剥离组合物的制作方法

1.本发明涉及一种剥离组合物以及利用该剥离组合物的阵列基板的制造方法，更加详细地，涉及一种用于去除在电极上形成的光致抗蚀剂图案的剥离组合物以及利用该剥离组合物的阵列基板的制造方法。


背景技术：

2.光刻工艺是在基板上形成金属图案的工艺。在制造集成电路、包括高集成电路等的半导体以及包括半导体的显示装置等时利用到光刻工艺。
3.在光刻工艺中，为了去除光致抗蚀剂图案而利用到剥离组合物。以往的剥离组合物所含有的部分物质属于有害化学物质，需要开发可以替代有害化学物质的新型剥离组合物。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种对环境和人体无害的剥离组合物。
5.本发明的另一目的在于提供一种利用对环境和人体无害的剥离组合物的阵列基板的制造方法。
6.一实施例提供一种剥离组合物，以剥离组合物的总重量为基准，包括：1重量％以上50重量％以下的极性溶剂；1重量％以上60重量％以下的二醇化合物；1重量％以上20重量％以下的胺化合物；以及1重量％以上40重量％以下的水，其中，以所述剥离组合物的总重量为基准，所述极性溶剂以10重量％以上40重量％以下的含量包括n,n
‑
二甲基丙酰胺和环丁砜中的至少一个。
7.所述极性溶剂还可以包括二甲基亚砜、n,n
‑
二甲基乙酰胺、n,n
‑
二甲基甲酰胺、n,n
‑
二乙基甲酰胺、n,n
‑
二甲基咪唑以及γ
‑
丁内酯中的至少一个。
8.所述二醇化合物可以由下述化学式1表示。
9.[化学式1]
[0010][0011]
在所述化学式1中，r1为氢原子、被取代或未被取代的碳原子数为1以上10以下的烷氧基或者被取代或未被取代的碳原子数为1以上10以下的烷基，r2为氢原子或者被取代或未被取代的碳原子数为1以上10以下的烷基。
[0012]
所述二醇化合物可以包括乙二醇、二甘醇、三甘醇、四甘醇、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇丁醚、二甘醇甲醚、二甘醇乙醚、二甘醇丁醚、三甘醇甲醚、三甘醇乙醚、三甘醇丁醚、二甘醇二甲醚、二丙二醇甲醚以及二丙二醇乙醚中的至少一个。
[0013]
所述胺化合物可以包括羟基。
[0014]
所述胺化合物可以包括氨基乙醇、二乙醇胺、三乙醇胺、甘醇胺、二甘醇胺、单异丙
醇胺、氨基乙氧基乙醇、氨基乙基乙醇、哌嗪、氨基甲基哌嗪以及氨基乙基哌嗪中的至少一个。
[0015]
以所述剥离组合物的总重量为基准，可以包括10重量％以上30重量％以下的所述极性溶剂、40重量％以上60重量％以下的所述二醇化合物、2重量％以上10重量％以下的所述胺化合物以及10重量％以上20重量％以下的所述水。
[0016]
所述极性溶剂包括所述n,n
‑
二甲基丙酰胺以及所述环丁砜两者，所述n,n
‑
二甲基丙酰胺与所述环丁砜的重量比可以为1：2至2：1。
[0017]
所述极性溶剂可以不包括四氢糠醇、n
‑
甲基甲酰胺、n
‑
甲基
‑2‑
吡咯烷酮以及n
‑
乙基
‑2‑
吡咯烷酮。
[0018]
所述剥离组合物可以去除在包括透明金属氧化物的电极上形成的光致抗蚀剂图案。
[0019]
所述剥离组合物可以去除在单一膜或者多重膜的电极上形成的光致抗蚀剂图案。
[0020]
一实施例提供一种阵列基板的制造方法，包括如下步骤：在预备电极上形成光致抗蚀剂图案；蚀刻形成有所述光致抗蚀剂图案的所述预备电极；在所述光致抗蚀剂图案上提供剥离组合物；以及去除所述光致抗蚀剂图案，其中，以所述剥离组合物的总重量为基准，所述剥离组合物包括：1重量％以上50重量％以下的极性溶剂；1重量％以上60重量％以下的二醇化合物；1重量％以上20重量％以下的胺化合物；以及1重量％以上40重量％以下的水，其中，以所述剥离组合物的总重量为基准，所述极性溶剂以10重量％以上40重量％以下的含量包括n,n
‑
二甲基丙酰胺和环丁砜中的至少一个。
[0021]
所述预备电极可以包括透明金属氧化物。
[0022]
所述预备电极可以是单一膜或者多重膜。
[0023]
一实施例可以提供一种维持光致抗蚀剂图案的剥离力，能够在短时间内剥离，并且防止电极腐蚀的剥离组合物。
[0024]
一实施例可以提供一种利用能够在短时间内剥离，并且防止电极腐蚀的剥离组合物的阵列基板的制造方法。
附图说明
[0025]
图1是示出一实施例的阵列基板的制造方法的顺序图。
[0026]
图2是示意性地示出一实施例的阵列基板的制造方法的剖面图。
[0027]
图3是示意性地示出一实施例的阵列基板的制造方法的剖面图。
[0028]
图4是示意性地示出一实施例的阵列基板的制造方法的剖面图。
[0029]
图5是示意性地示出一实施例的阵列基板的制造方法的剖面图。
[0030]
图6是示意性地示出根据一实施例的阵列基板的剖面图。
[0031]
图7a是提供有实施例的剥离组合物的电极的扫描电子显微镜图像。
[0032]
图7b是提供有比较例的剥离组合物的电极的扫描电子显微镜图像。
[0033]
【附图标记说明】
[0034]
el
‑
p：预备电极
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
pl：光致抗蚀剂图案
[0035]
prs：剥离组合物
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
sub：阵列基板
具体实施方式
[0036]
本发明可以进行多种变更，并且可以具有多种形态，在附图中例示出特定实施例，
并在说明书中进行详细说明。然而，这并不旨在将本发明限制于特定的公开形态，而是应当理解为包括本发明的构思以及技术范围所包括的所有变更、等同物以及替代物。
[0037]
在本说明书中，当提到某一构成要素(或者区域、层、部分等)在另一构成要素“之上”、与另一构成要素“连接”或者“结合”时，其表示可以直接布置在另一构成要素上或者与另一构成要素直接连接/结合，或者在它们之间也可以布置有第三构成要素。
[0038]
相同的附图标记指代相同的构成要素。并且，在附图中，构成要素的厚度、比率以及尺寸为了针对技术内容进行有效的说明而被夸大。
[0039]“和/或”包括相关的构成可以定义的一个以上的全部的组合。
[0040]
第一、第二等术语可以用于说明多种构成要素，但所述构成要素不应被所述术语限定。所述术语仅用于将一个构成要素与另一构成要素进行区分的目的。例如，在不脱离本发明的权利范围的情况下，第一构成要素可以被命名为第二构成要素，相似地，第二构成要素也可以被命名为第一构成要素。单数的表述只要在语境中没有明确表示出不同含义，便包括复数的表述。
[0041]
并且，“下方”、“下侧”、“上方”、“上侧”等术语用于说明附图中示出的构成的相关关系。所述术语为相对性的概念，以附图中表示的方向为基准而被说明。
[0042]
只要没有被不同地定义，本说明书中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常所理解的内容相同的含义。并且，诸如通常使用的词典中所定义的术语之类的术语应当被解释为具有与在相关技术的语境中的含义一致的含义，并且只要没有被解释为理想的或者过度的形式性的含义，则在此被明示性地定义。
[0043]“包括”或者“具有”等术语应当被理解为旨在指定说明书中所记载的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或者其组合的存在，而不是预先排除一个或者其以上的其他特征或者数字、步骤、操作、构成要素、部件或者其组合的存在或者附加的可以能性。
[0044]
以下，针对根据本发明的一实施例的剥离组合物进行说明。
[0045]
根据一实施例的剥离组合物可以用于剥离在电极上形成的光致抗蚀剂图案。一实施例的剥离组合物可以用于剥离在包括有透明金属氧化物的电极上形成的光致抗蚀剂图案。并且，一实施例的剥离组合物可以用于剥离在单一膜或者多重膜的电极上形成的光致抗蚀剂图案。例如，一实施例的剥离组合物可以用于剥离在像素电极上形成的光致抗蚀剂图案。像素电极可以包括透明金属氧化物。
[0046]
一实施例的剥离组合物可以用于剥离在包括氧化铟锡(ito：indium tin oxide)、氧化铟锌(izo：indium zinc oxide)以及氧化铟锡锌(itzo：indium tin zinc oxide)中的至少一个的电极上形成的光致抗蚀剂图案。并且，一实施例的剥离组合物可以用于剥离在依次堆叠有铜(cu)及钛(ti)的多重膜的电极或者包括非晶硅的电极上形成的光致抗蚀剂图案。此外，一实施例的剥离组合物可以用于去除为了形成电极图案而提供于电极物质上的光致抗蚀剂，并且电极物质的种类并不限于列出的金属氧化物或者金属材料。
[0047]
一实施例的剥离组合物可以包括极性溶剂、二醇化合物、胺化合物以及水。
[0048]
在一实施例的剥离组合物中，极性溶剂可以减弱形成光致抗蚀剂图案的物质的结合力。并且，极性溶剂可以对提高剥离组合物对光致抗蚀剂图案的渗透力方面作出贡献。以剥离组合物的总重量为基准，极性溶剂可以以1重量％以上50重量％以下的含量包括在剥离组合物中。
[0049]
根据一实施例，极性溶剂可以包括n,n
‑
二甲基丙酰胺(n,n
‑
dimethylpropionamide)和环丁砜(四氢噻吩
‑
1,1
‑
二氧化物)(sulfolane：tetrahydrothiophene
‑
1,1
‑
dioxide)中的至少一个。在一实施例的剥离组合物中，以剥离组合物的总重量为基准，可以以10重量％以上40重量％以下的含量包括n,n
‑
二甲基丙酰胺和环丁砜中的至少一个。以剥离组合物的总重量为基准，一实施例的剥离组合物可以包括10重量％以上40重量％以下的n,n
‑
二甲基丙酰胺。或者，以剥离组合物的总重量为基准，一实施例的剥离组合物可以包括10重量％以上40重量％以下的环丁砜。与此不同地，一实施例的剥离组合物可以包括n,n
‑
二甲基丙酰胺和环丁砜两者，并且以剥离组合物的总重量为基准，n,n
‑
二甲基丙酰胺的重量与环丁砜的重量之和可以为10重量％以上40重量％以下。更优选地，在一实施例的剥离组合物中，以剥离组合物的总重量为基准，可以以10重量％以上30重量％以下的含量包括n,n
‑
二甲基丙酰胺和环丁砜中的至少一个。以剥离组合物的总重量为基准，一实施例的剥离组合物可以包括10重量％以上30重量％以下的n,n
‑
二甲基丙酰胺。或者，以剥离组合物的总重量为基准，一实施例的剥离组合物可以包括10重量％以上30重量％以下的环丁砜。
[0050]
在一实施例的剥离组合物中，包括n,n
‑
二甲基丙酰胺和环丁砜而作为极性溶剂，并且n,n
‑
二甲基丙酰胺和环丁砜的重量比可以是1：2至2：1。例如，以剥离组合物的总重量为基准，30重量％的极性溶剂可以包括具有1：2的重量比的n,n
‑
二甲基丙酰胺和环丁砜。以剥离组合物的总重量为基准，剥离组合物可以包括10重量％的n,n
‑
二甲基丙酰胺和20重量％的环丁砜。或者，以剥离组合物的总重量为基准，30重量％的极性溶剂可以包括具有2：1的重量比的n,n
‑
二甲基丙酰胺和环丁砜。以剥离组合物的总重量为基准，剥离组合物可以包括20重量％的n,n
‑
二甲基丙酰胺和10重量％的环丁砜。
[0051]
然而，这仅为示例性的，以剥离组合物的总重量为基准，剥离组合物可以包括30重量％的n,n
‑
二甲基丙酰胺。以剥离组合物的总重量为基准，剥离组合物可以包括40重量％的n,n
‑
二甲基丙酰胺。或者，以剥离组合物的总重量为基准，剥离组合物可以包括30重量％的环丁砜。并且，在一实施例的剥离组合物中，极性溶剂还可以包括除了n,n
‑
二甲基丙酰胺和环丁砜之外的极性溶剂。根据一实施例，极性溶剂还可以包括二甲基亚砜(dimethylsulfoxide)、n,n
‑
二甲基乙酰胺(n,n
‑
dimethylacetamide)、n,n
‑
二甲基甲酰胺(n,n
‑
dimethylformamide)、n,n
‑
二乙基甲酰胺(n,n
‑
diethylformamide)、n,n
‑
二甲基咪唑(n,n
‑
dimethylimidazole)以及γ
‑
丁内酯(γ
‑
butyrolactone)中的至少一个。例如，剥离组合物的极性溶剂可以包括n,n
‑
二甲基丙酰胺，并且还可以包括n,n
‑
二甲基咪唑。然而，这仅为示例性的，实施例并不限于此。
[0052]
根据一实施例，剥离组合物的极性溶剂可以包括n,n
‑
二甲基丙酰胺和环丁砜中的至少一个，并且可以不包括四氢糠醇(thfa：tetrahydrofurfuryl alcohol)、n
‑
甲基甲酰胺(n
‑
methylformamide)、n
‑
甲基
‑2‑
吡咯烷酮(n
‑
methyl
‑2‑
pyrrolidone)以及n
‑
乙基
‑2‑
吡咯烷酮(n
‑
ethyl
‑2‑
pyrrolidone)。即，一实施例的剥离组合物可以不包括可能被分类为环境有害物质的四氢糠醇、n
‑
甲基甲酰胺、n
‑
甲基
‑2‑
吡咯烷酮以及n
‑
乙基
‑2‑
吡咯烷酮。
[0053]
一实施例的剥离组合物可以包括二醇化合物。二醇化合物可以使被溶解的光致抗蚀剂物质分散在剥离组合物中。
[0054]
以剥离组合物的总重量为基准，二醇化合物可以以1重量％以上60重量％以下的
含量包括于剥离组合物。例如，剥离组合物可以包括40重量％以上60重量％以下的二醇化合物。以剥离组合物的总重量为基准，剥离组合物可以包括40重量％以上60重量％以下的二醇化合物。
[0055]
二醇化合物可以包括由化学式1表示的化合物。
[0056]
在本说明书中，“被取代或未被取代”可以表示被选自由重氢原子、卤素原子、羟基、氨基、氧基、亚磺酰基、磺酰基、羰基、烷基、烯基、炔基、烷氧基构成的群中的一个以上的取代基取代或未被取代的情形。并且，所述例示的取代基中的每一个可以是被取代或未被取代的取代基。例如，联苯基可以解释为芳基，也可以解释为被苯基取代的苯基。
[0057]
在本说明书中，烷基可以是直链或者支链。烷基的碳原子数为1以上30以下、1以上20以下、1以上10以下。烷基的示例可以有甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2
‑
乙基丁基、3,3
‑
二甲基丁基等，但并不限于此。
[0058]
在本说明书中，烷氧基可以是直链或者支链。虽然没有特别限制，但烷氧基的碳原子数可以为例如1以上20以下或者1以上10以下。烷氧基的示例有甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、丁氧基等，但并不限于此。
[0059]
一实施例的二醇化合物可以由下述化学式1表示。
[0060]
[化学式1]
[0061][0062]
在化学式1中，r1可以为氢原子、被取代或未被取代的碳原子数为1以上10以下的烷氧基或者被取代或未被取代的碳原子数为1以上10以下的烷基。r2可以为氢原子或者被取代或未被取代的碳原子数为1以上10以下的烷基。
[0063]
例如，在r1和r2为氢原子的情形下，由化学式1表示的化合物可以为乙二醇(ethyleneglycol)。在r1为被羟基取代的乙基，r2为氢原子的情形下，由化学式1表示的化合物可以为二甘醇(diethyleneglycol)。在r1为被乙氧基取代的丁基，r2为氢原子的情形下，由化学式1表示的化合物可以为二甘醇丁醚(diethyleneglycolbutylether)。然而，实施例不限于此。
[0064]
一实施例的二醇化合物可以包括乙二醇(ethyleneglycol)、二甘醇(diethyleneglycol)、三甘醇(triethyleneglycol)、四甘醇(tetraethyleneglycol)、乙二醇甲醚(ethyleneglycolmethylether)、乙二醇乙醚(ethyleneglycolethylether)、乙二醇丁醚(ethyleneglycolbutylether)、二甘醇甲醚(diethyleneglycolmethylether)、二甘醇乙醚(diethyleneglycolethylether)、二甘醇丁醚(diethyleneglycolbutylether)、三甘醇甲醚(triethyleneglycolmethylether)、三甘醇乙醚(triethyleneglycolethylether)、三甘醇丁醚(triethyleneglycolbutylether)、二甘醇二甲醚(diethyleneglycoldimethylether)、二丙二醇甲醚(dipropyleneglycolmethylether)以及二丙二醇乙醚(dipropyleneglycolethylether)中的至少一个。例如，一实施例的剥离组合物所包括的二醇化合物可以是二甘醇。以剥离组合物的总重量为基准，剥离组合物可以包括45重量％的二甘醇。然而，这仅为示例性的，实施例并不限于此。
[0065]
一实施例的剥离组合物可以包括胺化合物。胺化合物可以减弱光致抗蚀剂图案的结合力。因此，包括胺化合物的剥离组合物可以显示出容易去除光致抗蚀剂图案的特性。
[0066]
根据一实施例，以剥离组合物的总重量为基准，剥离组合物可以包括1重量％以上20重量％以下的胺化合物。例如，以剥离组合物的总重量为基准，剥离组合物可以包括1重量％以上10重量％以下的胺化合物。具体地，以剥离组合物的总重量为基准，剥离组合物可以包括2重量％以上10重量％以下的胺化合物。
[0067]
胺化合物可以包括羟基。胺化合物可以包括伯胺化合物、仲胺化合物以及叔胺化合物。例如，胺化合物可以是伯胺化合物。然而，这仅为示例性的，实施例并不限于此。
[0068]
根据一实施例，胺化合物可以包括氨基乙醇(aminoethanol)、二乙醇胺(diethanolamine)、三乙醇胺(triethanolamine)、甘醇胺(glycolamine)、二甘醇胺(diglycolamine)、单异丙醇胺(monoisopropanolamine)、氨基乙氧基乙醇(aminoethoxylethanol)、氨基乙基乙醇(aminoethylethanol)、哌嗪(piperazine)、氨基甲基哌嗪(aminomethylpiperazine)、氨基乙基哌嗪(aminoethylpiperazine)中的至少一个。例如，胺化合物可以包括氨基乙氧基乙醇的伯胺化合物。即，剥离组合物中的胺化合物可以是氨基乙氧基乙醇。并且，剥离组合物所包括的胺化合物可以是氨基乙醇和二乙醇胺。然而，这仅为示例性的，实施例并不限于此。
[0069]
此外，一实施例的剥离组合物可以包括水。以剥离组合物的总重量为基准，剥离组合物可以包括1重量％以上40重量％以下的水。例如，以剥离组合物的总重量为基准，剥离组合物可以包括10重量％以上20重量％以下的水。具体地，以剥离组合物的总重量为基准，剥离组合物可以包括10重量％的水。或者，以剥离组合物的总重量为基准，剥离组合物可以包括20重量％的水。一实施例的剥离组合物所使用的水可以是在制造半导体时使用的等级的水或者超纯水。
[0070]
根据一实施例，以剥离组合物的总重量为基准，剥离组合物可以包括10重量％以上30重量％以下的极性溶剂、40重量％以上60重量％以下的二醇化合物、2重量％以上10重量％以下的胺化合物以及10重量％以上20重量％以下的水。例如，以剥离组合物的总重量为基准，剥离组合物可以包括30重量％的极性溶剂、45重量％的二醇化合物、5重量％的胺化合物以及20重量％的水。然而，这仅为示例性的，实施例并不限于此。
[0071]
以剥离组合物的总重量为基准，一实施例的剥离组合物可以包括1重量％以上50重量％以下的极性溶剂、1重量％以上60重量％以下的二醇化合物、1重量％以上20重量％以下的胺化合物以及1重量％以上40重量％以下的水。
[0072]
一实施例的剥离组合物可以不包括对环境和人体有害的四氢糠醇、n
‑
甲基甲酰胺、n
‑
甲基
‑2‑
吡咯烷酮以及n
‑
乙基
‑2‑
吡咯烷酮，并且可以代替有害物质而包括n,n
‑
二甲基丙酰胺和环丁砜中的至少一个。
[0073]
根据一实施例的剥离组合物可以使用于制造电子设备的工艺，例如，可以在制造电子设备的工艺中去除光致抗蚀剂图案的工序中使用。尤其是，根据一实施例，剥离组合物可以在显示装置的制造工艺中阵列基板的制造工序中使用，并且可以在去除在包括金属的电极上形成的光致抗蚀剂图案的工序中使用。
[0074]
以下参照附图对根据本发明的一实施例的阵列基板的制造方法进行说明。阵列基板的制造方法可以利用根据一实施例的剥离组合物。
[0075]
图1是示意性地示出根据一实施例的阵列基板sub的制造方法的顺序图。图2至图5是示意性地示出根据一实施例的阵列基板sub的制造方法的图。图6是示意性地示出根据一实施例的阵列基板sub的剖面图。在图2至图5中示出的构成被放大而示出，关于各个构成的实际大小可能不相同。
[0076]
根据一实施例的阵列基板sub的制造方法可以包括如下步骤：在预备电极el
‑
p上形成光致抗蚀剂图案pl(s10)；蚀刻形成有光致抗蚀剂图案pl的预备电极el
‑
p(s20)；在光致抗蚀剂图案pl上提供剥离组合物prs(s30)；以及去除光致抗蚀剂图案pl(s40)。
[0077]
图2是示意性地示出在阵列基板sub的制造方法中在预备电极el
‑
p上形成光致抗蚀剂图案pl的步骤(s10)的图。虽然在图2中以单一膜的电极示出了预备电极el
‑
p，但这仅为示例性的，预备电极el
‑
p可以是多重膜的电极。
[0078]
预备电极el
‑
p可以是像素电极。预备电极el
‑
p可以包括透明金属氧化物，例如，氧化铟锡(ito：indium tin oxide)、氧化铟锌(izo：indium zinc oxide)、氧化铟锡锌(itzo：indium tin zinc oxide)等。与此不同地，预备电极el
‑
p可以是依次堆叠有钛金属膜和铜金属膜的多重膜的电极。然而，实施例并不限于此，预备电极el
‑
p可以是形成于后述的阵列基板sub(图6)的电极。
[0079]
预备电极el
‑
p可以提供在基板bl上。基板bl可以是绝缘基板。与此不同地，基板bl可以是制造工艺中的阵列基板。例如，基板bl可以是未完成的阵列基板，并且可以是在基底基板上形成有部分电路层的中间步骤的阵列基板。具体地，基板bl可以表示后述的阵列基板sub(图6)中的一部分，例如，基板bl可以表示基底基板bs(图6)。
[0080]
图2示出了在预备电极el
‑
p上提供有光致抗蚀剂pl
‑
p，并且光致抗蚀剂pl
‑
p通过掩模mk而被曝光的情形。
[0081]
掩模mk可以包括阻断所有照射的光的第一部分m1和仅透射一部分光并阻挡一部分光的第二部分m2。基板bl和预备电极el
‑
p可以被划分为与第一部分m1和第二部分m2对应的第一区域r1和第二区域r2。
[0082]
在使通过掩模mk曝光的光致抗蚀剂pl
‑
p显影之后，如图3所示，在被掩模mk遮光而没有被提供光的第一区域r1可以留有预定厚度的光致抗蚀剂图案pl。在被提供透射掩模mk的第二部分m2的光的第二区域r2，光致抗蚀剂pl
‑
p可以被完全去除而使预备电极el
‑
p的表面暴露。虽然在针对图2和图3的说明中以使用正性光致抗蚀剂而使被曝光的部分的光致抗蚀剂被去除的情形为例进行了说明，但实施例并不限于此，也可以使用使没有被曝光的部分的光致抗蚀剂被去除的负性光致抗蚀剂。
[0083]
图3示出了蚀刻形成有光致抗蚀剂图案pl的预备电极el
‑
p的步骤(s20)。蚀刻预备电极el
‑
p的步骤(s20)可以包括干法蚀刻工序。光致抗蚀剂图案pl可以作为用于图案化预备电极el
‑
p的掩模层而使用。即，可以在预备电极el
‑
p上提供蚀刻液，并且没有形成光致抗蚀剂图案pl的预备电极el
‑
p的第二区域r2被所提供的蚀刻液蚀刻，从而可以如图4所示地形成电极el。在蚀刻预备电极el
‑
p的步骤(s20)中使用的蚀刻液不限于任意一个实施例，只要是具有蚀刻电极的性质的物质，便可以应用于本发明。
[0084]
在蚀刻预备电极el
‑
p的步骤(s20)之后，如图4所示，可以在光致抗蚀剂图案pl上提供剥离组合物prs。在光致抗蚀剂图案pl上提供剥离组合物prs的步骤(s30)中可以利用上述一实施例的剥离组合物prs。
[0085]
在一实施例的阵列基板的制造方法中提供的剥离组合物prs可以包括极性溶剂、二醇化合物、胺化合物以及水。以剥离组合物的总重量为基准，在一实施例的阵列基板的制造方法中使用的剥离组合物可以包括1重量％以上50重量％以下的极性溶剂、1重量％以上60重量％以下的二醇化合物、1重量％以上20重量％以下的胺化合物以及1重量％以上40重量％以下的水。
[0086]
一实施例的剥离组合物prs可以是防止电极el的腐蚀的同时能够去除光致抗蚀剂图案pl的组合物。一实施例的剥离组合物不包括对环境和人体有害的四氢糠醇、n
‑
甲基甲酰胺、n
‑
甲基
‑2‑
吡咯烷酮以及n
‑
乙基
‑2‑
吡咯烷酮，且可以显示出容易去除在电极上形成的光致抗蚀剂图案且防止电极腐蚀的特性。
[0087]
图5示出了光致抗蚀剂图案pl被去除的基板bl以及布置在基板bl上的电极el。电极el可以是后述的像素电极pe(图6)、栅极部ge(图6)、源极部se(图6)以及漏极部de(图6)中的任意一个。
[0088]
虽然未单独示出，但一实施例的阵列基板sub的制造方法还可以包括在去除光致抗蚀剂图案pl的步骤(s40)之后清洗基板和电极的步骤。
[0089]
图6示出了一实施例的阵列基板sub的剖面图。阵列基板sub可以包括基底基板bs、薄膜晶体管tft、栅极绝缘膜gi、绝缘层psv、数据线dl以及像素电极pe。
[0090]
薄膜晶体管tft包括栅极部ge、栅极绝缘膜gi、半导体图案sm、源极部se以及漏极部de。
[0091]
栅极部ge可以利用金属构成。栅极部ge可以利用镍、铬、钼、铝、钛、铜、钨以及包括其的合金构成。栅极部ge可以由利用金属的单一膜或者多重膜形成。
[0092]
半导体图案sm可以提供于栅极绝缘膜gi上。半导体图案sm可以在中间隔着栅极绝缘膜gi而提供于栅极部ge上。半导体图案sm可以包括提供于栅极绝缘膜gi上的有源图案(未示出)和形成在有源图案上的欧姆接触层(未示出)。有源图案可以利用非晶硅薄膜构成，欧姆接触层(未示出)可以利用n 非晶硅薄膜构成。
[0093]
源极部se和漏极部de可以被定义为在半导体图案sm中被掺杂的部分。
[0094]
在一实施例中，阵列基板sub的绝缘层psv覆盖源极部se、漏极部de、沟道部以及栅极绝缘膜gi，并且具有暴露漏极部de的一部分的接触孔ch。绝缘层psv例如可以包括硅氮化物或者硅氧化物。
[0095]
像素电极pe通过形成于绝缘层psv的接触孔ch连接到漏极部de。像素电极pe利用透明的导电性物质形成。尤其是，像素电极pe利用透明导电性氧化物(transparent conductive oxide)形成。透明导电性氧化物可以是ito、izo、itzo等。
[0096]
一实施例的阵列基板的制造方法可以利用一实施例的剥离组合物，所述剥离组合物可以包括：极性溶剂，包括n,n
‑
二甲基丙酰胺和环丁砜中的至少一个；二醇化合物；胺化合物以及水。据此，利用一实施例的剥离组合物的阵列基板的制造方法可以显示出容易去除在包括金属的电极上形成的光致抗蚀剂图案的特性。并且，利用一实施例的剥离组合物的阵列基板的制造方法可以显示出防止电极所包括的金属腐蚀的特性。
[0097]
[实施例]
[0098]
以下，参照实施例和比较例具体说明根据本发明的一实施形态的剥离组合物以及利用该组合物制造的电极。并且，以下示出的实施例为有助于理解本发明的一示例，本发明
的范围并不限于此。
[0099]
(剥离组合物的准备)
[0100]
利用下方表1中示出的构成制造了根据本发明的实施例的实施例1至实施例8的剥离组合物和比较例1至比较例9的剥离组合物。在表1中，表示各成分的含量的单位表示以剥离组合物的总重量为100％的重量％。
[0101]
在表1中，“dmpa”表示n,n
‑
二甲基丙酰胺，“sulfolane”表示环丁砜，“edg”表示二甘醇，“aee”表示氨基乙氧基乙醇。“nmp”表示n
‑
甲基
‑2‑
吡咯烷酮，“nmf”表示n
‑
甲基甲酰胺，“bdg”表示二丁二醇(dibutyleneglycol)，“nep”表示n
‑
乙基
‑2‑
吡咯烷酮，“mipa”表示单异丙醇胺，“mea”表示单乙醇胺。
[0102]
【表1】
[0103][0104][0105]
参照表1，实施例和比较例的剥离组合物中的每一个可以包括一个或者两个极性
溶剂。实施例1、实施例6、实施例7、比较例4至比较例6以及比较例9的剥离组合物包括一个极性溶剂。实施例2至实施例5、实施例8、比较例1至比较例3、比较例7以及比较例8的剥离组合物包括两种极性溶剂。比较例9的剥离组合物不包括二醇化合物。
[0106]
实施例1至实施例6以及实施例8的剥离组合物示出了以剥离组合物的总重量为基准包括30重量％的极性溶剂的情形。实施例2至实施例5以及实施例8的剥离组合物示出了n,n
‑
二甲基丙酰胺与环丁砜的重量比为1：2至2：1的情形。
[0107]
(光致抗蚀剂图案去除评价)
[0108]
在下方表2中示出了提供在先制备的实施例和比较例的剥离组合物而获得的所制造的电极上的光致抗蚀剂图案的去除评价结果。通过在包括铜的电极上形成绝缘层并提供光致抗蚀剂而形成了光致抗蚀剂图案。接着，在通过干法蚀刻工序蚀刻电极之后，为了剥离光致抗蚀剂图案而将剥离组合物提供了10分钟。用肉眼确认光致抗蚀剂图案的剥离与否和电极的腐蚀与否，并在表2中示出。
[0109]
在表2中，针对剥离与否的结果被标记为“ok”表示电极上的光致抗蚀剂图案被剥离的情形，针对剥离与否的结果被标记为“ng”表示电极上的光致抗蚀剂图案没有被剥离的情形。并且，针对腐蚀与否的结果被标记为“o”表示在电极发生了腐蚀的情形，针对腐蚀与否的结果被标记为“x”表示在电极没有发生腐蚀的情形。剥离时间(秒)表示提供剥离组合物而使光致抗蚀剂图案被剥离所消耗的时间。
[0110]
经过预定时间之后，在实施例以及比较例的电极用肉眼确认光致抗蚀剂图案的剥离与否并进行了示出，在比较例7以及比较例9中，由于在预定时间内没有完成光致抗蚀剂图案的去除，因此标记为“ng”。
[0111]
【表2】
[0112][0113][0114]
参照表2的结果可以确认，在实施例1至实施例5、实施例7和实施例8的电极中，光致抗蚀剂图案在45秒内被剥离，并且在电极没有发生腐蚀。并且，在实施例3和实施例5的电极中，没有发生电极的腐蚀，并且可以确认光致抗蚀剂图案在30秒内被剥离。即，可以知道，在实施例3和实施例5的电极中，光致抗蚀剂图案在相对较短的时间内被剥离。并且可以知道，与比较例1至比较例8不同地，不包括可能被分类为有害物质的极性溶剂的一实施例的剥离组合物显示出容易去除光致抗蚀剂图案且防止电极腐蚀的特性。并且，可以知道，一实施例的剥离组合物显示出能够在相对短的时间内除去光致抗蚀剂图案的特性。
[0115]
在比较例1至比较例6以及比较例8的电极中，光致抗蚀剂图案在45秒内被剥离，但是可以确认发生了电极的腐蚀。并且，可以知道，对于比较例7和比较例9的电极而言，光致抗蚀剂图案被剥离为止所消耗的时间比实施例1至实施例5、实施例7和实施例8、比较例1至比较例6以及比较例8的电极更长，并且发生了电极的腐蚀。
[0116]
图7a和图7b是在从提供有实施例及比较例的剥离组合物的电极中去除光致抗蚀剂图案之后，通过扫描电子显微镜(sem：scanning electron microscope)确认电极是否发生腐蚀的图像。
[0117]
参照图7a及图7b，可以知道在实施例1至实施例8的电极中，表面没有发生腐蚀，且可以确认到在比较例1至比较例9的电极中，由于发生腐蚀而导致表面不光滑。因此，可以知
道，在为了去除在电极上形成的光致抗蚀剂图案而利用一实施例的剥离组合物的情形下，可以防止电极腐蚀。
[0118]
一实施例的剥离组合物不包括对环境和人体有害的物质，并且可以容易地去除在电极上形成的光致抗蚀剂图案。并且，一实施例的阵列基板的制造方法可以利用一实施例的剥离组合物容易地去除在电极上形成的光致抗蚀剂图案，并且可以防止电极腐蚀。
[0119]
以上，虽然参照本发明的优选实施例进行了说明，但只要是本技术领域的熟练的技术人员或者具有本技术领域中的普通知识的人员，便可以理解在不脱离权利要求书中记载的本发明的思想和技术领域的范围内，可以对本发明进行多种修改和变更。
[0120]
因此，本发明的技术范围并不应该局限于说明书的详细说明中记载的内容，而应当通过权利要求书来确定。