一种硅片清洗电控机构中的净化系统的制作方法

1.本实用新型属于硅片清洗辅助设备技术领域，尤其是涉及一种硅片清洗电控机构中的净化系统。


背景技术：

2.现有清洗过程中，电气控制机构中与各清洗槽相邻，电气控制机构虽单独设置于一个柜体中，但仍然有清洗药液进入电气控制机构中，若不及时处理，会腐蚀电气元件的使用，存在安全隐患；同时随着电气元件长时间的工作，在电气控制机构中的温度越集越高，温度的升高以及药液的混合，不仅出现跳闸现象，严重时还会发生漏电事故。一旦出现停电，清洗机运行受影响，就会导致硅片清洗不干净，影响清洗效果。因此，保证电气控制机构内部的工作环境，是保证清洗机运行稳定和硅片清洗品质的重要因素之一。


技术实现要素：

3.本实用新型提供一种硅片清洗电控机构中的净化系统，解决了现有技术中由于电气控制机构中容易滞留清洗药液以及内部温度高而导致的电气元件无法正常工作的技术问题。
4.为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：
5.一种硅片清洗电控机构中的净化系统，包括电控部、降温部和处理部，所述降温部向所述电控部内通入低温无害气体，以使所述电控部内部的温度在恒定范围内；同时所述处理部可向所述电控部中通入其所需的酸和/或碱气体，以使所述电控部内的清洗药液被中和处理，再被排出所述电控部外，以净化所述电控部中电器元件的工作环境。
6.进一步的，所述降温部和所述处理部均置于所述电控部的外侧，并与所述电控部单向连接。
7.进一步的，所述降温部包括存放液氮的氮气罐或可制冷高纯空气的泵。
8.进一步的，所述处理部包括设有酸性气体的酸性槽和设有碱性气体的碱性槽，所述酸性槽和所述碱性槽并排且相互独立设置。
9.进一步的，在所述电控部内部设有用于监控温度的温控部，所述温控部远离所述降温部一侧设置。
10.进一步的，还包括：
11.用于将所述电控部内部的废气排出的排气部；
12.用于监控所述排气部中废气ph值的测试部；
13.以及用于将合格废气过滤处理的过滤部；
14.所述排气部靠近所述电控部设置并与所述电控部连通；
15.所述测试部置于所述排气部和所述过滤部之间并分别与所述排气部和所述过滤部连通。
16.进一步的，所述测试部测出的不合格废气被输入至外设的回收部中，所述回收部
还与所述处理部连接，所述处理部中的酸和/碱气体与所述回收部中的废气反应后再排入所述测试部中进行检测。
17.进一步的，所述测试部为ph测试仪。
18.进一步的，所述过滤部内侧设有若干过滤层，从靠近所述测试部的输入端一侧到其输出端一侧依次设有一级过滤层、二级过滤层和三级过滤层，且所述一级过滤层、所述二级过滤层和所述三级过滤层的过滤孔依次减小。
19.进一步的，所述过滤部的输出端与空气连通或与所述降温部连通。
20.与现有技术相比，采用本实用新型设计的一种硅片清洗电控机构中的净化系统，尤其适合于清洗硅片时酸碱溶液环境下对电气柜中电气元件工作稳定性的净化控制，结构设置简单，易于控制，实用性强且净化效率高；不仅可去除电气柜中的酸碱液体以及水蒸汽液体，而且还可将电气柜中的温度降温且被输出至电控部外侧进行散热，使电器元件始终在一定温度下稳定且安全地工作；自动化程度高，可确保电控部中所有电器元件工作环境的净化，提升电气元件工作的稳定性，降低生产成本。
附图说明
21.图1是本实用新型一实施例的一种硅片清洗电控机构中的净化系统的结构示意图；
22.图2是本实用新型一实施例的过滤仓的结构示意图；
23.图3是本实用新型另一实施例的一种硅片清洗电控机构中的净化系统的结构示意图。
24.图中：
25.10、电控部
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20、降温部
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30、处理部
26.31、酸性槽
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32、碱性槽
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40、排气部
27.50、温控部
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60、测试部
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70、回收部
28.80、过滤部
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81、一级过滤层
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82、二级过滤层
29.83、三级过滤层
具体实施方式
30.下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。
31.本实施例提出一种硅片清洗电控机构中的净化系统，如图1所示，包括电控部10、降温部20和处理部30，降温部20向电控部10内通入低温无害气体，以使电控部10内部的温度在恒定范围内，优选地，温度控制在室温 20
‑
23℃；同时处理部30可向电控部10中通入所需要的酸和/或碱气体，以使电控部10内的清洗药液被处理，再被排出电控部10外，以净化电控部10 中电器元件的工作环境。
32.具体地，电控部10为用于放置电气元件的封闭腔且设有柜门，降温部 20用于对电控部10内部温度进行降温，处理部30用于对电控部10内的酸碱液进行化学中和处理，降温部20和处理部30均置于电控部10的外侧，并与电控部10单向连接；且在电控部10、降温部20和处理部30的输出端均设有驱动水泵和电池阀，均与外设的可编辑控制器(附图省略)电连接。
33.其中，降温部20包括用于存放液氮的氮气罐或可制冷高纯空气体的泵，这两种气体均对电控部10中的电气元件无任何影响，使各电器元件被无害纯净的气体包围，保护各电器元件免受外界空气腐蚀且可防止外界含有杂质的空气进入腔体内。
34.进一步的，处理部30包括设有酸性气体的酸性槽31和设有碱性气体的碱性槽32，酸性槽31和碱性槽32并排且相互独立设置，酸性槽31和碱性槽32分别通过管道与电控部10直接连通。酸性槽31和碱性槽32的使用可根据实际情况而定，可以单独使用，也可同时使用。即当电控部10内只有酸性药液时，可开通碱性槽32，使两者化学反应生成无害的废气物；当电控部10内只有碱性药液时，可只开通酸性槽31，生成无害的废气物；当电控部10内既有酸性药液也有碱性药液，可同时打开碱性槽32和酸性槽31，使其分别与酸性药液和碱性药液反应，生成无害的废气物。具体酸性槽31和碱性槽32中的成分可根据实际工况条件下使用的酸性或碱性药液而定，在此不具体限制。
35.进一步的，为了保证电控部10内的温度恒定保持在室温20
‑
23℃以内，在电控部10内部设有用于监控温度的温控部50，温控部50为温度传感器，被设置在远离降温部20进入电控部10一侧位置，由于降温部20为低温气体，其进入电控部10的连接处温度相应较低，但并不代表电控部10整体内部的温度，故需要将温度传感器设置离降温部20进入电控部10所在位置远一点，以保证检测温度的准确性。
36.进一步的，净化系统还包括用于将电控部10中的废气排出的排气部40、用于监控所述排气部中废气ph值的测试部60、用于将合格废气过滤处理的过滤部80、以及用于对不合格废气进行处理的回收部70，其中，排气部40 靠近电控部10设置并与电控部10连通设置，优选地，排气部40为气泵；测试部60置于排气部40和过滤部80之间并分别与排气部40和过滤部80 连通设置；测试部60的输出端有两个，一个是与过滤部80连通，主要是将测得的ph值是6.5
‑
7.5之间的气体输入至过滤部80中；另一个是与回收部 70连通，主要是将ph值不在6.5
‑
7.5之间范围内的废气输入至回收部70 中再进行中和反应，即处理部30中的酸和/碱气体与回收部70中的废气再反应后，生成新的废气再排入测试部60中进行检测，合格的废弃流入至过滤部80中，不合格的继续返回至回收部70中。
37.其中处理部30中的酸性槽31和碱性槽32分别与回收部70连通，当测试部60测出的废气ph值后，系统通过控制器选择相应的酸性气体或碱性气体，然后再控制酸性槽31或碱性槽32向回收部70通入中和气体，再进行循环测试，以保证从测试部60流出的废气的ph值是合格的。其中，测试部 60为ph测试仪，此为本领域常用测试仪，具体型号不做限制。
38.如图2所示，过滤部80为一独立装置，ph值合格的废气通过气管输入至过滤部80中，在过滤部80的内侧设有若干过滤层，从靠近测试部60输入端一侧到其输出端一侧依次设有一级过滤层81、二级过滤层82和三级过滤层83，且一级过滤层81、二级过滤层82和三级过滤层83的过滤孔依次减小，即通过设置多层密度不同的过滤层以过滤废气中的大块颗粒和不利于排入空气中的杂质，以保证从过滤部80排出的气体是无害且安全的。对于一级过滤层81、二级过滤层82和三级过滤层83的过滤层密度不做进一步要求限制。
39.进一步的，过滤部80的输出端可以直接与空气连通，如图1所示；或与降温部20连通设置，如图3所示，也即是过滤后合格的无害气体被再次回收循环利用，进入降温部20中，再进行处理后可再进入电控部10中进行降温使用。
40.1、本实用新型设计的一种硅片清洗电控机构中的净化系统，尤其适合于清洗硅片
时酸碱溶液环境下对电气柜中电气元件工作稳定性的净化控制，结构设置简单，易于控制，实用性强且净化效率高；不仅可去除电气柜中的酸碱液体以及水蒸汽液体，而且还可将电气柜中的温度降温且被输出至电控部外侧进行散热，使电器元件始终在一定温度下稳定且安全地工作；自动化程度高，可确保电控部中所有电器元件工作环境的净化，提升电气元件工作的稳定性，降低生产成本。
41.2、通过向电控部内输入低温无害气体，对电控部中的温度进行降温；再通过向电控部内通入酸和/或碱气体，可完全将电控部中滞留的清洗药液中和去除，并产生对电器元件无污染或腐蚀的废气，再通过排气部中的真空泵将废气排出电控部。
42.3、同时对排出的废气再进行ph值检测，当ph值不在6.5
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7.5内时，废气被回收部回收，再通过与酸和/或碱气体进行混合后，再返回重新检测 ph值，合格后再通过过滤部经过三级过滤后才可排入空气中或再被循环输入到降温部中重新使用。
43.4、本技术净化系统可保证电控部内的温度恒定，且保证其内部的空气是纯净、安全的，从而使得电气元件可正常稳定地工作，进而保证硅片清洗的质量和生产效率。
44.以上对本实用新型的实施例进行了详细说明，所述内容仅为本实用新型的较佳实施例，不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。