度控制装置对所述模拟晶圆各区域的温度调控效果，以调节下一次刻蚀过程中形成的所述聚合物层的厚度。
11.通过上述技术方案，由于刻蚀过程中形成的聚合物层的厚度与模拟晶圆的温度成反比，基于在模拟晶圆上形成聚合物层来检测出聚合物层均过厚或者过薄的区域，调整温度控制装置对模拟晶圆各个区域的温度调控效果能够对聚合物层在整个晶圆表面的厚度分布做出控制，从而达到提高正式生产中聚合物层分布的均匀性的目的。
12.在其中一个实施例中，所述温度控制装置包括多个分离的加热片；根据所述比对的结果调整所述温度控制装置对所述模拟晶圆表面各区域的温度调控效果包括：根据所述比对结果调整各所述加热片与所述模拟晶圆的距离以调整所述模拟晶圆表面各区域的温度调控效果。
13.在其中一个实施例中，刻蚀过程中形成的所述聚合物层的厚度与所述模拟晶圆所
处区域的温度成反比，根据所述比对结果调整所述加热片与所述模拟晶圆的距离以调整所述加热片对所述模拟晶圆的温度调控效果包括如下步骤：
14.根据所述比对的结果定位所述模拟晶圆中的所述聚合物层的厚度与所述目标厚度存在差异的区域；
15.对上述区域对应位置的所述加热片进行调整，若上述区域中所述聚合物层的厚度与对应区域的所述目标厚度的差值大于第一预设值则减小对应位置的所述加热片与所述模拟晶圆的距离；若上述区域中所述聚合物层的厚度与对应区域的所述目标厚度的差值小于第二预设值则增大对应位置的所述加热片与所述模拟晶圆的距离。
16.在其中一个实施例中，所述下一次刻蚀过程包括对产品晶圆的刻蚀过程，所述模拟晶圆的刻蚀过程中，至少一种所述刻蚀气体的流量大于所述产品晶圆刻蚀过程中对应刻蚀气体的流量，和/或刻蚀功率小于所述产品晶圆刻蚀过程中的刻蚀功率。
17.在其中一个实施例中，根据比对结果调整温度控制装置对所述模拟晶圆各区域的温度调控效果之后还包括如下步骤：
18.重复上述步骤至少一次，直至形成的所述聚合物层在所述模拟晶圆各区域的厚度与所述目标厚度的差值的平均值和标准差值达到目标值。
19.本技术还提供一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：
20.提供模拟晶圆，所述模拟晶圆的表面形成有包括支撑层与牺牲层交替叠置的第一叠层结构；
21.将所述模拟晶圆置于刻蚀腔室内，在使用刻蚀气体对所述第一叠层结构进行刻蚀的同时，使用温度控制装置对所述刻蚀腔室内温度进行调控；刻蚀过程中，所述模拟晶圆表面形成有第一聚合物层；
22.量测所述第一聚合物层的厚度并获取厚度分布图；
23.将获取的所述厚度分布图与目标厚度分布图进行比对；
24.根据所述比对的结果调整所述温度控制装置对所述模拟晶圆各区域的温度调控效果，以调节下一次刻蚀过程中形成的所述第一聚合物层的厚度；
25.所述第一聚合物层在整个晶圆的厚度均匀性达到目标值后，将产品晶圆置于所述刻蚀腔室内，所述产品晶圆包括支撑层与牺牲层交替叠置的第二叠层结构；在所述温度控制装置对所述产品晶圆进行温度调控的同时使用所述刻蚀气体对所述第二叠层结构进行刻蚀，以于所述第二叠层结构内形成若干个刻蚀孔；刻蚀过程中，各所述刻蚀孔表面均形成有第二聚合物层。
26.通过上述技术方案，对模拟晶圆刻蚀过程中形成的第一聚合物层的厚度与所述模拟晶圆的温度成反比，通过在模拟晶圆上形成第一聚合物层来检测出第一聚合物层均过厚或者过薄的区域，调整温度控制装置对模拟晶圆各个区域的温度调控效果能够对第一聚合物层在整个晶圆表面的厚度分布做出控制，从而达到提高正式生产中第二聚合物层分布的均匀性的目的。
27.在其中一个实施例中，所述温度控制装置包括多个分离的加热片；根据所述比对的结果调整所述温度控制装置对所述模拟晶圆表面各区域的温度调控效果包括：根据所述比对结果调整各所述加热片与所述模拟晶圆的距离以调整所述模拟晶圆表面各区域的温度调控效果。
28.在其中一个实施例中，对所述模拟晶圆刻蚀过程中形成的所述第一聚合物层的厚度与所述模拟晶圆的温度成反比，根据所述比对结果调整所述加热片与所述模拟晶圆的距离以调整所述加热片对所述模拟晶圆的温度调控效果包括如下步骤：
29.根据所述比对的结果判断所述模拟晶圆中的所述第一聚合物层的厚度与所述目标厚度存在差异的区域；
30.对上述区域对应位置的所述加热片进行调整，若上述区域中所述第一聚合物层的厚度与对应区域的所述目标厚度的差值大于第一预设值则减小对应位置的所述加热片与所述模拟晶圆的距离；若上述区域中所述第一聚合物层的厚度与对应区域的所述目标厚度的差值小于第二预设值则增大对应的所述加热片与所述模拟晶圆的距离。
31.在其中一个实施例中，所述下一次刻蚀过程包括对产品晶圆的刻蚀过程，所述模拟晶圆的刻蚀过程中，至少一种所述刻蚀气体的流量大于对所述产品晶圆进行刻蚀过程中对应刻蚀气体的流量，和/或对所述模拟晶圆进行刻蚀过程中的刻蚀功率小于对所述产品晶圆进行刻蚀过程中的刻蚀功率。
32.在其中一个实施例中，所述刻蚀孔为电容孔。
33.在其中一个实施例中，根据比对结果调整所述温度控制装置对所述模拟晶圆各区域的温度调控效果之后，若所述第一聚合物层在整个晶圆的厚度均匀性未达到所述目标值，则在将所述产品晶圆置于所述刻蚀腔室内之前还包括如下步骤：
34.重复上述步骤至少一次，直至形成的所述第一聚合物层在所述模拟晶圆各区域的厚度与所述目标厚度的差值的平均值和标准差值达到目标值。
附图说明
35.图1为本发明一个实施例中的半导体设备的调试方法流程图；
36.图2为本发明另一个实施例中的半导体设备的调试方法流程图；
37.图3为本发明一个实施例中半导体器件的制备方法流程图；
38.图4为本发明另一个实施例中半导体器件的制备方法流程图；
39.图5为现有技术中展示的形成电容孔后晶圆的不同区域内的电容孔侧壁形成的聚合物层分布不均的截面结构示意图；
40.图6为采用本发明的半导体器件的制备方法形成电容孔后晶圆的不同区域内的电容孔侧壁形成的聚合物层分布均匀的截面结构示意图示意图。
41.附图标记：10、电容孔；11、牺牲层；12、支撑层；13、聚合物层；20、电容孔；21、牺牲层；22、支撑层；23、聚合物层。
具体实施方式
42.为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
43.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相
关的所列项目的任意的和所有的组合。
44.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方法或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
45.在半导体领域中，动态随机存取存储单元包括用于存储电荷的电容器和存取电容器的晶体管。随着动态随机存取存储器几何尺寸按照摩尔定律不断减小，电容器的高深宽比甚至超过了50：1，电容器中电容孔的高度也超过了2800nm。
46.在刻蚀形成电容孔的过程中，刻蚀气体与待刻蚀材料层发生反应会形成聚合物层附着在电容孔的侧壁，聚合物层可以在刻蚀过程中放置电容孔被过度侧蚀，可以确保形成的电容孔保持垂直的形貌。然而，由于在刻蚀过程晶圆不同区域的温度等条件可能存在差异，这会使得晶圆不同区域内的电容孔侧壁形成的聚合物层的厚度不均匀，从而使得晶圆不同区域内形成的电容孔的形貌存在差异，譬如，会使得有些区内的电容孔的侧壁上并未形成聚合物层，而有些区域内的电容孔的侧壁上又会形成过厚的聚合物层。
47.为了解决上述技术问题，如图1所示，本技术提供一种半导体设备的调试方法，具体包括以下步骤：
48.步骤s10：提供模拟晶圆。
49.步骤s20：将模拟晶圆置于刻蚀腔室内，在使用刻蚀气体对模拟晶圆进行刻蚀的同时，温度控制装置对刻蚀腔室内的温度进行调控；刻蚀过程中，模拟晶圆表面形成有聚合物层。
50.步骤s30：量测聚合物层的厚度并获取厚度分布图。
51.步骤s40：将获取的厚度分布图与目标厚度分布图进行比对。
52.步骤s50：根据比对的结果调整温度控制装置对模拟晶圆各区域的温度调控效果，以调节下一次刻蚀过程中形成的聚合物层的厚度。
53.对于步骤s10，在一个可选的实施例中，具体的，模拟晶圆可以是用于做测试的测试晶圆，模拟晶圆的材料可以有硅、锗、gaas、inp、gan等，在模拟晶圆上可加工制作成有与对应的产品晶圆上相同的电路元件或器件结构，模拟晶圆的尺寸规格可以与产品晶圆的尺寸规格完全相同。
54.对于步骤s20，在一个可选的实施例中，具体的，温度控制装置包括多个分离的加热片，加热片可以通过螺丝可调节的固定连接在刻蚀腔室的内壁上，具体的，加热片可以通过螺丝可调节的固定连接在刻蚀腔室的顶部；当螺丝被转动时，加热片与刻蚀腔室内的模拟晶圆之间的距离也会改变，导致加热片与模拟晶圆之间的导热效率改变。由于温度控制装置包括多个分离的加热片，因此每个加热片与模拟晶圆之间的导热效率能够单独的进行改变，对模拟晶圆各个区域的加热情况能够单独进行控制，继而达到对模拟晶圆不同区域的温度调控效果进行独立调整的目的。
55.在一个可选的实施例中，模拟晶圆表面形成有包括支撑层和牺牲层交替叠置的第一叠层结构，支撑层可以为氮化钛层，牺牲层可以为氧化物层。在使用刻蚀气体对模拟晶圆进行刻蚀的同时，温度控制装置对腔室内温度进行调控，牺牲层的刻蚀气体与支撑层的刻蚀气体不同，支撑层的主要刻蚀气体可以为四氟甲烷(cf4)，牺牲层的主要刻蚀气体可以为
六氟-2-丁炔(c4f6)，在这个刻蚀的过程中，c4f6的比例越高，聚合物层沉积的就越多。
56.下一次刻蚀过程包括对产品晶圆的刻蚀过程，在为了令聚合物层厚度的检测更加明显，对模拟晶圆的刻蚀过程中，至少一种刻蚀气体的流量大于产品晶圆刻蚀过程中对应刻蚀气体的流量。例如，在对模拟晶圆的刻蚀过程中，刻蚀气体的气体流量大于产品晶圆刻蚀过程中对应刻蚀气体的流量，cf4的气体流量为15sccm～50sccm，具体可以为15sccm、30sccm或50sccm；c4f6的气体流量为50sccm～60sccm，具体可以为50sccm、55sccm或60sccm，但上述数据仅作为示例，在实际实施例中cf4的气体流量及c4f6的气体流量的具体数值并不以上述数据为限。由于刻蚀气体的气体流量加大，因此聚合物层沉积的更多，会将不同区域的聚合物层在厚度上的差异放大，有助于工作人员对半导体设备进行调试。
57.在为了令聚合物层厚度的检测更加明显，对模拟晶圆的刻蚀过程中，刻蚀功率可以小于产品晶圆刻蚀过程中的刻蚀功率，在沉积聚合物层之后，会将不同区域的聚合物层在厚度上的差异放大，有助于对半导体设备进行调试。
58.对于步骤s30，在一个可选的实施例中，具体的，通过测量机台对聚合物层的厚度进行测量，并根据测量的数值生成聚合物层的厚度分布图；具体的，根据量测结果获取厚度分布的方法为本领域技术人员所知晓，此处不再累述。
59.对于步骤s40，在一个可选的实施例中，具体的，将获取的厚度分布图与目标厚度分布图进行比对，可以通过将厚度分布图上的厚度数值与目标厚度分布图上的厚度数值做差，将得出的差值制成差值分布图，其中，目标厚度分布图为步骤s10中初始的模拟晶圆的厚度分布图。
60.对于步骤s50，在一个可选的实施例中，刻蚀过程中形成的聚合物层的厚度与模拟晶圆的温度成反比，根据比对的结果调整加热片与模拟晶圆的距离以调整对模拟晶圆表面各区域的温度调控效果包括如下步骤：
61.步骤s501：根据比对结果定位模拟晶圆中的聚合物层的厚度与目标厚度存在差异的区域；
62.步骤s502：对上述区域对应位置的加热片进行调整，若上述区域中聚合物层的厚度与对应区域的目标厚度的差值大于第一预设值则减小对应位置的加热片与模拟晶圆的距离，若上述区域中聚合物层的厚度与对应区域的目标厚度的差值小于第二预设值则增大对应位置的加热片与模拟晶圆的距离。
63.具体的，可以通过将所得厚度分布图与目标厚度分布图叠加比对，以得到所得厚度分布图与目标厚度分布图各个区域的厚度差异图。加热片可以通过螺丝可调节的固定连接在刻蚀腔室的内壁上，当螺丝被转动时，加热片与刻蚀腔室内模拟晶圆之间的距离也会改变，导致加热片与模拟晶圆之间的导热效率改变。由于温度控制装置包括多个分离的加热片，每个加热片与模拟晶圆之间的导热效率能够单独的进行改变，因此，对模拟晶圆各个区域的加热情况能够单独进行控制，因此能够对差值较大的区域对应的加热片进行单独的调整，以达到减小上述区域中聚合物层的厚度与目标厚度的差值大于第一预设值的区域对应的加热片与模拟晶圆的距离，并增大上述区域中聚合物层的厚度与目标厚度的差值小于第二预设值的区域对应的加热片与模拟晶圆的距离的目的。
64.如图2所示，在一个其他可选的实施例中，本技术提供的半导体设备的调试方法，具体包括以下步骤：
65.步骤s10：提供模拟晶圆。
66.步骤s20：将模拟晶圆置于刻蚀腔室内，在使用刻蚀气体对模拟晶圆进行刻蚀的同时，温度控制装置对刻蚀腔室内温度进行调控；刻蚀过程中，模拟晶圆表面形成有聚合物层。
67.步骤s30：量测聚合物层的厚度并获取厚度分布。
68.步骤s40：将获取的厚度分布图与目标厚度分布图进行比对。
69.步骤s50：根据比对的结果调整温度控制装置对模拟晶圆各区域的温度调控效果，以调节下一次刻蚀过程中形成的聚合物层在整个晶圆的厚度。
70.步骤s60：重复上述步骤至少一次，直至形成的聚合物层在模拟晶圆各区域的厚度与目标厚度的差值的平均值和标准差值达到目标值。
71.该实施例中，步骤s10～步骤s50与上一实施例中的步骤s10～s50完全相同，此处不再累述。
72.对于步骤s60，在进行初步的调整后，并不能确定初步的调整是否达到所需的目的，因此，将步骤s10至步骤s50再重复至少一次，以能够对调整后的半导体设备进行再次检测，直至确定聚合物层在整个晶圆的厚度均匀性满足了要求再进行正式的产品晶圆的加工处理，能够进一步的提高正式生产中聚合物层分布的均匀性。
73.通过上述技术手段，刻蚀过程中形成的聚合物层的厚度与模拟晶圆的温度成反比，通过在模拟晶圆上形成聚合物层来检测出聚合物层均过厚或者过薄的区域，调整温度控制装置对模拟晶圆各个区域的温度调控效果能够对聚合物层在整个晶圆表面的厚度分布做出控制，从而达到提高正式生产中聚合物层分布的均匀性的目的。
74.如图3所示，本技术还提供一种半导体器件的制备方法，具体包括以下步骤：
75.步骤s10：提供模拟晶圆，模拟晶圆的表面形成有包括支撑层与牺牲层交替叠置的第一叠层结构。
76.步骤s20：将模拟晶圆置于刻蚀腔室内，在使用刻蚀气体对第一叠层结构进行刻蚀的同时，温度控制装置对刻蚀腔室内温度进行调控；刻蚀过程中，模拟晶圆表面形成有第一聚合物层。
77.步骤s30：量测第一聚合物层的厚度并获取厚度分布图。
78.步骤s40：将获取的厚度分布图与目标厚度分布图进行比对。
79.步骤s50：根据比对的结果调整温度控制装置对模拟晶圆各区域的温度调控效果，以调节下一次刻蚀过程中形成的第一聚合物层的厚度。
80.步骤s60：第一聚合物层在整个晶圆的厚度均匀性达到目标值后，将产品晶圆置于刻蚀腔室内，产品晶圆包括支撑层与牺牲层交替叠置的第二叠层结构；在温度控制装置对产品晶圆进行温度调控的同时使用刻蚀气体对第二叠层结构进行刻蚀，以于第二叠层结构内形成若干个刻蚀孔；刻蚀过程中，各刻蚀孔表面均形成有第二聚合物层。
81.对于上述步骤s10，在一个可选的实施例中，具体的，模拟晶圆可以是用于做测试的测试晶圆，模拟晶圆的材料可以有硅、锗、gaas、inp、gan等，在模拟晶圆上可加工制作成有与对应的产品晶圆上相同的电路元件或器件结构，模拟晶圆的尺寸规格可以与产品晶圆的尺寸规格完全相同。
82.具体的，支撑层和牺牲层在模拟晶圆表面交替叠置形成第一叠层结构，支撑层可
以为氮化钛层，牺牲层可以为氧化物层。
83.对于步骤s20，在一个可选的实施例中，具体的，在温度控制装置对模拟晶圆进行温度调控的同时使用刻蚀气体对模拟晶圆进行刻蚀，牺牲层的刻蚀气体与支撑层的刻蚀气体不同，支撑层的主要刻蚀气体可以为四氟甲烷(cf4)，牺牲层的主要刻蚀气体可以为六氟-2-丁炔(c4f6)，在这个刻蚀的过程中，c4f6的比例越高，第一聚合物层沉积的就越多。
84.下一次刻蚀过程包括对产品晶圆的刻蚀过程，在为了令第一聚合物层厚度的检测更加明显，对模拟晶圆的刻蚀过程中，至少一种刻蚀气体的流量大于产品晶圆刻蚀过程中对应刻蚀气体的流量。例如，在对模拟晶圆的刻蚀过程中，刻蚀气体的气体流量大于产品晶圆刻蚀过程中对应刻蚀气体的流量，cf4的气体流量为15sccm～50sccm，具体可以为15sccm、30sccm或50sccm；c4f6的气体流量为50sccm～60sccm，具体可以为50sccm、55sccm或60sccm，但上述数据仅作为示例，在实际实施例中cf4的气体流量及c4f6的气体流量的具体数值并不以上述数据为限。由于刻蚀气体的气体流量加大，因此第一聚合物层沉积的更多，会将不同区域的第一聚合物层在厚度上的差异放大，有助于工作人员对半导体设备进行调试。
85.在为了令第一聚合物层厚度的检测更加明显，对模拟晶圆的刻蚀过程中，刻蚀功率可以小于产品晶圆刻蚀过程中的刻蚀功率，在沉积第一聚合物层之后，会将不同区域的第一聚合物层在厚度上的差异放大，有助于对半导体设备进行调试。
86.对于步骤s30，在一个可选的实施例中，具体的，通过测量机台对第一聚合物层的厚度进行测量，并根据测量的数值生成第一聚合物层的厚度分布图；具体的，根据量测结果获取厚度分布的方法为本领域技术人员所知晓，此处不再累述。
87.对于步骤s40，在一个可选的实施例中，具体的，将获取的厚度分布图与目标厚度分布图进行比对，可以通过将厚度分布图上的厚度数值与目标厚度分布图上的厚度数值做差，将得出的差值制成差值分布图，其中，目标厚度分布图可以为得到产品所需竖直侧壁的电容孔时聚合物层的厚度分布图。
88.对于步骤s50，在一个可选的实施例中，温度控制装置包括多个分离的加热片，加热片可以通过螺丝可调节的固定连接在刻蚀腔室的内壁上，具体的，加热片可以通过螺丝可调节的固定连接在刻蚀腔室的顶部；当螺丝被转动时，加热片与刻蚀腔室内的模拟晶圆之间的距离也会改变，导致加热片与模拟晶圆之间的导热效率改变。由于温度控制装置包括多个分离的加热片，因此每个加热片与模拟晶圆之间的导热效率能够单独的进行改变，对模拟晶圆各个区域的加热情况能够单独进行控制，继而达到对模拟晶圆不同区域的温度调控效果进行独立调整的目的。
89.具体的，根据比对结果调整加热片与模拟晶圆的位置以调整加热片对模拟晶圆的温度调控效果包括如下步骤：
90.步骤s501：根据比对的结果判断模拟晶圆中的第一聚合物层的厚度与目标厚度存在差异的区域；
91.步骤s502：对上述区域对应位置的加热片进行调整，若上述区域中第一聚合物层的厚度与对应区域的目标厚度的差值大于第一预设值则减小对应位置的加热片与模拟晶圆的距离；若上述区域中第一聚合物层的厚度与对应区域的目标厚度的差值小于第二预设值则增大对应的加热片与模拟晶圆的距离。
92.具体的，可以通过将所得厚度分布图与目标厚度分布图叠加比对，以得到所得厚度分布图与目标厚度分布图各个区域的厚度差异图。加热片可以通过螺丝可调节的固定连接在刻蚀腔室的内壁上，当螺丝被转动时，加热片与刻蚀腔室内模拟晶圆之间的距离也会改变，导致加热片与模拟晶圆之间的导热效率改变。由于温度控制装置包括多个分离的加热片，每个加热片与模拟晶圆之间的导热效率能够单独的进行改变，因此，对模拟晶圆各个区域的加热情况能够单独进行控制，因此能够对差值较大的区域对应的加热片进行单独的调整，以达到减小上述区域中第一聚合物层的厚度与目标厚度的差值大于第一预设值的区域对应的加热片与模拟晶圆的距离，并增大上述区域中第一聚合物层的厚度与目标厚度的差值小于第二预设值的区域对应的加热片与模拟晶圆的距离的目的。
93.对于步骤s60，在一个可选的实施例中，具体的，支撑层可以为氮化钛层，牺牲层可以为氧化物层。在温度控制装置对模拟晶圆进行加热的同时使用刻蚀气体对模拟晶圆进行刻蚀，牺牲层的刻蚀气体与支撑层的刻蚀气体不同，支撑层的主要刻蚀气体可以为四氟甲烷(cf4)，牺牲层的主要刻蚀气体可以为六氟-2-丁炔(c4f6)，刻蚀产生的刻蚀孔为电容孔。
94.如图4所示，在一个可选的实施例中，于步骤s50之后且于步骤s60之前，还包括一下步骤：
95.步骤s51：重复步骤s10至步骤s50至少一次，直至形成的第一聚合物层模拟晶圆各区域的厚度与目标厚度的差值的平均值和标准差值达到目标值。
96.对于步骤s51，在进行初步的调整后，并不能确定初步的调整是否可以达到所需的目的，因此将步骤s10至步骤s50再重复至少一次，能够对调整后的半导体设备进行再次检测，直至确定第一聚合物层在整个晶圆的厚度均匀性满足了要求再进行正式的加工，能够进一步的提高正式生产中第二聚合物层分布的均匀性。
97.图5为现有技术中展示的形成电容孔后晶圆的不同区域内的电容孔侧壁形成的聚合物层分布不均的截面结构示意图示意图，如图5所示，由于电容孔10的高度超过了2800nm，且电容孔10穿过了交叠的牺牲层11与支撑层12，牺牲层11与支撑层12的刻蚀气体并不相同，且刻蚀形成的电容孔10会有一定的深度，因此刻蚀的过程会是一个持续的过程，因此在刻蚀的过程中，由于电容孔10的上部形成之后还需继续往下刻蚀形成电容孔10的下部结构，在这个持续刻蚀的过程中，很容易导致电容孔10出现侧刻蚀的情况；而在刻蚀的过程中于电容孔10的内侧壁上形成聚合物层13可以很好地防止电容孔10被过度侧蚀；但是，由于在刻蚀过程中晶圆不同区域的温度等条件可能存在差异，这会使得晶圆不同区域内的电容孔10的侧壁上形成的聚合物层13的厚度不均匀，譬如，如图卡所示，有些区域内的电容孔10的侧壁上并未形成聚合物层13，而有些区域内的电容孔10的侧壁上又会形成过厚的聚合物层13。
98.图6为采用本发明的半导体器件的制备方法形成电容孔后晶圆的不同区域内的电容孔侧壁形成的聚合物层分布均匀的截面结构示意图示意图，由图6可知，在具有上下交替叠置的支撑层22与牺牲层21的叠层结构内形成电容孔20的过程中，晶圆各区域的电容孔20侧壁的聚合物层23的厚度均大致相同，即聚合物层23的厚度具有较好的均匀性。
99.通过上述技术手段，对模拟晶圆刻蚀过程中形成的第一聚合物层的厚度与模拟晶圆的温度成反比，通过在模拟晶圆上形成第一聚合物层来检测出第一聚合物层均过厚或者过薄的区域，调整温度控制装置对模拟晶圆各个区域的温度调控效果能够对第一聚合物层
在整个晶圆表面的厚度分布做出控制，从而达到提高正式生产中第二聚合物层分布的均匀性的目的。
100.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
101.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。