一种低压带隙基准电压产生电路的制作方法

技术特征：
1.一种低压带隙基准电压产生电路，其特征在于，该电路包括i
ptat
产生器、i
ptat
电流镜和i
ctat
产生器；所述i
ptat
产生器，包括三极管q1、三极管q2、电阻r1、pmos管m1和m2，用于产生i
ptat
；其中，电阻r1两端的电压差/三极管q1与q2的电压差为δv
be
，三极管q2和q1的尺寸比例为n，忽略基极电流，则流过q2和q1的电流相同；所述i
ptat
电流镜，连接到所述i
ptat
产生器上，包括pmos管m1、m2、m3及m4，用于对ptat电流进行偏置，生成偏置电流；所述i
ctat
产生器，连接到i
ptat
电流镜上，包括pmos管m4和m6、nmos管m5、三极管q3、以及电阻r2，用于产生i
ctat
。2.根据权利要求1所述的一种低压带隙基准电压产生电路，其特征在于，所述v
be
为三极管的基极(base)和发射极(emitter)之间的压降具有负温度系数，电阻r1两端的电压差/三极管q1与q2的电压差为δv
be
具有正的温度系数。3.根据权利要求1或2所述的一种低压带隙基准电压产生电路，其特征在于，所述电阻r1两端的电压差：其中，k为玻尔兹曼常数，q为电子的电荷值常数，t为绝对温度，in(n)是n的自然对数，kt/q在常温下大约为26mv，v
be
为三极管的基极(base)和发射极(emitter)之间的压降；此时，和绝对温度成正比例的电流为：和绝对温度成负比例的电流为：让便得到叠加后的基本消除温度系数的带隙电流为：最后，该电路产生的基准电压v
ref
，与带隙电压v
ag
成正比：4.根据权利要求1所述的一种低压带隙基准电压产生电路，其特征在于，所述nmos管m5采用自然阈值的nmos管，pmos管m6与m7采用低阈值的pmos管。

技术总结
本发明公开了一种低压带隙基准电压产生电路，属于半导体芯片的设计技术领域，该电路包括I


技术研发人员：宋文星 万海军 李健平
受保护的技术使用者：苏州聚元微电子股份有限公司
技术研发日：2021.09.17
技术公布日：2021/12/14