一种电极结构及其制作方法与流程

1.本技术涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种电极结构及其制作方法。


背景技术：

2.对于射频器件，栅极金属通常采用“t”形结构，使栅极金属完全填充在介质层形成的栅槽结构中；同时，在栅槽底部两侧区域形成具有一定尺寸的金属板结构（栅极场板），对栅槽底部附近电场线进行调制。
3.目前，在制作栅极结构时，普遍采用一次蒸发工艺制得，然而，由于栅槽部位存在一定厚度的台阶，因此栅极金属在栅槽开口附近时连续性差，存在裂隙，导致栅极阻挡金属无法起到阻挡栅极接触金属和栅极互连金属的作用，导致栅极可靠性差；同时，栅槽台阶会导致栅极金属延续该台阶状形貌，导致栅极金属顶部存在尖角状形貌，导致栅极顶部介质层覆盖不均匀、易开裂、应力大等问题，栅极和源极场板之间容易击穿，使得器件栅极可靠性较差。
4.综上，现有技术中存在器件栅极金属结构不平坦导致的诸多可靠性较差的问题。


技术实现要素：

5.本技术的目的在于提供一种电极结构及其制作方法，以解决现有技术中存在的器件栅极金属结构不平坦导致的诸多可靠性较差的问题。
6.为了实现上述目的，本技术实施例采用的技术方案如下：一方面，本技术实施例提供了一种电极结构，所述电极结构包括：基板；位于所述基板一侧的第一介质层与接触金属层，其中，所述第一介质层环绕设置于所述接触金属层的四周；位于所述接触金属层远离基板一侧且连续的第一阻挡金属层；位于所述第一阻挡金属层远离基板一侧的互连金属层。
7.可选地，所述互连金属层在所述基板上的投影包含所述接触金属层在所述基板上的投影，所述第一阻挡金属层在所述基板上的投影包含所述接触金属层在所述基板上的投影。
8.可选地，所述第一介质层内设置有沟槽结构，所述接触金属层设置于所述沟槽结构内；当所述接触金属层的厚度小于所述沟槽的深度时，部分或全部所述第一阻挡金属层位于所述沟槽结构内。
9.可选地，所述电极结构还包括第二阻挡金属层，所述第二阻挡金属层覆盖所述互连金属层。
10.可选地，所述第一阻挡金属层在所述基板上的投影包含所述接触金属层，所述第一阻挡金属层包括粘附层与阻挡层，所述粘附层位于靠近所述接触金属层的一侧，所述阻
挡层位于靠近所述互连金属层的一侧。
11.可选地，制作所述接触金属层的材料包括ni、pt、ti、w及其组合，制作所述阻挡金属层的材料包括pt、pd、w、ti、tiw及其组合，制作所述互连金属层的材料包括au、w、cu、al及其组合。
12.可选地，所述基板包括：衬底及位于所述衬底一侧的半导体功能层。
13.另一方面，本技术实施例还提供了一种电极结构制作方法，用于制作如上述的电极结构，所述方法包括：基于一基板沉积第一介质层；利用带有第一开口的第一光刻胶层对所述第一介质层进行刻蚀，以形成沟槽结构；基于所述沟槽结构沉积所述接触金属层后剥离所述第一光刻胶层；制作带有第二开口的第二光刻胶层，其中，所述接触金属层位于所述第二开口内，且所述第二开口在所述基板上的投影包含所述接触金属层在所述基板上的投影；基于所述第二开口依次沉积第一阻挡金属层与互连金属层后剥离所述第二光刻胶层。
14.可选地，基于所述沟槽结构沉积接触金属层的步骤包括：基于所述沟槽结构沉积接触金属层，直至所述接触金属层的厚度等于或大于所述沟槽结构的深度；或基于所述沟槽结构依次沉积接触金属层与第一阻挡金属层，直至所述接触金属层与所述第一阻挡金属层的厚度等于或大于所述沟槽结构的深度。
15.可选地，在所述第二开口内沉积金属时，所述方法还包括：完成所述互连金属层沉积步骤后，沿所述互连金属层的一侧继续沉积第二阻挡金属层。
16.相对于现有技术，本技术具有以下有益效果：本技术提供了一种电极结构及其制作方法，该电极结构包括基板，位于基板一侧的第一介质层与接触金属层，其中，第一介质层环绕接触金属层，位于接触金属层远离基板一侧且连续的第一阻挡金属层，位于第一阻挡金属层远离基板一侧的互连金属层，覆盖所述电极结构与第一介质层的第二介质层。
17.本技术提供的电极结构中，接触金属仅位于沟槽结构中，使得沟槽结构部位的凹槽被金属填平，沟槽结构部位的台阶被消除，在沟槽结构部位覆盖的第一阻挡金属层在平坦的表面上连续性良好，第一阻挡金属层在接触金属层和互连金属层之间起到良好的阻挡作用，使得电极结构的可靠性提升；同时，在第一阻挡金属层上覆盖的互连金属层延续底层平坦结构而获得平坦的顶部结构，使得当需要在电极顶部覆盖介质层时，介质层能够覆盖均匀，克服了介质层易开裂、应力大、电极和电极之间容易击穿等，使得电极结构的可靠性提升。
18.为使本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，做详细说明如下。
附图说明
19.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
20.图1为现有技术提供的电极结构的结构示意图。
21.图2为本技术实施例提供的电极结构制作方法的流程示意图。
22.图3为本技术实施例提供的s102对应的结构示意图。
23.图4为本技术实施例提供的带有第一光刻胶层的结构示意图。
24.图5为本技术实施例提供的s104对应的结构示意图。
25.图6为本技术实施例提供的沉积接触金属层后的结构示意图。
26.图7为本技术实施例提供的s106对应的结构示意图。
27.图8为本技术实施例提供的s108对应的结构示意图。
28.图9为本技术实施例提供的沉积第一阻挡金属层与互连金属层后的结构示意图。
29.图10为本技术实施例提供的剥离第二光刻胶层后的结构示意图。
30.图11为本技术实施例提供的电极结构的结构示意图。
31.图12为本技术实施例提供的包括粘附层与阻挡层的结构示意图。
32.图13为本技术实施例提供的包括第二阻挡金属层的结构示意图。
33.图14为本技术实施例提供的部分第一阻挡金属层位于沟槽结构内时的结构示意图。
34.图中：110
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衬底；120
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半导体功能层；130
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第一介质层；140
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第一光刻胶层；141
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第一开口；150
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接触金属层；160
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第二光刻胶层；161
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第二开口；170
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第一阻挡金属层；171
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粘附层；172
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阻挡层；180
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互连金属层；190
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第二介质层；200
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源极场板；210
‑
第二阻挡金属层。
具体实施方式
35.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
36.因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
37.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
38.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“b位于a的一侧”指在a的层级结构上外延生长获取b，且a与b相连。术语“沿c的一侧生长d”或“基于c的一侧生长d”均指在外延方向
上，在c的外延生长面上生长d，且d与c连接。术语“生长面”指各层级结构朝向外延生长方向的一面，其反面为“背面”。
39.下面结合附图，对本技术的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
40.正如背景技术中所述，现有技术中存在器件栅极可靠性较差的问题，其主要原因在于，在现有的制作工艺中，在经过一次蒸发与剥离工艺后，栅极金属在栅槽开口附近的连续性较差，进而导致栅极可靠性差。例如，如图1所述，为现有技术中一种“t”形栅的剖面结构示意图，由图可知，由于在介质层1中存在栅槽，因此导致栅极接触金属与栅极阻挡金属在栅槽边缘上方呈现“打断”的形貌，存在金属裂隙，导致栅极阻挡金属无法起到阻挡栅极接触金属和栅极互连金属的作用，最终使得栅极可靠性差。同时，栅槽台阶会导致栅极金属延续该台阶状形貌，导致栅极金属顶部存在尖角状形貌，导致栅极顶部介质层覆盖不均匀、易开裂、应力大等问题，栅极和源极场板之间容易击穿，使得器件栅极可靠性较差。
41.有鉴于此，本技术提供了一种电极结构制作方法，通过两次“蒸发与剥离”的工艺，获得顶部平整、阻挡层金属完整的栅极金属形貌，进而起到了提升栅极阻挡层金属覆盖完整性、栅极金属顶部介质层覆盖质量的效果。需要说明的是，该电极结构制作方法可以用于制作栅极金属结构，当然地，也可以制作其它金属结构，例如源极金属结构或者漏极金属结构等，在此不做限定。为便于说明，本技术以栅极金属结构进行说明，在此基础上，沟槽结构即为栅槽结构。
42.下面对本技术提供的半导体制作方法进行示例性说明：作为一种实现方式，请参阅图2，该电极结构制作方法包括：s102，基于一基板沉积第一介质层。
43.s104，利用带有第一开口的第一光刻胶层对第一介质层进行刻蚀，以形成沟槽结构。
44.s106，基于沟槽结构沉积接触金属层后剥离第一光刻胶层。
45.s108，制作带有第二开口的第二光刻胶层，其中，接触金属层位于第二开口内，且第二开口在基板上的投影包含接触金属层在基板上的投影。
46.s110，基于第二开口依次沉积第一阻挡金属层与互连金属层后剥离第二光刻胶层。
47.其中，本技术提供的电极结构可以应用于半导体器件中，在此基础上，基板可以包括衬底与半导体功能层，半导体功能层与衬底生长面连接。需要说明的是，本技术并不对衬底的材料进行限定，例如可以采用蓝宝石衬底、sic衬底等。在衬底上外延生长半导体功能层与第一介质层后的结构如图3所示。本技术并不对外延生长的工艺进行限定，例如，在衬底110的生长面上通过气相外延或分子束外延工艺生长半导体功能层120，然后在半导体功能层120的生长面上继续外延生长第一介质层130。此时，半导体功能层120的背面与衬底110的生长面连接，第一介质层130的背面与半导体功能层120的生长面连接。
48.需要说明的是，半导体功能层120指能够实现的器件功能的主要层级结构，例如，半导体功能还包括沟道层、势垒层等，换言之，针对不同的器件，其半导体功能层120可能不同，在此不做限定。并且，本技术所述的第一介质层130为绝缘层，例如，可以为sio2、sin等材料的绝缘层。
49.请参阅图4，在制备基础结构后，需要在第一介质层130上定义栅槽区域，即通过第一光刻胶层140在第一介质层130的表面进行光刻工艺，其中，第一光刻胶层140上设置有第一开口141，在刻蚀工艺中，第一开口141的正投影区域内的第一介质层130会被部分或全部刻蚀，进而在第一介质层130上刻蚀出栅槽结构，如图5所示。由于利用第一光刻胶层140定义栅槽区域为现有技术，因此在此不再进行赘述。
50.需要说明的是，请参阅图6，在利用第一光刻胶层140制作栅槽结构后，并不会马上去除第一光刻胶层140，而是暂时保留第一光刻胶层140，并基于栅槽结构沉积接触金属层150。由于第一光刻胶层140的存在，第一光刻胶层140的表面与栅槽结构底部之间的高度差进一步增强，进而在沉积接触金属层150时，栅槽结构内的接触金属与第一光刻胶层140表面的接触金属更容易被隔断，进而使得后续的剥离工艺去除第一光刻胶层140表面的接触金属层150的效果更好。
51.可以理解地，位于栅槽结构内的接触金属层150与第一介质层130位于同一层。同时，本技术在制作接触金属层150时，可以采用蒸发工艺制作。
52.在制作接触金属层150后，需要剥离第一光刻胶层140，例如通过溶剂浸泡的方式去除第一光刻胶层140，对应地，在剥离第一光刻胶层140时，会将位于第一光刻胶层140表面的接触金属剥离，进而仅在栅槽结构内存在接触金属层150，填充了接触金属层150的栅槽结构部位能够更加平整，剥离第一光刻胶层140后的结构如图7所示。
53.需要说明的是，本技术在刻蚀出栅槽结构后直接进行栅极接触金属层150的蒸发，与现有技术相比，减少了去胶、光刻显影等工艺，进而减少了栅槽在常规工艺中的污染，提高栅极可靠性。
54.在完成第一次的“蒸发 剥离”工艺后，本技术还会进行第二次“蒸发 剥离”工艺。
55.首先，基于上述层级结构的表面制作带有第二开口161的第二光刻胶层160，如图8所示，可以理解地，为了制作“t”形栅，接触金属层150正对所述第二开口161，第二开口在衬底上的投影包含接触金属层150在所述衬底上的投影，换言之，在剖面结构的视图中，第二开口161的宽度大于接触金属层150的宽度，进而在进行第二次蒸发工艺时，可以使栅极金属沿第二开口161内的接触金属层150与第一介质层130的表面进行沉积，形成“t”形栅结构。
56.在制作第二光刻胶层160后，请参阅图9，可以利用栅极金属蒸发工艺，基于第二开口161依次沉积第一阻挡金属层170与互连金属层180，其中，第一阻挡金属层170用于隔离互连金属层180与接触金属层150，以防止互连金属层180与接触金属层150连通，避免了金属间的扩散，提升栅极的可靠性。
57.同理地，利用第二光刻胶层160可以实现第二开口161内的栅极金属与第二光刻胶层160表面的栅极金属之间的隔断，然后剥离第二光刻胶层160，同时第二光刻胶表面的金属也同步被剥离，剥离第二光刻胶层160后的结构如图10所示。
58.在经过两次“蒸发 剥离”工艺后，栅槽底部接触金属层150和第一介质层130表面齐平，栅极阻挡金属在栅极接触金属和栅极互连金属之间覆盖完整、连续，栅极阻挡金属在栅极接触金属和栅极互连金属之间起到良好的阻挡作用，进而达到了提高栅极金属可靠性的效果。
59.同时，在第二次栅极金属蒸发工艺时，并未蒸发栅极接触金属，减少了栅极接触金
属与栅金属下方第一介质层130接触面积，降低栅极接触金属与其下方介质层相互反应、扩散，提高栅极金属稳定性、器件长期可靠性，此外，降低了栅极金属电阻、栅极寄生电容。
60.并且，与现有技术相比，本技术在常规工艺基础上不需要增加额外的光罩即可实现，因此工艺更加简单，利于实际生产。
61.作为一种可选的实现方式，在基于该电极结构制作半导体器件时，在s110的步骤之后的 ，该方法还包括：s112，在圆片表面沉积第二介质层，覆盖互连金属层、第一介质层表面。
62.s114，在栅极顶部及靠近漏极一侧制作源极场板结构。请参阅图11，在沉积栅极金属后，需要在圆片表面沉积第二介质层190，互连金属层180与第一介质层130的表面覆盖第二介质层190，然后，沿第二介质层190的顶部且靠近漏极的一侧制作源极场板200。其中，本技术所述的圆片表面，指通过前述工艺已经形成的器件结构的表面。
63.需要说明的是，由于栅槽底部金属和第一介质层表面齐平，第一阻挡金属层170与互连金属层180也平整设置，栅极金属的顶部平整，进而在沉积第二介质层190时，第二介质层190覆盖均匀、不易开裂、应力小，降低栅极金属和源极场板200之间击穿风险，使得器件栅极可靠性提升。
64.其中，第二介质层190也为绝缘层，可选的，制作第二介质层190与第一介质层130的材料可以相同，也可以不同，在此不做限定。
65.可选地，s106包括：基于沟槽结构沉积接触金属层150，直至接触金属层150的厚度等于沟槽结构的深度；或基于沟槽结构依次沉积接触金属层150与第一阻挡金属层170，直至接触金属层150与第一阻挡金属层170的厚度之和等于沟槽结构的深度。
66.即作为一种实现方式，在利用蒸发工艺制作接触金属层150时，接触金属层150的厚度可以小于或等于栅槽的深度。当接触金属层150的厚度等于栅槽的深度时，接触金属层150的表面与第一介质层130的表面齐平，进而使得后续在沉积第一阻挡金属层170与互连金属层180时，其表面更加平整。
67.当接触金属层150的厚度小于栅槽的深度时，在沉积接触金属层150后，还会继续沉积阻挡金属，直至阻挡金属的表面与第一介质层130的表面齐平。在此基础上，需要说明的是，在一种实现方式中，当进行第二次蒸发 剥离工艺时，可在制作第二光刻胶层160后，直接沉积互连金属层180，此时，第一阻挡金属层170全部位于栅槽结构内。在另一种实现方式中，当进行第二次蒸发 剥离工艺时，可在制作第二光刻胶层160后，先沉积第一阻挡金属层170，再外延沉积互连金属层180，此时，第一阻挡金属层170部分属于栅槽结构内，部分位于栅槽结构上方。且位于栅槽结构上方的第一阻挡金属层170在衬底上的投影完全包含接触金属层150在衬底上的投影，有效地避免了互连金属层180中金属向第一介质层130扩散。
68.当然地，在其它的一些实现方式中，接触金属层150的顶部也可以超出第一介质层130上表面，在此不做限定。
69.需要说明的是，接触金属层150、第一阻挡金属层170以及互连金属层180的材料可以不一致，也可分层设置，可选地，制作接触金属层150的材料可以是ni、pt、ti、w等金属或其组合，制作阻挡金属层的材料可以是pt、pd、w、ti、tiw等金属或其组合，制作互连金属层
180的材料可以是au、w、cu、al等金属或其组合。其中，上述材料可以表示在各个层级结构中分层设置，且不同层的材料不同，或者，也可以表示各个层级结构由上述金属的合金制作而成。
70.例如，接触金属层150的材料可以选用ni，阻挡金属层的材料可以为pt，在此基础上，由于pt为惰性金属，其与第一介质层130之间的粘附性并不强，而由于阻挡金属层的两端分别需要与第一介质层130接触，因此为了增强二者之间的粘附性，请参阅图12，第一阻挡金属层170包括粘附层171与阻挡层172。基于第二开口161依次生长第一阻挡金属层170的步骤包括：基于第二开口依次沉积粘附层与阻挡层。
71.即第一阻挡金属层170可以包括两层，其中粘附层171材料可以选择ti，增强与第一介质层130之间的粘附性，阻挡层172的材料仍选用pt，防止接触金属层150与互连金属层180之间的金属扩散。
72.此外，在实际应用中，互连金属层180的金属也可能穿过第二介质层190向第二介质层190扩散，影响栅极的稳定性。为了避免该情况的发生，在所述第二开口内沉积金属时，该方法还包括：完成所述互连金属层180沉积步骤后，沿互连金属层180的一侧继续沉积第二阻挡金属层210。
73.其中，第二阻挡金属层210与第一阻挡金属层170可以为同一金属材料，例如材料均为pt。当沉积互连金属层180后，沿互连金属层180的沉积面沉积第二阻挡金属层210，进而实现互连金属层180与第二介质层190之间的隔离，避免出现互连金属层180中金属向第二介质层190扩散的情况。
74.可以理解地，通过本技术提供的电极结构制作方法制作的电极结构，能够保证第一阻挡金属层、互连金属层180的平整性与连续性，进而提升栅极金属的可靠性，降低电极金属电阻，同时，也保证了第二介质层190覆盖均匀、不易开裂、应力小，降低栅极金属和源极场板200之间的击穿风险。
75.此外，为了实现器件的制作，需要在半导体层制作源极电极、漏极电极和栅极电极，因此，若采用上述电极结构制作栅极电极，则还需在半导体层制作漏极电极与源极电极，在此不做赘述。
76.基于上述实现方式，本技术还提供了一种电极结构，该电极结构通过上述的电极结构制作方法制作而成，其中，该电极结构包括基板，第一介质层130、接触金属层150、第一阻挡金属层170、互连金属层180、其中，第一介质层130与接触金属层150位于基板一侧，且第一介质层130设置于环绕接触金属层150的四周，第一阻挡金属层170位于接触金属层150远离基板一侧，互连金属层180位于第一阻挡金属层170远离基板一侧。
77.其中，本技术提供的电极结构可以应用于制作半导体器件，在此基础上，基板可以包括衬底110与半导体功能层120，半导体功能层120位于衬底110一侧，此外，该半导体器件还可包括第二介质层190以及源极场板200，第二介质层190位于互连金属层180与第一介质层130的一侧，源极场板200位于第二介质层190的一侧。
78.本技术提供的电极结构的第一阻挡金属层与互联金属层的表面平整且连续，因此电极金属的可靠性增强，且第二介质层190也能覆盖均匀、不易开裂、应力小，降低互连金属
层和源极场板200之间的击穿风险。
79.其中，第一介质层130设置有沟槽结构，接触金属层150设置于沟槽结构内。互连金属层180的在所述衬底上的投影包含接触金属层150在所述衬底上的投影，作为第一种实现方式，第一阻挡金属层170可以全部设置于沟槽结构内，即沟槽结构内包括接触金属层150与第一阻挡金属层170，且接触金属层150与第一阻挡金属层170的厚度之和等于沟槽结构的深度，此时，第一阻挡金属层170完全覆盖接触金属层150。作为第二种实现方式，请参阅图14，第一阻挡金属层170的部分金属位于沟槽结构内，第一阻挡金属层170的另一部分金属位于沟槽结构上方，且位于沟槽结构上方的第一阻挡金属层170完全覆盖沟槽结构。作为第三种实现方式，第一阻挡金属层170的全部金属位于沟槽结构上方，且接触金属层150填充于沟槽结构内，接触金属层的厚度等于沟槽结构的深度，第一阻挡金属层170完全覆盖沟槽结构。
80.同时，当第一阻挡金属层170的部分金属位于沟槽结构上方时，第一阻挡金属层170可以包括粘附层171与阻挡层172，粘附层171位于接触金属层150的一侧，阻挡层172位于粘附层171的一侧。粘附层171能够有效实现阻挡层172与第一介质层130之间的粘接，阻挡层172能够起到隔离接触金属层150与互连金属层180的作用。
81.需要说明的是，本技术并不对接触金属层150、第一阻挡金属层170以及互连金属层180的材料进行限定，可选的，制作接触金属层150的材料可以是ni、pt、ti、w等金属或其组合，制作第一阻挡金属层170的材料可以是pt、pd、w、ti、tiw等金属或其组合，制作互连金属层180的材料可以是au、w、cu、al等金属或其组合，在此不做限定。在一种可能的实现方式中，粘附层171的材料为ti，阻挡层172的材料为pt。
82.此外，为了防止互连金属层180的金属向第二介质层190扩散，影响电极的稳定性，请参阅图13，该电极结构还包括第二阻挡金属层210，第二阻挡金属层210位于互连金属层180的一侧，第二介质层190覆盖第二阻挡金属层210与第一介质层130。第二阻挡金属层210能够起到隔离互连金属层180与第二介质层190的作用。
83.综上所述，本技术提供了一种电极结构及其制作方法，该电极结构包括基板，位于基板一侧的第一介质层与接触金属层，其中，第一介质层环绕接触金属层，位于接触金属层远离基板一侧且连续的第一阻挡金属层，位于第一阻挡金属层远离基板一侧的互连金属层，覆盖所述电极结构与第一介质层的第二介质层。由于本技术提供的电极结构中，接触金属仅位于沟槽结构中，使得沟槽结构部位的凹槽被金属填平，沟槽结构部位的台阶被消除，在沟槽结构部位覆盖的第一阻挡金属层在平坦的表面上连续性良好，第一阻挡金属层在接触金属层和互连金属层之间起到良好的阻挡作用，使得电极结构的可靠性提升；同时，在第一阻挡金属层上覆盖的互连金属层延续底层平坦结构而获得平坦的顶部结构，使得当需要在电极顶部覆盖介质层时，介质层能够覆盖均匀，克服了介质层易开裂、应力大、电极和电极场板之间容易击穿等，使得电极结构的可靠性提升。
84.以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
85.对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其它的具体形式实现本技术。因此，无论
从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。