低介电二氧化硅粉体、含有该二氧化硅粉体的树脂组合物及低介电二氧化硅粉体的制备方法与流程

技术特征：
1.一种低介电二氧化硅粉体，其特征在于，其平均粒径为0.1～30μm、介电损耗角正切(10ghz)为0.0005以下。2.根据权利要求1所述的低介电二氧化硅粉体，其特征在于，在所述低介电二氧化硅粉体的内部及表面，选自铝、镁及钛的金属和/或其氧化物以金属质量换算计分别为200ppm以下，碱金属及碱土金属以质量换算计分别为10ppm以下。3.根据权利要求1所述的低介电二氧化硅粉体，其特征在于，所述低介电二氧化硅粉体的羟基(si
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oh)含量为300ppm以下。4.根据权利要求2所述的低介电二氧化硅粉体，其特征在于，所述低介电二氧化硅粉体的羟基(si
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oh)含量为300ppm以下。5.根据权利要求1所述的低介电二氧化硅粉体，其特征在于，b的含量为1ppm以下、p的含量为1ppm以下、u及th的含量分别为0.1ppb以下。6.根据权利要求2所述的低介电二氧化硅粉体，其特征在于，b的含量为1ppm以下、p的含量为1ppm以下、u及th的含量分别为0.1ppb以下。7.根据权利要求3所述的低介电二氧化硅粉体，其特征在于，b的含量为1ppm以下、p的含量为1ppm以下、u及th的含量分别为0.1ppb以下。8.根据权利要求4所述的低介电二氧化硅粉体，其特征在于，b的含量为1ppm以下、p的含量为1ppm以下、u及th的含量分别为0.1ppb以下。9.根据权利要求1～8中任一项所述的低介电二氧化硅粉体，其特征在于，所述低介电二氧化硅粉体的最大粒径为100μm以下。10.一种含低介电二氧化硅粉体的树脂组合物，其特征在于，其为权利要求1～9中任一项所述的低介电二氧化硅粉体与树脂的混合物。11.一种低介电二氧化硅粉体的制备方法，其为低介电二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，将二氧化硅粉体以500℃～1500℃的温度进行加热处理，使所述二氧化硅粉体的介电损耗角正切(10ghz)为0.0005以下后，用蚀刻液对所述加热处理后的二氧化硅粉体的表面进行蚀刻处理。12.根据权利要求11所述的低介电二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，进行所述加热处理30分钟～72小时。13.根据权利要求11所述的低介电二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，作为所述蚀刻液，使用选自氢氟酸水溶液、氟化铵水溶液、氢氧化钠水溶液、氢氧化钾水溶液、碳酸钠水溶液、氨水、碱性电解水中的水溶液。14.根据权利要求12所述的低介电二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，作为所述蚀刻液，使用选自氢氟酸水溶液、氟化铵水溶液、氢氧化钠水溶液、氢氧化钾水溶液、碳酸钠水溶液、氨水、碱性电解水中的水溶液。15.根据权利要求11所述的低介电二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，作为所述蚀刻液，使用ph值为11以上的碱性水溶液。16.根据权利要求12所述的低介电二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，作为所述蚀刻液，使用ph值为11以上的碱性水溶液。17.根据权利要求13所述的低介电二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，作为所述蚀
刻液，使用ph值为11以上的碱性水溶液。18.根据权利要求14所述的低介电二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，作为所述蚀刻液，使用ph值为11以上的碱性水溶液。19.根据权利要求15～18中任一项所述的低介电二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，作为所述碱性水溶液，使用ph值为12以上的碱性电解水。20.根据权利要求11～18中任一项所述的低介电二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，进一步对所述蚀刻处理后的二氧化硅粉体的表面进行偶联剂处理。21.根据权利要求19所述的低介电二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，进一步对所述蚀刻处理后的二氧化硅粉体的表面进行偶联剂处理。

技术总结
本发明的目的在于提供一种介电损耗角正切非常小的二氧化硅粉体及包含该二氧化硅粉体的树脂组合物。本发明的目的还在于提供一种介电损耗角正切低、且与树脂的界面处的粘合也牢固的二氧化硅粉体的制备方法。本发明提供一种低介电二氧化硅粉体，其特征在于，其平均粒径为0.1～30μm、介电损耗角正切(10GHz)为0.0005以下。0.0005以下。0.0005以下。


技术研发人员：盐原利夫 糸川肇
受保护的技术使用者：信越化学工业株式会社
技术研发日：2021.05.28
技术公布日：2021/12/7