天线结构及具有该天线结构的电子设备的制作方法

技术特征：
1.一种电子设备的天线结构，其特征在于，所述天线结构包括壳体、第一馈入点、第一接地点及第二馈入点，所述壳体至少部分由金属材料制成，所述壳体上开设有第一断点及第二断点，所述第一断点与所述第二断点之间的所述壳体形成一第一辐射部，所述第一馈入点设置于所述第一辐射部上，且电连接至一第一馈电点，以为所述第一辐射部馈入电流信号，所述第一接地点设置于所述第一辐射部，所述第一接地点与所述第一馈入点间隔设置，且通过一第一电感元件接地，所述天线结构还包括与所述第一辐射部相邻设置的第二辐射部，所述第二馈入点设置于所述第二辐射部上，且电连接至一第二馈电点，以为所述第二辐射部馈入电流信号。2.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于：当电流自所述第二馈入点馈入时，所述电流通过所述第二断点耦合至所述第一电感元件，并接地，以激发出超高频及5g nr n77、n78模态。3.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于：当电流自所述第二馈入点馈入时，所述电流流经所述第二辐射部中所述第二馈入点与远离所述第二断点的端部所对应的部分，以激发5g nr n79模态。4.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于：所述天线结构还包括第二接地点，所述第二接地点设置于所述第二辐射部上，且比所述第二馈入点更远离所述第二断点，所述第二接地点通过第二电感元件接地。5.如权利要求4所述的天线结构，其特征在于：当电流自所述第二馈入点馈入时，所述电流流经所述第二辐射部靠近所述第二断点的一侧，并通过所述第二断点耦合至所述第一电感元件，以激发超高频、5g nr n77、n78模态。6.如权利要求4所述的天线结构，其特征在于：当电流自所述第二馈入点馈入时，所述电流流经所述第二辐射部中所述第二馈入点与所述第二接地点之间的部分，且通过所述第二电感元件接地，以激发5g nr n79模态。7.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于：所述壳体包括边框，所述第一辐射部及所述第二辐射部设置于所述边框上。8.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于：当电流自所述第一馈入点馈入时，所述电流流经所述第一辐射部中所述第一馈入点与所述第二断点之间的部分，并通过所述第一电感元件接地，以激发lte-a高频及5g nr n79模态。9.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于：所述天线结构还包括切换点，所述切换点设置于所述第一辐射部上，且比所述第一馈入点更靠近所述第一断点，所述切换点与所述第一接地点间隔设置于所述第一馈入点的两侧，所述切换点通过一切换电路接地。10.一种电子设备，其特征在于：所述电子设备包括如权利要求1-9中任一项所述的天线结构。

技术总结
本发明提供一种电子设备的天线结构，包括壳体、第一馈入点、第一接地点及第二馈入点，所述壳体至少部分由金属材料制成，所述壳体上开设有第一断点及第二断点，所述第一断点与所述第二断点之间的所述壳体形成一第一辐射部，所述第一馈入点设置于所述第一辐射部上，且电连接至一第一馈电点，以为所述第一辐射部馈入电流信号，所述第一接地点设置于所述第一辐射部，所述第一接地点与所述第一馈入点间隔设置，且通过一第一电感元件接地，所述天线结构还包括第二辐射部，所述第二馈入点电连接至一第二馈电点，以为所述第二辐射部馈入电流信号。所述天线结构可涵盖低频、中频、超中频、高频、超高频、5G Sub6 N77/N78/N79等多个频段，具宽频效果。本发明还提供一种具有该天线结构的电子设备。的电子设备。的电子设备。


技术研发人员：蔡邦均
受保护的技术使用者：群迈通讯股份有限公司
技术研发日：2020.06.17
技术公布日：2021/12/16