半导体器件的制造方法与流程

技术特征：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：将聚合物材料放置在衬底上方，所述聚合物材料包括：聚合物前体，所述聚合物前体包括其中r表示光敏剂；以及溶剂；图案化所述聚合物材料；以及在200℃到300℃的范围内的温度下固化所述聚合物材料。2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述聚合物材料包括在20重量％到40重量％的范围内的所述聚合物前体。3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述聚合物材料包括在1重量％到8重量％的范围内的所述光敏剂。4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其中所述光敏剂包括二苯甲酰基甲烷。5.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其中所述光敏剂包括2,2'
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(苯基亚氨基)二乙醇。6.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成聚合物前体，所述形成所述聚合物前体包括：使3,3,4,4
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联苯四甲酸二酐与第一反应物反应以形成第二反应物；以及使所述第二反应物与2,2
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双[4
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(4
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氨基苯氧基)苯基]丙烷(bapp)反应以形成所述聚合物前体；形成聚合物混合物，所述聚合物混合物包括所述聚合物前体和溶剂；将所述聚合物混合物施加在衬底上方；曝光和显影所述聚合物混合物的至少一部分以形成显影的介电质；固化所述显影的介电质以形成介电层；以及在所述介电层上方形成导电特征。7.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，其中所述聚合物混合物更包括交联剂。8.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，其中在所述曝光和显影所述聚合物混合物的至少所述部分期间，所述交联剂与所述聚合物前体反应以形成交联聚合物链。9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中所述固化所述介电层包括热固化，所述热固化将所述交联聚合物链转换为具有以下结构的聚酰亚胺
10.一种半导体封装，包括：第一密封体，位于第一介电层上，所述第一密封体密封第一穿孔；以及第一重布线结构，位于所述第一密封体和所述第一穿孔上方，所述第一重布线结构包括：第二介电层，所述第二介电层在60千兆赫下具有在0.007到0.01的范围内的耗散因子，且具有在3.7吉帕到3.8吉帕的范围内的杨氏模量；以及第一金属化图案，位于所述第二介电层上，所述第一金属化图案以物理和电气方式耦合所述第一穿孔。

技术总结
提供一种制造半导体器件的方法，包含：将聚合物混合物施加在衬底上方；曝光和显影聚合物混合物的至少一部分以形成显影的介电质；以及固化显影的介电质以形成介电层。聚合物混合物包含聚合物前体、光敏剂以及溶剂。聚合物前体可以是聚酰胺酸酯。体可以是聚酰胺酸酯。体可以是聚酰胺酸酯。


技术研发人员：廖思豪 胡毓祥 郭宏瑞 余振华
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.09.10
技术公布日：2021/12/12