一种测试座及其控制方法、测试装置及存储介质与流程

1.本技术涉及电学测试领域，特别是涉及一种测试座及其控制方法、测试装置及存储介质。


背景技术：

2.完成封装的芯片、半导体等电子器件，出厂前都需要利用测试座进行电学测试以确保产品品质，而电子器件的工作往往伴随着热量的产生，因此，为了适应电子器件的实际工作条件，电子器件的测试需要为其创造温度条件。
3.现有测试设备的高低温控制主要有以下几种方式：(1)热量辐射法：此方法通过高低温箱的热辐射方式对待测器件进行烘烤或制冷；(2)空气对流法：在封闭测试系统内形成高低温气流从而进行温度控制；(3)表面传导法：将导热体通过直接接触的方式按压在待测器件表面。


技术实现要素：

4.本技术主要解决的技术问题是提供一种测试座及其控制方法、测试装置及存储介质，能够解决现有技术中进行器件测试时无法针对待测器件进行温度调节和检测的问题。
5.提供一种测试座，该测试座包括底座、盖体和温控组件。其中，底座上设置有测试组件和弹针，盖体连接所述底座，且可相对于所述底座转动形成盖合状态或分离状态，所述盖体朝向所述底座的一侧设置有压块，用于在所述底座和所述盖体呈盖合状态时，对所述底座上放置的待测件进行按压，以使所述待测件与所述测试组件接触，温控组件设置于所述盖体和所述压块之间，用于通过所述压块进行热传导，对所述待测件进行温度检测和温度控制，并在所述底座和所述盖体呈盖合状态时，接触所述弹针以通过所述弹针连接外部测试电路板。
6.为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是：提供一种测试座的控制方法，其中，测试座用于对待测芯片进行测试，所述测试座包括温控组件，所述温控组件用于对所述待测芯片进行温度测量和温度调节，控制方法包括：利用所述温控组件对校准芯片进行温度调节；在温度调节过程中，利用所述校准芯片的温度自检功能，获取所述校准芯片的实际温度数据；以及，在温度调节过程中，利用所述温控组件测量所述校准芯片的测量温度数据；利用所述实际温度数据和所述测量温度数据，对所述测试座进行标准判断。
7.为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是：提供一种测试装置，所述测试装置包括处理器以及与所述处理器连接的存储器，其中，所述存储器中存储有程序数据，所述处理器用于执行所述程序数据以实现上述方法中的步骤。
8.为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是：提供一种计算机可读存储介质，所述计算机存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被执行时实现上述方法中的步骤。
9.本技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本技术通过将测试组件设置在底
座，将温控组件设置在上盖，当进行待测器件的测试时，将待测器件放置在底座的测试组件上，将上盖与底座进行盖合，温控组件的热量通过压块直接传导至待测器件，实现对待测器件的温度控制和温度检测，能够最大限度避免热量的散失，对待测器件的温度进行精确控制，且测试座结构简单，易于操作。
附图说明
10.图1是本技术测试座一实施例的结构示意图；
11.图2是本技术图1的温控组件一实施例的结构示意图；
12.图3是本技术图1的压块一实施例的结构示意图
13.图4是本技术图1的底座一实施例的结构分解示意图；
14.图5是本技术测试座另一实施例的结构分解示意图；
15.图6是本技术隔热支撑件与隔热凹槽配合一实施例的剖面图；
16.图7是本技术测试座的控制方法一实施例的流程示意框图；
17.图8是本技术测试座的控制方法另一实施例的流程示意框图；
18.图9是本技术测试座的控制方法又一实施例的流程示意框图；
19.图10是本技术测试装置一实施例的电路结构示意框图；
20.图11是本技术计算机可读存储介质一实施例的电路结构示意框图。
具体实施方式
21.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
22.本技术中的术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。此外，术语“包括”和“具有”以及他们任何形变，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
23.在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解是，本文所描述的实施例可以与其他实施例结合。
24.本技术的测试座被设计为用于芯片、半导体、模组等电学元件的电学测试。请参阅图1，图1为本技术测试座一实施例的结构示意图。测试座100包括底座10、盖体20和温控组件30。
25.底座10上设置有测试组件101和弹针102，盖体20可转动连接底座10，使得盖体20可相对于底座10转动形成盖合状态或分离状态，盖体20朝向底座10的一侧设置有压块40，测试组件101与外部测试电路连接，将待测件进行测试时，待测件被放置于测试组件101上，
待测件的一面与测试组件贴合，盖体20与底座10盖合，压块40与待测件另一面贴合并压住待测件，使得待测件与测试组件充分接触，以成功完成对待测件的测试操作。
26.本实施例设置一温控组件30，利用温控组件30对待测件进行温度检测和温度控制。
27.温控组件30设置于盖体20和压块40之间，其上设置有温度控制单元和温度检测单元，温度控制单元通过压块40进行热传导，以对待测件进行温度控制，温度检测单元可压块40的热传导来采集待测件的温度，以作为温度控制的反馈数据以及校准数据。
28.可选地，压块40为导热性能良好的材料制成，例如，由铝合金材料制成。
29.在一可选的实施例中，在对待测件进行测试时，需要使待测件保持在设定的温度范围内，考虑到环境温度并不能满足测量要求，则采用温控组件30来实现。具体地，在对待测件进行测试时，先通过温度控制单元对压块40进行加热，并通过压块40进行热传导，由于压块40与待检测接触，以实现对待检测的加热。同时，温度检测单元也通过压块40的热传导对待测件进行温度检测。进一步，温度控制单元还根据温度检测单元采集的温度值，调整加热强度。例如，在待测件温度较低时，以一个较高的功率进行加热，在待测件温度满足要求时，停止加热或者以一个较低的功率加热。
30.参阅图2，图2为本技术图1的温控组件一实施例的结构示意图。
31.温控组件30包括电路板301、焊点302、温度控制单元303和温度检测单元304。其中，电路板301上设置有多个焊点302，温度控制单元303和温度检测单元304均集成于电路板301，且均连接多个焊点302，温度控制单元303可与外部电路板进行电连接后发出热量，用于对待测件进行温度控制，温度检测单元304用于对待测件进行温度检测。
32.可选地，温控组件30设置有焊点302、温度控制单元303、温度检测单元304的一面朝向压块40，温控组件30设置为仅部分被压块40覆盖，设置有焊点302的部分不被压块40覆盖，且焊点302与弹针102对应设置，盖体20和底座10盖合时，焊点302接触弹针102，温度控制单元303和温度检测单元304通过焊点302和弹针102与外部电路连接，以通过外部电路控制温度控制单元303和温度检测单元304进行温度控制、温度检测的操作。
33.在一实施例中，温度控制单元303至少包括发热片，温度检测单元304至少包括温度传感器，温度传感器与压块40之间设置有第一导热硅胶，发热片和压块40之间设置有第二导热硅胶，第二导热硅胶用于将发热片产生的热量传导至压块40，再通过压块40传导至待测件，以实现对待测件的温度控制。第一导热硅胶用于和压块40进行热传导，以使温度传感器采集到待测件的温度，从而反馈待测件的温度信息。
34.可选地，温控组件30设置有温度传感器和发热片的部分被压块40完全覆盖，第一导热硅胶的第一面贴合并完全覆盖温度传感器，第二面贴合于压块40，第二导热硅胶的第一面贴合并完全覆盖发热片，第二面贴合于压块40。这样一来，第一导热硅胶与温度传感器和压块40充分贴合，第二导热硅胶与发热片和压块40充分贴合，大大提升了温度传感器与压块40之间和发热片与压块40之间的热传导效率，使得发热片产生的热量能够更快更充分地传递到待测件，对待测件的温度控制更为准确，采集到的待测件温度也更为准确。
35.可选地，为提高导热效率，第一导热硅胶和第二导热硅胶均采用3mm的导热硅胶片。另外，也可以采用导热硅脂等其他热导率高的导热介质。
36.参阅图3，图3为本技术图1的压块一实施例的结构示意图。
37.压块40设计成包围式结构，包括第一侧边402、第二侧边403、贴合面401，贴合面401与温控组件30贴合，便于将热量传导，第一侧边402和第二侧边403对温控组件30形成包围作用，一方面，能更好地固定住温控组件30，另一方面，温控组件30散发的热量能被第一侧边402、第二侧边403阻挡，防止热量散发过快，使得测试座100的温度控制更稳定。
38.贴合面401的另外两侧为开口设计，温控组件30设置有温度检测单元和温度控制单元的部分被设置于贴合面处，温控组件30设置有焊点302的部分通过开口延伸至压块40之外，以便在盖体20盖合时，焊点302与弹针102接触，从而与外部电路实现电性连接。
39.请参阅图4，图4为本技术图1的底座一实施例的结构分解示意图。
40.底座10包括导框103、上针板104、下针板105、测试针106、弹针102。底框形成第二凹槽，第二凹槽包括第一部分108和第二部分107，导框103容置于第二凹槽第一部分108，导框103形成一开口1031，开口1031用于容置待测件。
41.下针板105包括第一针孔部1051和第二针孔部1052，上针板104包括第三针孔部1041和第四针孔部1042，第一针孔部1051、第二针孔部1052、第三针孔部1041、第四针孔部1042均设置有多个针孔，第一针孔部1051与第三针孔部1041对应设置，用于容置测试针106，以固定测试针106，测试针106部分露出上针板104，以形成图1的测试组件101，当要进行待测件的测试时，测试针106露出上针板104的部分接触待测件，将待测件与外部电路板进行电连接。第二针孔部1052和第四针孔部1042对应设置，用于容置弹针102，以固定弹针102，弹针102部分露出上针板104。第四针孔部1042为一凸起部，设置有多个与第四针孔部1042的针孔相对应的针孔。
42.第一针孔部1051和第三针孔部1041均对应于导框103形成的开口设置，以便待测件通过导框103的开口准确放置在测试组件101上。第二针孔部1052和第四针孔部1042对应于第二凹槽的第二部分107，且第四针孔部1042容置于第二凹槽的第二部分107。
43.请参阅图5，图5为本技术测试座另一实施例的结构分解示意图。
44.测试座100包括底座10、盖体20、温控组件30和隔热组件50，隔热组件50设置于盖体20和温控组件30之间。
45.盖体20靠近所述隔热组件50的一侧开设第一凹槽201，隔热组件50容置于第一凹槽201中，温控组件30和压块40固定在隔热组件50上，而不与盖体20直接接触，从而避免温控组件30的热量直接传递至盖体20。
46.可选地，压块40靠近所述盖体20的一侧开设有多个螺纹孔，所述温控组件30对应于所述螺纹孔的位置开设有多个通孔，螺丝与多个螺纹孔和通孔配合，将所述温控组件30螺接固定于所述压块40上。
47.可选地，温控组件30设置有温度检测单元和温度控制单元的部分被压块40完全覆盖，温度检测单元与压块40之间设置有第一导热硅胶，温度控制单元和压块40之间设置有第二导热硅胶，第一导热硅胶和第二导热硅胶均采用3mm的导热硅胶片，第一导热硅胶的第一面贴合并完全覆盖温度传感器，第二面贴合于压块40，第二导热硅胶的第一面贴合并完全覆盖发热片，第二面贴合于压块40。这样一来，第一导热硅胶与温度传感器和压块40充分贴合，第二导热硅胶与发热片和压块40充分贴合。第二导热硅胶用于将温度控制单元产生的热量传导至压块40，再通过压块40传导至待测件，以实现对待测件的温度控制，第一导热硅胶用于和压块40进行热传导，以使温度检测单元采集到待测件的温度，从而将待测件的
温度信息反馈到测试系统，以监测试座是否正常工作，或者，将反馈的温度信息作为下一步温度调节的参考性数据来进行温度调节。
48.进一步地，隔热组件50包括隔热片501和隔热支撑件502，隔热片501靠近所述盖体20的一侧形成有第一隔热凹槽(图未示出)，隔热支撑件502包括第一端和第二端，其中，隔热支撑件502的第一端容置于第一隔热凹槽中并与第一隔热凹槽底部相抵接，隔热支撑件502的第二端与第一凹槽201的底面相抵接，且隔热支撑件502的长度大于第一隔热凹槽的深度，以使隔热片501不接触到所述盖体20的内表面，进一步增强了隔热效果。
49.在另一实施例中，在第一凹槽201的底部形成有多个第二隔热凹槽202，隔热支撑件502的第一端容置于第二隔热凹槽202中并与第二隔热凹槽202底部相抵接，隔热支撑件502的第二端与隔热片501相抵接，同样的，隔热支撑件502的长度大于第二隔热凹槽202的深度，以使隔热片501不接触到所述盖体20的内表面。
50.参阅图6，图6为本技术隔热支撑件与隔热凹槽配合一实施例的剖面图。本实施例中，在第一凹槽201的底部形成有第二隔热凹槽202，在隔热片501靠近盖体20的一侧形成有第一隔热凹槽503，隔热支撑件502的第一端容置于第二隔热凹槽202中并与第二隔热凹槽202底部相抵接，隔热支撑件502的第二端容置于第一隔热凹槽503中并与第一隔热凹槽503的底部相抵接，隔热支撑件502的长度大于第二隔热凹槽202和第一隔热凹槽503的深度之和，以使隔热片501不接触到所述盖体20的内表面，从而提高隔热组件50的隔热性能，使得温控组件30产生的热量难以通过固态介质传递到盖体20表面，第二隔热凹槽202和第一隔热凹槽503的配合作用能使隔热支撑件502更为稳定地支撑隔热片501。
51.可选地，隔热支撑件502可为弹簧。具体而言，盖体20靠近隔热组件50的一侧开设有多个螺纹孔，隔热组件50的对应位置开设有多个通孔，通过螺钉与螺纹孔和通孔配合，将隔热组件50固定在盖体20上，弹簧的第一端容置于第二隔热凹槽202中并与第二隔热凹槽202底部相抵接，隔热支撑件502的第二端容置于第一隔热凹槽503中并与第一隔热凹槽503的底部相抵接。本实施例在隔热组件50被固定在盖体20上后，弹簧位于隔热组件50和盖体20之间，且呈压缩状态，由于弹簧为可伸缩元件，呈压缩状态的弹簧有反弹的趋势，可以支撑隔热片501远离盖体20。应理解，本实施例中的弹簧在被安装好后呈被压缩状态，且在此状态下弹簧的长度大于第二隔热凹槽202和第一隔热凹槽503的深度之和，以使隔热片501不接触到所述盖体20的内表面。
52.本实施例的底座10包括的组成部分和各部分的配合与上一实施例相同，不再进行过多说明。
53.可选地，隔热片501为耐高温塑料所制成。
54.以下将对本实施例的测试座100的工作原理进行详细描述。在测试座进行对芯片等的测试工作时，待测件被放置在底座10的测试组件101上，将盖体20向下与底座10盖合，压块40接触待测件并对待测件实施按压，使待测件与测试组件101充分贴合，待测件通过测试组件101上的测试针106与测试电路实现电性连接，以对待测件进行电学测试。焊点302接触设置于底座10的弹针102，温控组件30上与焊点302连接的温度控制单元303和温度检测单元304，通过弹针102与外部控制电路连接，温度控制单元303被控制发热，发出的热量经第二导热硅胶传导至压块40，再传导至待测件，为待测件创造适宜的温度环境，以全方位检测待测件的性能。温度检测单元304可在测试待测件时对待测件的温度进行检测，以监测测
试座是否正常工作，以及，将测得的温度信息进行反馈以作为调节温度的依据。隔热组件50对热量传导起到了良好的阻断作用，让盖体20在测试座100工作的过程中免于发烫，降低人工操作的危险性以及不便操作性。
55.进一步地，盖体20的外表面由低热传导材料制成，例如，使用peek陶瓷制成。
56.peek陶瓷，由peek(聚醚醚酮)与陶瓷复合而成的复合材料，其主要具有尺寸稳定性、热稳定性、高强度、高刚度、低吸湿性、特殊的耐腐蚀性、低热导性，能够在很宽的温度范围内保持一致的力学性能，性能不受重复热变化的影响，具有比其他未填充高性能聚合物超过一倍的拉伸强度和弯曲模量，同时相比传统的玻璃和碳纤维材料具有较低的残余应力水平。peek陶瓷材料的低导热性能够使得盖体20表面维持较低温的状态，避免盖体20表面温度过高给人工操作带来不便。
57.本技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本技术通过将测试组件设置在底座，将温控组件设置在上盖，当进行待测器件的测试时，将待测器件放置在底座的测试组件上，将上盖与底座进行盖合，温控组件的热量通过压块直接传导至待测器件，实现对待测器件的温度控制和温度检测，能够最大限度避免热量的散失，对待测器件的温度进行精确控制，且测试座结构简单，易于操作。
58.上述的测试座在生产完毕后投入使用前均需对温控组件进行温度校准，在测试座投入使用后也要对测试座进行维护。
59.温控组件的电路板上还集成了数据存储单元，数据存储单元用于存储温度检测单元测得的温度信息以及温控组件的规格信息等。
60.具体而言，由于温控组件检测到的待测器件的温度与待测器件实际的温度值可能存在偏差，使得测试系统获得的待测器件的温度值与实际要达到的温度值存在偏差，以至于待测器件不能在预先设置的温度下进行测试，从而待测器件的测试结果也将偏离，无法准确完成测试，测试座的测试效果大大降低。为使测试座为待测器件提供更加准确的温度控制，对测试座进行温度校准。
61.参阅图7，图7为本技术测试座的控制方法一实施例的流程示意框图。其所示为温度校准流程，步骤如下：
62.s11，利用温控组件对校准芯片进行温度调节。
63.温度校准环节使用到校准芯片，校准芯片具有温度自检功能，可以测量芯片自身的温度。在一可选的实施例中，此步骤可以包括步骤a1～a2：
64.步骤a1：获取校准温度数据。
65.步骤a2：利用温控组件基于校准温度数据，对校准芯片进行温度调节，以使实际温度数据符合校准温度数据。
66.其中，校准温度为待测器件在利用测试座进行电学测试时需要达到的温度，是温度校准的标准。在温控组件对校准芯片进行温度调节的过程中，利用校准芯片的温度自检功能实时监测校准芯片的温度，以使校准芯片的温度达到校准温度。
67.s12，利用校准芯片的温度自检功能，获取校准芯片的实际温度数据，以及，利用温控组件测量校准芯片的测量温度数据。
68.具体地，当校准芯片的实际温度达到校准温度时，获取校准芯片的实际温度数据，通过温控组件上的温度检测单元对校准芯片进行温度测量获得测量温度数据。
69.s13，利用实际温度数据和测量温度数据，对测试座进行标准判断。
70.具体地，如果校准芯片的实际温度数据和测量温度数据之间的差异小于预设阈值，则表明温控组件检测到的校准芯片的值与校准芯片的实际值差别不大，判断测试座符合预设标准。否则，需进行温度校准。
71.温度校准需将实际温度数据与测量温度数据的差值生成温度补偿数据，将温度补偿数据写入测试座，以利用此温度补偿数据来补偿实际温度数据和测量温度数据之间的差异。
72.进一步地，如果校准芯片的实际温度数据和测量温度数据之间的差异大于某预设值，则表明测试座存在较大缺陷，仅仅进行温度校准无法弥补此缺陷，应当视情况进行维修或报废。
73.区别于现有技术，本实施例提供的测试座中为了考虑到温度的提供和检测不对待测芯片造成影响，采用压块的热传导的方式进行温度的检测和调节，因此，可能会出现温度检测和调节不准确的问题，在本实施例提供的控制方式中，采用校准芯片对温度进行自检，并结合测量温度进行校正，能够在进行压块热传导的温度间接测量时，提高温度检测的准确性，进一步使得测试座能够精准的控制待测芯片的温度。
74.进一步地，为了对温控组件的性能及寿命做出判断，本技术提供另一实施例，请参阅图8，图8为本技术测试座的控制方法另一实施例的流程示意框图。具体步骤如下：
75.s21，获取校准温度数据。
76.s22，利用温控组件基于校准温度数据，对校准芯片进行温度调节，以使实际温度数据符合校准温度数据。
77.步骤s21～s22与上一实施例的步骤a1～a2相同，不再赘述。
78.s23，获取校准芯片从温度调节开始时、至符合校准温度数据时的目标时长以及实际温度数据和测量温度数据。
79.具体地，当校准芯片的实际温度达到校准温度时，获取校准芯片的实际温度数据，通过温控组件上的温度检测单元对校准芯片进行温度测量而获得测量温度数据，并记录温控组件开始对校准芯片进行温度调节时，到校准芯片的温度符合校准温度时所需的时长(即目标时长)。
80.s24，判断目标时长是否小于设定时长。
81.若目标时长小于设定时长，则测试座符合预设标准，否则，判定测试座不符合预设标准。
82.s25，判定测试座不符合预设标准。
83.若目标时超出，则温控组件不符合规格，应更换新的温控组件，并对新的温控组件进行温度校准等操作。
84.可选地，温控组件的合格与否还与剩余寿命相关，对温控组件的剩余寿命判断如步骤b1～b3：
85.步骤b1：获取温控组件的总工作时长。
86.步骤b2：判断总工作时长是否达到预设工作时长。
87.步骤b3：若总工作时长未达到预设工作时长，则确定温控组件符合预设标准；若总工作时长达到预设工作时长，则确定温控组件不符合预设标准，以便对温控组件进行更换。
88.具体地，温控组件的工作时长数据被记录并存储于数据存储单元，通过将总工作时长和预设工作时长相比较来判断温控组件是否达到用尽寿命。若用尽寿命，则判断温控组件不符合预设标准，需要对温控组件进行更换。
89.s26，判断实际温度数据和测量温度数据之间的差异是否小于设定阈值。
90.如果实际温度数据和测量温度数据之间的差异小于设定阈值，则判定测试座符合预设标准，否则，判定测试座不符合预设标准，执行步骤s27。
91.s27，基于实际温度数据和测量温度数据的差异，得到温度补偿数据，并将温度补偿数据写入测试座。
92.温度补偿数据用于在测试座在进行温度测量时，利用温度补偿数据对测量温度数据进行补偿，使得补偿后的测量温度数据与实际温度数据一致。
93.可选地，在进行温度校准之前，需检测测试座是否被写入设备识别码，如果为检测到设备识别码，则将与测试座对应的唯一设备识别码写入测试座。设备识别码为识别测试座的唯一凭证，每个测试座的识别码都是唯一的，便于对测试座进行识别以监控测试座的各项参数。
94.可选地，出厂前还需对测试座的弹针进行寿命判定。弹针用于建立温控组件和外部控制电路的连接，每使用一次都会对弹针造成损耗。弹针的寿命判断步骤如下：
95.c1：获取弹针的使用次数；
96.c2：当使用次数小于预设次数时，确定弹针满足测量要求；
97.c3：当使用次数大于预设次数时，则确定弹针不满足测量要求。
98.其中，弹针的使用次数通过计数芯片计数完成，具体地，建立计数芯片与外部测试电路的通信连接，完成一次对待测器件的测试便在原先的使用次数的基础上加一，以获得最新的使用次数，如果使用次数小于预设次数，则弹针仍有效，满足测量要求，否则，使用次数超出预设次数，弹针不满足测量要求，提示测试系统对测试座进行报废处理。
99.测试座在使用过程中需进行设备检修。具体地，参阅图9，图9为本技术测试座的控制方法又一实施例的流程示意框图。步骤如下：
100.s31：获取温控组件的使用参数。
101.s32：基于使用参数确定温控组件是否符合预设标准。
102.上述步骤s31获取的使用参数包括温控组件的总工作时长、温控组件电流信息、温控组件电压信息、温控组件将待测芯片加热到测量温度数据值所需时长、温控组件将待测芯片加热到测量温度数据值过程中的温度波动情况中的至少一种。
103.根据以上获取的使用参数，如果温控组件的总工作时长达到预设工作时长/温控组件电流信息产生异常/温控组件电压信息产生异常/温控组件将待测芯片加热到测量温度数据值所需时长超出设定时长/控组件将待测芯片加热到测量温度数据值过程中的温度波动情况异常，均视为温控组件发生异常情况，温控组件不符合预设标准。
104.s33：若温控组件不符合预设标准，则生成违规信息，并将违规信息上报测试系统。
105.若温控组件发生异常，不符合预设标准，则根据相应的异常情况生成违规信息，例如违规信息可以是电流异常、电压异常、温控组件失效、温控组件工作异常中的至少一种。
106.违规信息被上报后，操作人员根据违规信息确定是否更换温控组件，若更换温控组件，则在更换温控组件后，清除测试座的设备识别码对应测试座原温控组件的相应数据，
清除的原温控组件的数据至少包括：温度补偿数据、温控组件工作的总时长数据。并执行步骤s11至步骤s13，对新组装的温控组件进行温度校准等操作。
107.如果步骤s32确定温控组件符合预设标准，则按照常规步骤对待测器件进行测试操作，同时根据测试时的工作参数更新温控组件的工作时长、弹针的使用次数、温控组件将待测器件加热到测量温度数据值所需时长，以便下一次自动进行设备检修时直接调用，保证测试座的正常运行。
108.参阅图10，图10为本技术测试装置一实施例的电路结构示意框图，移动设备包括相互耦接的处理器11和存储器12。存储器12中存储有计算机程序，处理器11用于执行计算机程序以实现如上述本技术测试座的控制方法实施例的步骤。
109.关于处理执行的各步骤的描述请参照上述本技术测试座的控制方法实施例的各步骤的描述，在此不再赘述。
110.在本技术的各实施例中，所揭露的测试座的控制方法和测试装置，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的测试装置的各实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
111.所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施方式方案的目的。
112.另外，在本技术各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
113.所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本技术的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中。
114.参阅图11，图11为本技术计算机可读存储介质一实施例的电路结构示意框图，计算机存储介质1000存储有计算机程序1001，计算机程序1001被执行时实现如上述本技术测试座的控制方法实施例的步骤。
115.计算机存储介质1000可以是u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read-only memory)、随机存取存储器(ram，random access memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
116.本实施例考虑到在芯片等器件的测试过程中，由于测试座本身存在温度传导的误差，无法通过结构的改进来消除，发明人经过反复试验发现：利用具备温度自检功能的芯片来模拟待测芯片来进行电学测试，能够同时获得校准芯片的实际温度(由温度自检功能实现)和测量温度(由温控组件对待测芯片进行温度测量实现)，结合实际温度和测量温度对温控组件的测量温度进行校准，以使温控组件的测量温度与芯片的实际温度保持一致，能
够有效提高温度检测的准确度，使得测试座的能够更加精准地控制芯片等待测器件的温度，提高测试座的性能，操作简便，效果显著。
117.以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。