一种降低像素光学串扰的Micro-LED显示器件的制作方法

技术特征：
1.一种降低像素光学串扰的micro
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led显示器件，其特征在于，包括：阵列基板；位于所述阵列基板一侧的发光结构，所述发光结构包括多个micro
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led发光元件，所述micro
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led发光元件与所述阵列基板绑定连接；所述发光结构包括氮化镓基外延层，所述氮化镓基外延层包括叠层设置的基底和发光功能层，所述基底位于所述发光功能层远离所述阵列基板的一侧；位于所述基底远离所述阵列基板一侧的薄膜单元，所述薄膜单元在所述基底所在平面上的垂直投影覆盖所述micro
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led发光元件在所述基底所在平面上的垂直投影；其中，所述薄膜单元包括n个薄膜，第i个薄膜和第j个薄膜依次位于所述micro
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led发光元件的出光路径上；其中，1≤i<j≤n，n≥2且i、j和n均为整数；所述micro
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led发光元件的出光光线经所述第i个薄膜后与所述基底所在平面的夹角为α1，所述micro
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led发光元件的出光光线经所述第j个薄膜后与所述基底所在平面的夹角为α2，α1＜α2。2.根据权利要求1所述的micro
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led显示器件，其特征在于，所述薄膜单元包括甲薄膜单元，所述甲薄膜单元包括多个子薄膜单元，所述子薄膜单元与所述micro
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led发光元件一一对应，且每个所述子薄膜单元在所述基底所在平面上的垂直投影覆盖与其对应设置的所述micro
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led发光元件在所述基底所在平面上的垂直投影；所述子薄膜单元包括多个甲薄膜；沿第一方向，同一所述子薄膜单元中任意两个所述甲薄膜中，靠近所述micro
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led发光元件中心一侧的甲薄膜的折射率大于远离所述micro
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led发光元件中心一侧的甲薄膜的折射率；其中，所述出光方向在所述第一方向上存在分量，且所述第一方向与所述基底所在平面平行。3.根据权利要求1所述的micro
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led显示器件，其特征在于，所述薄膜单元包括乙薄膜单元；所述乙薄膜单元包括多个乙薄膜；沿第二方向，第一乙薄膜位于所述乙薄膜单元中其余任一乙薄膜靠近所述micro
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led发光元件的一侧，所述第一乙薄膜的折射率大于所述基底的折射率；沿所述第二方向，任意两个所述乙薄膜中，靠近所述micro
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led发光元件一侧的乙薄膜的折射率小于远离所述micro
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led发光元件一侧的乙薄膜的折射率；其中，所述出光方向在所述第二方向上存在分量，且所述第二方向与所述基底所在平面垂直。4.根据权利要求1所述的micro
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led显示器件，其特征在于，所述基底靠近所述薄膜单元一侧的表面为非平面。5.根据权利要求1所述的micro
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led显示器件，其特征在于，所述micro
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led发光元件包括第一电极和第二电极；所述发光结构还包括钝化层，所述钝化层位于所述发光功能层远离所述基底的一侧且所述钝化层中设置有开孔，所述钝化层覆盖所述micro
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led发光元件且所述开孔暴露所述第一电极和所述第二电极；所述micro
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led显示器件还包括第一连接焊点和第二连接焊点，所述第一电极通过所述第一连接焊点与所述阵列基板绑定连接，所述第二电极通过所述第二连接焊点与所述阵列基板电连接。6.根据权利要求5所述的micro
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led显示器件，其特征在于，所述发光功能层包括电流扩散层、p型氮化镓层、多量子阱结构以及n型氮化镓层；
所述电流扩散层分别与p型氮化镓层和所述第一电极接触，所述n型氮化镓层与所述第二电极接触；所述多量子阱结构的发光光谱为近紫外到红光。

技术总结
本申请公开了一种降低像素光学串扰的Micro


技术研发人员：刘召军 杨彪 刘亚莹 林永红 蒋府龙
受保护的技术使用者：南方科技大学
技术研发日：2021.06.23
技术公布日：2021/11/28