发光器件、发光装置、电子设备及照明装置的制作方法

技术特征：
1.一种发光器件，包括：阳极；阴极；以及位于所述阳极和所述阴极之间的el层,其中，所述el层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，所述空穴注入层包含空穴传输材料及电子接收性材料，所述电子传输层包含电子传输材料和碱金属、碱土金属、碱金属或碱土金属的化合物或配合物，并且，通过esr法测得的所述空穴注入层的自旋密度为1
×
10
19
spins/cm3以下。2.一种发光器件，包括：阳极；阴极；以及位于所述阳极和所述阴极之间的el层,其中，所述el层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，所述空穴注入层包含空穴传输材料及电子接收性材料，所述电子传输层包含电子传输材料以及具有8
‑
羟基喹啉结构的配体和一价的金属离子的金属配合物，并且，通过esr法测得的所述空穴注入层的自旋密度为1
×
10
19
spins/cm3以下。3.一种发光器件，包括：阳极；阴极；以及位于所述阳极和所述阴极之间的el层,其中，所述el层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，所述空穴注入层包含空穴传输材料及电子接收性材料，所述电子传输层包含电子传输材料以及具有8
‑
羟基喹啉结构的配体的锂配合物，并且，通过esr法测得的所述空穴注入层的自旋密度为1
×
10
19
spins/cm3以下。4.一种发光器件，包括：阳极；阴极；以及位于所述阳极和阴极之间的el层,其中，所述el层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，所述空穴注入层包含空穴传输材料及电子接收性材料，所述电子传输层包含电子传输材料，所述电子传输材料的homo能级为
‑
6.0ev以上，并且，通过esr法测得的所述空穴注入层的自旋密度为1
×
10
19
spins/cm3以下。5.一种发光器件，包括：阳极；阴极；以及位于所述阳极和所述阴极之间的el层,
其中，所述el层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，所述空穴注入层包含空穴传输材料及电子接收性材料，所述电子传输层包含电子传输材料，所述电子传输材料为具有蒽骨架的有机化合物，并且，通过esr法测得的所述空穴注入层的自旋密度为1
×
10
19
spins/cm3以下。6.一种发光器件，包括：阳极；阴极；以及位于所述阳极和所述阴极之间的el层,其中，所述el层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，所述空穴注入层包含空穴传输材料及电子接收性材料，在所述电子传输层的电场强度[v/cm]的平方根为600时的电子迁移率为1
×
10
‑7cm2/vs以上且5
×
10
‑5cm2/vs以下，并且，通过esr法测得的所述空穴注入层的自旋密度为1
×
10
19
spins/cm3以下。7.一种发光器件，包括：阳极；阴极；以及位于所述阳极和所述阴极之间的el层,其中，所述el层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，所述空穴注入层包含空穴传输材料及电子接收性材料，所述电子传输层包含电子传输材料和碱金属、碱土金属、碱金属或碱土金属的化合物或配合物，在所述电子传输层中，与所述阴极一侧的区域相比，所述发光层一侧的区域具有所述碱金属、所述碱土金属、所述碱金属或碱土金属的化合物或配合物的浓度高的部分，所述电子传输层包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于所述发光层和所述第二区域之间，所述第一区域与所述第二区域的所述碱金属、所述碱土金属、所述碱金属或碱土金属的化合物或配合物的浓度不同，并且，通过esr法测得的所述空穴注入层的自旋密度为1
×
10
19
spins/cm3以下。8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第一区域中的所述碱金属、所述碱土金属、所述碱金属或碱土金属的化合物或配合物的浓度高。9.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述电子传输层包括多个层，并且所述第二区域中的所述碱金属、所述碱土金属、所述碱金属或碱土金属的化合物或配合物的浓度高。10.根据权利要求8至9中任一项所述的发光器件，其中所述第一区域或所述第二区域中的所述碱金属、所述碱土金属、所述碱金属或碱土金属的化合物或配合物的浓度为0。
11.根据权利要求1至8中任一项所述的发光器件，其中所述电子接收性材料是对所述空穴传输材料呈现电子接收性的材料，并且所述空穴传输材料的homo能级为
‑
5.7ev以上且
‑
5.4ev以下的有机化合物。12.根据权利要求1至11中任一项所述的发光器件，其中在所述空穴传输材料的电场强度[v/cm]的平方根为600时的空穴迁移率为1
×
10
‑3cm2/vs以下。13.根据权利要求1至12中任一项所述的发光器件，其中所述el层在所述空穴注入层和所述发光层之间包括空穴传输层。14.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述空穴传输层具有如下两层结构：位于所述空穴注入层一侧的第一空穴传输层及位于所述发光层一侧的第二空穴传输层。15.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述第二空穴传输层兼作电子阻挡层。16.根据权利要求1至15中任一项所述的发光器件，其中所述发光层包含主体材料及发光中心材料，并且所述电子传输材料的电子迁移率小于所述主体材料的电子迁移率。17.根据权利要求16所述的发光器件，其中所述发光中心材料呈现荧光发光。18.根据权利要求16所述的发光器件，其中所述发光中心材料呈现蓝色的荧光发光。19.一种电子设备，包括：权利要求1至18中任一项所述的发光器件；以及传感器、操作按钮、扬声器或麦克风。20.一种发光装置，包括：权利要求1至18中任一项所述的发光器件；以及晶体管或衬底。21.一种照明装置，包括：权利要求1至18中任一项所述的发光器件；以及外壳。

技术总结
本发明的一个方式提供一种新颖的发光器件。另外，提供一种发光效率良好的发光器件。另外，提供一种寿命长的发光器件。此外，提供一种驱动电压低的发光器件。本发明的一个方式提供一种发光器件，该发光器件包括阳极、阴极及位于上述阳极和上述阴极之间的EL层，上述EL层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，空穴注入层包含空穴传输材料及电子接收性材料，上述电子传输层包含电子传输材料和碱金属、碱土金属、碱金属或碱土金属的化合物或配合物，通过ESR法测得的上述空穴注入层的自旋密度为1


技术研发人员：奥山拓梦 濑尾广美 桥本直明 泷田悠介 铃木恒德 濑尾哲史
受保护的技术使用者：株式会社半导体能源研究所
技术研发日：2020.04.13
技术公布日：2021/12/3