钙钛矿薄膜及含其的光电探测器的反溶剂制备方法与流程

技术特征：
1.钙钛矿薄膜的反溶剂制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将基底置于等离子清洗设备中进行改性处理，制得改性的基底；(2)取步骤(1)制得的改性的基底加热，然后在改性的基底上滴加钙钛矿前驱体溶液，再滴加反溶剂，反应，退火，制得所述钙钛矿薄膜；所述反溶剂包括甲苯、丙酮、氯苯或氯仿中的至少一种；所述退火的温度为78
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122℃。2.根据权利要求1所述的反溶剂制备方法，其特征在于，所述退火的温度为80
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120℃。3.根据权利要求1所述的反溶剂制备方法，其特征在于，所述反溶剂为甲苯和/或氯仿。4.根据权利要求1所述的反溶剂制备方法，其特征在于，当所述反溶剂为甲苯时，所述退火的温度为78
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100℃。5.根据权利要求4所述的反溶剂制备方法，其特征在于，当所述反溶剂为甲苯时，所述退火的温度为80
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90℃。6.根据权利要求1所述的反溶剂制备方法，其特征在于，当所述反溶剂为氯仿时，所述退火的温度为90
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122℃。7.根据权利要求6所述的反溶剂制备方法，其特征在于，当所述反溶剂为氯仿时，所述退火的温度为100
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120℃。8.根据权利要求1所述的反溶剂制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述基底为玻璃基底；步骤(2)中，所述钙钛矿前驱体溶液包含有机胺卤素化合物和金属卤素化合物。9.一种光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在权利要求1
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8中任一项所述的反溶剂制备方法制得的钙钛矿薄膜上制备电极，制得所述光电探测器。10.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器的响应度为200
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700μa/w，外量子效率大于0.01，比探测率为108‑
109jones。

技术总结
本发明属于光电探测器技术领域，公开了钙钛矿薄膜及含其的光电探测器的反溶剂制备方法。该反溶剂制备方法，包括以下步骤：(1)将基底置于等离子清洗设备中进行改性处理，制得改性的基底；(2)取步骤(1)制得的改性的基底加热，然后在改性的基底上滴加钙钛矿前驱体溶液，再滴加反溶剂，反应，退火，制得钙钛矿薄膜；反溶剂包括甲苯、丙酮、氯苯或氯仿中的至少一种；退火的温度为78


技术研发人员：王学文 岳云帆
受保护的技术使用者：佛山仙湖实验室
技术研发日：2021.08.25
技术公布日：2021/12/16