技术特征：
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：处理容器，具有供气口，所述处理容器用以容纳被处理的晶圆；供气组件，连通于所述供气口，用以向所述处理容器内部供给气体；以及喷头，与所述供气口的位置对应设置；所述喷头具有多个喷孔，且沿轴向方向可旋转地设置在所述处理容器内，以使所述气体沿所述喷头的径向方向能够均匀分布，并通过所述多个喷孔均匀扩散至所述晶圆。2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述喷头为圆盘状结构。3.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述多个喷孔沿着所述喷头的径向方向呈辐射状布置。4.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述喷头的中心区域的位置与所述供气口的位置对应设置。5.根据权利要求4所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述喷头的旋转轴线与所述供气口的中心线重合设置。6.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆处理装置还包括射频电极，所述射频电极连接于所述处理容器，并能够与一外部射频电源连接，用以将所述气体离子化。7.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆处理装置还包括基座，所述基座设置在所述处理容器内部，用以承托所述晶圆。8.根据权利要求7所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述基座可旋转地设置在所述处理容器内部；其中，所述喷头的旋转方向与所述基座的旋转方向相反。9.根据权利要求7所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述基座还包括加热模块，用以加热所述晶圆。10.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，位于所述喷头的中心区域的所述喷孔的孔径小于位于所述喷头的边缘区域的所述喷孔的孔径。11.根据权利要求10所述的晶圆处理装置，其特征在于，位于所述喷头的径向方向上的多个所述喷头的孔径逐渐变小。12.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆处理装置为pecvd设备。13.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括：提供如权利要求1至12任一项所述的晶圆处理装置；将晶圆放置在所述晶圆处理装置的处理容器内；向所述处理容器内部供给气体，并旋转所述晶圆处理装置的喷头，以使所述气体沿所述喷头的径向方向能够均匀分布，并通过所述喷头的多个喷孔均匀扩散至所述晶圆。14.根据权利要求13所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆处理方法为等离子体增强化学气相沉积工艺。15.根据权利要求14所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积工艺的工艺温度为350℃～550℃。
技术总结
本发明公开一种晶圆处理装置及方法，晶圆处理装置包括处理容器、供气组件和喷头，处理容器具有供气口，处理容器用以容纳被处理的晶圆；供气组件连通于供气口，用以向处理容器内部供给气体；喷头与供气口的位置对应设置；喷头具有多个喷孔，且沿轴向方向可旋转地设置在处理容器内，以使气体沿喷头的径向方向能够均匀分布，并通过多个喷孔均匀扩散至晶圆。并通过多个喷孔均匀扩散至晶圆。并通过多个喷孔均匀扩散至晶圆。
技术研发人员：王素丽
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2021.09.01
技术公布日：2021/11/30
再多了解一些
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