一种NTPS功率主电路结构及设备的制作方法

技术特征：
1.一种基于sic和simosfet混合的ntps功率主电路结构，其特征在于，包括三电平拓扑结构及fpga控制器，所述三电平拓扑结构的每一相包括第一桥臂、第二桥臂和第三桥臂；所述第一桥臂和第三桥臂上分别设置有一外开关管，所述第二桥臂上设置有两个串联的内开关管；所述外开关管为sic mosfet器件，所述外开关管由fpga控制器通过sic_pwm信号驱动电路驱动；所述内开关管为si mosfet器件，所述内开关管由fpga控制器通过si_pwm信号驱动电路驱动；所述fpga控制器接收ac端的电压和/或电流信号以及dc端的电压和/或电流信号，通过计算生成所述sic_pwm信号和所述si_pwm信号。2.根据权利要求1所述的ntps功率主电路结构，其特征在于，所述第一桥臂与所述dc端的正极电连接，所述第三桥臂与所述dc端的负极电连接，所述第二桥臂分别通过电容与所述第一桥臂和所述第三桥臂电连接。3.根据权利要求1所述的ntps功率主电路结构，其特征在于，所述外开关管的额定电压是所述内开关管的两倍，所述外开关管的额定电流与所述内开关管相同。4.根据权利要求1所述的ntps功率主电路结构，其特征在于，所述fpga控制器的采样频率高于200khz。5.一种基于sic和simosfet混合的ntps设备，其特征在于，包括权利要求1至4任一项所述的ntps功率主电路结构。6.根据权利要求5所述的ntps设备，其特征在于，还包括零线保护模块，所述零线保护模块采集零线上的电流信号，并传输至所述fpga控制器。7.根据权利要求5所述的ntps设备，其特征在于，还包括输出滤波器模块，所述输出滤波器模块与所述ntps功率主电路结构电连接，并对所述ntps功率主电路结构的输出信号进行滤波。

技术总结
本实用新型公开了一种基于SiC和Si MOSFET混合的NTPS功率主电路结构及设备，包括三电平拓扑结构及FPGA控制器，三电平拓扑结构的每一相包括第一桥臂、第二桥臂和第三桥臂；第一桥臂和第三桥臂上分别设置有一外开关管，第二桥臂上设置有两个串联的内开关管；外开关管为SiC MOSFET器件，外开关管由SiC_PWM信号驱动电路驱动；内开关管为Si MOSFET器件，内开关管由Si_PWM信号驱动电路驱动。本实用新型采用SiC MOSFET和Si MOSFET混合的三电平拓扑结构，在实现高开关频率、低损耗、高功率密度变换器的同时，提供了低成本的实现方案。提供了低成本的实现方案。提供了低成本的实现方案。


技术研发人员：陈列芳 王伟刚 郑蒲英 宫海 徐海洋
受保护的技术使用者：黎德（上海）电气有限公司
技术研发日：2021.07.25
技术公布日：2021/12/14