一种低介电损耗负介材料及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种低介电损耗负介材料的制备方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：步骤1，制备agnws乙醇浆料，其中，agnws具有高长径比；步骤2，将作为基体的高聚物粉末分散在乙醇溶液中，得到基体浆料；步骤3，将agnws浆料与基体浆料按比例混合，干燥；其中，agnws在混合物中的质量含量不高于7％；步骤4，压制成型，制备得到低介电损耗负介材料。2.如权利要求1所述的低介电损耗负介材料的制备方法，其特征在于，所述的agnws浆料中，agnws的直径为40
‑
120nm，均值为65.3
±
0.33nm；agnws的长度为2
‑
7μm，均值为4.56
±
0.18μm。3.如权利要求1所述的低介电损耗负介材料的制备方法，其特征在于，所述的agnws的平均长径比为70:1。4.如权利要求1所述的低介电损耗负介材料的制备方法，其特征在于，步骤1中，利用多元醇经水热反应制备agnws，生长剂选用聚乙烯吡咯烷酮。5.如权利要求1所述的低介电损耗负介材料的制备方法，其特征在于，步骤3中，采用烘干方式干燥，烘干温度范围为60
‑
100℃，时间设置为60
‑
80min。6.如权利要求1所述的低介电损耗负介材料的制备方法，其特征在于，所述的高聚物包含聚酰亚胺、聚偏氟乙烯、聚乙烯醇中的任意一种或任意两种以上的混合。7.如权利要求1所述的低介电损耗负介材料的制备方法，其特征在于，在步骤3之后且步骤4之前，还包含研磨步骤，以将agnws均匀分散在基体中。8.如权利要求1所述的低介电损耗负介材料的制备方法，其特征在于，步骤4中，成型温度范围为25
‑
150℃，压力设置范围为15
‑
25mpa，保压时间设置为2
‑
5min。9.如权利要求1所述的低介电损耗负介材料的制备方法，其特征在于，agnws/pi复合材料中，agnws的质量含量为2.5％～7％。10.一种采用权利要求1
‑
9中任意一项所述的制备方法制得的低介电损耗负介材料，其特征在于，其为采用均匀掺杂功能相的基体材料压制构成的复合材料，其中，基体材料采用高聚物，功能相采用高长径比的agnws，agnws在复合材料中的质量含量不高于7％。

技术总结
本发明公开了一种低介电损耗负介材料及其制备方法，该方法包含以下步骤：步骤1，制备AgNWs乙醇浆料，其中，AgNWs具有高长径比；步骤2，将作为基体的高聚物粉末分散在乙醇溶液中，得到基体浆料；步骤3，将AgNWs浆料与基体浆料按比例混合，干燥；其中，AgNWs在混合物中的质量含量不高于7％；步骤4，压制成型，制备得到低介电损耗负介材料。本发明利用AgNWs具有的高长径比特性，容易在材料内部形成逾渗网络，获得低逾渗阈值，进而有效降低介电损耗。特别地，当AgNWs的含量达到7wt.％，复合材料表现出低的介电损耗，其损耗正切角在GHz频段内低于0.1，在满足下一代电子设备和系统要求方面有着重要意义。着重要意义。着重要意义。


技术研发人员：范润华 王宗祥 孙凯 何麒发 杨鹏涛 段文欣 田加红
受保护的技术使用者：上海海事大学
技术研发日：2021.09.06
技术公布日：2021/12/3