一种使用等离子实现刻蚀或镀膜的半导体设备的制作方法

技术特征：
1.一种使用等离子实现刻蚀或镀膜的半导体设备，其特征在于：包括腔室(1)、分子泵(6)、顶针机构(7)、内衬(50)、上射频匹配器(13)、下射频匹配器(9)；所述腔室(1)的上部为开口，其开口处设有腔盖(10)，腔盖(10)上分布有若干供工艺气体注入的气孔，所述腔盖(10)与腔室(1)开口之间安装有耦合窗(11)，腔盖(10)的上表面分布有线圈(12)，所述上射频匹配器(13)的两级分别连接线圈(12)的两端；所述腔室(1)的底部中心位置开有孔洞，孔洞处向腔室(1)内方向延伸设有筒状结构，该筒状结构位于腔室(1)内的筒口覆盖有电极(2)，电极(2)上放置有晶圆(3)，所述顶针机构(7)安装在电极(2)下表面，所述下射频匹配器(9)安装在腔室(1)下部，下射频匹配器(9)与电极(2)之间具有射频柱(8)，射频柱(8)穿过筒状结构；所述腔室(1)的侧壁上部设有可开闭的进出槽口(101)，侧壁下部设有出气口，该出气口与分子泵(6)之间连接有抽气管道(4)；所述腔室(1)内还设有用于隔离上下部分的内衬(50)，所述内衬(50)为环形结构，该环形结构的外圆一周连接于腔室(1)的内壁，该环形结构的内圆一周连接于筒状结构的外壁，所述内衬(50)上分布有气孔，所述进出槽口(101)位于内衬(50)上方，所述出气口位于内衬(50)下方。2.根据权利要求1所述的一种使用等离子实现刻蚀或镀膜的半导体设备，其特征在于：所述电极(2)靠近出气口的位置设有用于延缓晶圆(3)位置气流流向出气口的延缓结构。3.根据权利要求2所述的一种使用等离子实现刻蚀或镀膜的半导体设备，其特征在于：所述延缓结构为置于内衬(50)上的遮挡部(501)，遮挡部(501)半包裹于电极(2)侧面，遮挡部(501)的上部为凹陷部(502)，该凹陷部(502)的靠近晶圆(3)的一侧为低侧端，背离晶圆(3)的一侧为高侧端，低侧端与晶圆(3)的高度持平，凹陷部(502)的高侧端与低侧端之间的截面为流线形。4.根据权利要求3所述的一种使用等离子实现刻蚀或镀膜的半导体设备，其特征在于：所述遮挡部(501)内设有至少一条调节气孔，调节气孔包括相互连通的斜孔(510)和直孔(520)，所述直孔(520)对应内衬(50)上的气孔，所述斜孔(510)连通至遮挡部(501)的挖侧面。5.根据权利要求2所述的一种使用等离子实现刻蚀或镀膜的半导体设备，其特征在于：所述延缓结构包括导向板(600)、气缸(650)、波纹管(651)，所述导向板(600)的板面为弧面结构，所述波纹管(651)位于腔室(1)的底部，气缸(650)连接于波纹管(651)，波纹管(651)与导向板(600)之间具有升降杆。

技术总结
本发明公开了一种使用等离子实现刻蚀或镀膜的半导体设备，包括腔室、分子泵、顶针机构、内衬、上射频匹配器、下射频匹配器；腔室上开口处设有腔盖，腔盖的上表面分布有线圈，腔室的底部向内方向延伸设有筒状结构，筒口覆盖有电极，电极上放置有晶圆，顶针机构安装在电极下表面，下射频匹配器安装在腔室下部；腔室的侧壁上部设有可开闭的进出槽口，侧壁下部设有出气口，出气口处为分子泵；腔室内设有内衬，内衬上分布有气孔，所述进出槽口位于内衬上方，所述出气口位于内衬下方。所述出气口位于内衬下方。所述出气口位于内衬下方。


技术研发人员：李娜 韩大健 张军 刘海洋 张瑶瑶 郭颂 程实然 许开东
受保护的技术使用者：江苏鲁汶仪器有限公司
技术研发日：2020.05.29
技术公布日：2021/12/2