MOS管高速高可靠性DFN封装引线框架及MOS管的制作方法

mos管高速高可靠性dfn封装引线框架及mos管
技术领域
1.本实用新型涉及技术领域，尤其涉及一种mos管高速高可靠性dfn封装引线框架及dfn封装的mos管。


背景技术：

2.随着电子产品微小型、便携式的快速发展，例如智能手表、蓝牙耳机、小型检测设备等，再加上集成电路行业本身的成本方面的考虑，集成电路也快速向体积更小更薄的dfn、qfn产品发展。一部分厂家更直接要求封装厂将原先体积较大的sop8l产品设计封装成dfn、qfn产品，比如传统的一种mos管采用sop8l封装的体积为4.9*3.9*1.55mm，具体如图1和图2所示，每条引线框架上的引线框架单元数量仅为256粒，生产效率低，生产成本高，这对于封装厂来讲提出了更高的设计及制程可靠性要求。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种mos管高速高可靠性dfn封装引线框架及dfn封装的mos管，采用dfn封装，体积小巧，而且降低了成本。
4.本实用新型是这样实现的：一种mos管高速高可靠性dfn封装引线框架，包括引线框架单元、支撑筋和切割道，每个引线框架单元至少包括一个基岛和两排管脚，两排管脚分布在基岛的二侧，所述基岛与部分管脚通过连筋连接。
5.其中，所述引线框架的基材为铜，上表层镀银。
6.其中，单条引线框架尺寸为258mm*78mm，承载的引线框架单元数量为2856粒，基岛尺寸为2.8*1.8mm。
7.其中，所述基岛两边均设有4个管脚，其中一排管脚的4个管脚均与基岛通过连筋连接。
8.其中，与基岛连接的4个管脚之间还通过侧面连筋半连接，另外一排管脚中的3个管脚之间也通过侧面连筋半连接，所述侧面连筋底面为半蚀刻。
9.本实用新型提供的另一种技术方案为：一种dfn封装的mos管，包括基岛、两排管脚、mosfet芯片、金属线和塑封体，两排管脚分布在基岛的二侧，所述基岛与部分管脚通过连筋连接，所述mosfet芯片通过导电胶固定在基岛上，基岛形成一个电路端口，mosfet芯片还通过金属线与其它管脚实现电气连接，所述塑封体用于包裹并保护基岛、管脚、mosfet芯片和金属线。
10.其中，所述mos管的封装尺寸为3.3*3.3*0.75mm。
11.其中，所述基岛两边均设有4个管脚，其中一排管脚中的4个管脚通过连筋与基岛连接。
12.其中，与基岛连接的4个管脚之间还通过侧面连筋半连接，另外一排管脚中的3个管脚之间也通过侧面连筋半连接，所述侧面连筋底面为半蚀刻。
13.其中，所述基岛和管脚的下表面露出塑封体，形成散热面。
14.本实用新型的有益效果为：采用dfn封装后，体积大幅变小，单个引线框架上承载的引线框架单元数量也大幅增加，极大的减少了塑封料、金属线、电镀等物料成本，提高了生产效率，能产生丰厚的利润回报。由于mos管发热量大，产品散热不良容易导致mos管的损坏，为了保证产品的可靠性，需要考虑散热问题，本技术人不使用普通dfn引线框架的基岛与管脚分离的设计方案，而是把基岛与部分管脚通过连筋连接，mosfet芯片产生的热量首先传导到基岛，基岛再通过这些管脚快速传导出来，相当于增大了散热面积，增强了产品整体散热性能，另外dfn封装超薄的封装厚度，也更利于产品的整体散热，满足了mos管产品的特殊散热要求，提高了产品寿命和可靠性。
附图说明
15.图1是现有技术中sop8l封装结构的俯视图；
16.图2是现有技术中sop8l封装结构的侧视图；
17.图3是本实用新型所述mos管高速高可靠性dfn封装引线框架的结构示意图(正面)；
18.图4是本实用新型所述mos管高速高可靠性dfn封装引线框架的结构示意图(背面)；
19.图5是本实用新型所述dfn封装的mos管的剖面示意图；
20.图6是本实用新型所述dfn封装的mos管的立体图。
21.1、引线框架单元；11、基岛；12、管脚；13、连筋；14、侧面连筋；15、支撑筋；16、切割道；2、mosfet芯片；3、金属线；4、塑封体；5、导电胶。
具体实施方式
22.为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
23.作为本实用新型所述mos管高速高可靠性dfn封装引线框架的实施例，如图3和图4所示，包括引线框架单元1、支撑筋15和切割道16，每个引线框架单元1至少包括一个基岛11和两排管脚12，两排管脚12分布在基岛11的二侧，所述基岛11与部分管脚12通过连筋13连接。
24.作为本实用新型所述dfn封装的mos管的实施例，如图5和图6所示，包括基岛11、两排管脚12、mosfet芯片2、金属线3和塑封体4，两排管脚12分布在基岛11的二侧，所述基岛11与部分管脚12通过连筋13连接，所述mosfet芯片2通过导电胶5固定在基岛11上，基岛11形成一个电路端口，mosfet芯片2还通过金属线3与其它管脚实现电气连接，所述塑封体4用于包裹并保护基岛11、管脚12、mosfet芯片2和金属线3。
25.采用dfn封装后，体积大幅变小，单个引线框架上承载的引线框架单元1数量也大幅增加，极大的减少了塑封料、金属线、电镀等物料成本，提高了生产效率，能产生丰厚的利润回报。由于mos管发热量大，产品散热不良容易导致mos管的损坏，为了保证产品的可靠性，需要考虑散热问题，本技术人不使用普通dfn引线框架的基岛与管脚分离的设计方案，而是把基岛11与部分管脚12通过连筋13连接，mosfet芯片2产生的热量首先传导到基岛11，
基岛11再通过这些管脚12快速传导出来，相当于增大了散热面积，增强了产品整体散热性能，另外dfn封装超薄的封装厚度，也更利于产品的整体散热，满足了mos管产品的特殊散热要求，提高了产品寿命和可靠性。
26.在本实施例中，所述引线框架的基材为铜，上表层镀银(图3中沙点部分为镀银区)。可以增加mosfet芯片2与基岛11之间的导电性能。
27.在本实施例中，单条引线框架尺寸为258mm*78mm，承载的引线框架单元1数量为2856粒，相比原来sop8l封装结构，数量增加11倍，基岛尺寸为2.8*1.8mm，能够满足最大2.7*1.77mm芯片尺寸的mos管产品的应用。在本实施例中，所述基岛两边均设有4个管脚，其中一排管脚的4个管脚均与基岛通过连筋连接。所述mos管的封装尺寸为3.3*3.3*0.75mm。相对sop8l封装结构，体积缩小至27％。
28.在本实施例中，与基岛11连接的4个管脚之间还通过侧面连筋14半连接，另外一排管脚中的3个管脚之间也通过侧面连筋14半连接，所述侧面连筋14底面为半蚀刻(如图4中阴影部分所示)。在塑封时有塑封料注入，形成锁扣型结构，增强了基岛部分与塑封体部分的结合强度，进而增强整体产品的抗分层能力。
29.在本实施例中，所述基岛11和管脚12的下表面露出塑封体4，形成散热面，能够与应用端的pcb板紧密接触，也增强了产品整体散热性能。
30.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。