薄膜封装处理系统和工艺配件的制作方法

技术特征：
1.一种用于在沉积腔室中使用的工艺配件，所述工艺配件包括：框架，所述框架配置成与所述沉积腔室的盖组件耦接，所述框架具有在所述框架的相对侧上形成在所述框架中的进气通道和出气通道，所述进气通道包括由第一非线性渐缩表面限定的第一流动路径，其中所述第一非线性渐缩表面的轮廓随着从所述第一非线性渐缩表面到所述进气通道的进入口的距离而变；和掩模片，所述掩模片配置成当所述沉积腔室在处理位置中时接触所述框架。2.如权利要求1所述的工艺配件，其中当所述掩模片与所述框架接触时，所述框架和所述掩模片部分地限定容积。3.如权利要求2所述的工艺配件，其中所述进气通道和所述出气通道与所述容积流体连通。4.如权利要求1所述的工艺配件，进一步包括：第二流动路径，所述第二流动路径由第二非线性渐缩表面限定，其中限定所述第二流动路径的所述第二非线性渐缩表面的轮廓随着从所述第二非线性渐缩表面到所述出气通道的排出口的距离而变。5.如权利要求4所述的工艺配件，其中所述第一非线性渐缩表面和所述第二非线性渐缩表面是椭圆形地渐缩的。6.如权利要求1所述的工艺配件，其中所述框架由镍与铁合金形成。7.如权利要求6所述的工艺配件，其中所述掩模片由镍与铁合金形成。8.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：盖组件，所述盖组件包括：进入口，所述进入口在所述盖组件的第一端处；泵送口，所述泵送口在所述盖组件的与所述第一端相对的第二端处；和rf阴极，用于产生反应物质，所述rf阴极设置在所述进入口与所述泵送口之间；和工艺配件，所述工艺配件包括：框架，所述框架配置成与所述盖组件耦接，所述框架具有在所述框架的相对侧上形成在所述框架中的进气通道和出气通道，所述进气通道包括第一流动路径，所述进气通道包括由第一非线性渐缩表面限定的第一流动路径，其中所述第一非线性渐缩表面的轮廓随着从所述第一非线性渐缩表面到所述进气通道的进入口的距离而变；和掩模片，所述掩模片配置成当所述设备在处理位置中时接触所述框架。9.如权利要求8所述的设备，其中当所述掩模片与所述框架接触时，所述框架、所述掩模片和所述rf阴极部分地限定容积。10.如权利要求9所述的设备，其中所述进气通道和所述出气通道与所述容积流体连通。11.如权利要求8所述的设备，进一步包括：第二流动路径，所述第二流动路径由第二非线性渐缩表面限定，其中限定所述第二流动路径的所述第二非线性渐缩表面的轮廓随着从所述第二非线性渐缩表面到所述出气通道的排出口的距离而变。12.如权利要求11所述的设备，其中所述第一非线性渐缩表面和所述第二非线性渐缩表面是椭圆形地渐缩的。
13.如权利要求8所述的设备，其中所述框架由镍与铁合金形成。14.如权利要求13所述的设备，其中所述掩模片由镍与铁合金形成。15.一种用于处理基板的设备，包括：腔室主体；基座主体；多个支撑构件，所述多个支撑构件围绕所述基座主体设置；盖组件，所述盖组件包括：进入口，所述进入口在所述盖组件的第一端处；泵送口，所述泵送口在所述盖组件的与所述第一端相对的第二端处；和rf阴极，用于产生反应物质，所述rf阴极设置在所述进入口与所述泵送口之间；和工艺配件，所述工艺配件包括：框架，所述框架配置成与所述盖组件耦接，所述框架具有在所述框架的相对侧上形成在所述框架中的进气通道和出气通道，所述进气通道包括由第一非线性渐缩表面限定的第一流动路径，其中所述第一非线性渐缩表面的轮廓随着从所述第一非线性渐缩表面到所述进气通道的进入口的距离而变；和掩模片，所述掩模片配置成当所述设备在处理位置中时接触所述框架。16.如权利要求15所述的设备，其中当所述掩模片与所述框架接触时，所述框架、所述掩模片和所述rf阴极部分地限定容积。17.如权利要求16所述的设备，其中所述进气通道和所述出气通道与所述容积流体连通。18.如权利要求15所述的设备，进一步包括：第二流动路径，所述第二流动路径由第二非线性渐缩表面限定，其中限定所述第二流动路径的所述第二非线性渐缩表面的轮廓随着从所述第二非线性渐缩表面到所述出气通道的排出口的距离而变。19.如权利要求18所述的设备，其中所述第一非线性渐缩表面和所述第二非线性渐缩表面是椭圆形地渐缩的。20.如权利要求15所述的工艺配件，其中所述框架和所述掩模片由镍与铁合金形成。

技术总结
本公开内容涉及用于薄膜封装(TFE)的方法和设备。在一个实施方式中，公开了一种用于原子层沉积(ALD)腔室的工艺配件，所述工艺配件包括介电窗口、密封框架和与所述密封框架连接的掩模框架，其中所述掩模框架具有在掩模框架的相对侧上形成在掩模框架中的进气通道和出气通道。气通道。气通道。


技术研发人员：栗田真一 斯里坎特
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2017.12.01
技术公布日：2021/12/14