AIP天线封装结构的接收通路射频前端的制作方法

技术特征：
1.一种aip天线封装结构的接收通路射频前端，其特征在于，所述射频前端包括半导体管芯层和天线导电层；所述天线导电层包括第一导电层和绝缘保护介质层；所述第一导电层沉积在模塑化合物第一表面上且具有天线功能，所述绝缘保护介质层沉积于模塑化合物第二表面上，所述绝缘保护介质层起到绝缘保护和信号屏蔽的作用；所述天线导电层贯穿设置有导电通孔，所述天线导电层还包括导体层，所述导体层形成于所述第一导电层和所述绝缘保护介质层下方，天线通过所述导电通孔与重布线层实现连接，耦合接收信号到半导体管芯层。2.根据权利要求1所述的aip天线封装结构的接收通路射频前端，其特征在于，所述半导体管芯层形成有接收通路，包括第一滤波器、第二滤波器、低噪声放大器、输入匹配电路、输出匹配电路，通过铜柱与所述导体层下方的介质层连接，并通过所述重布线层实现互联。3.根据权利要求2所述的aip天线封装结构的接收通路射频前端，其特征在于，所述第一滤波器为输入端滤波器，通过所述导电通孔耦合到天线，过滤天线接收到的射频信号。4.根据权利要求3所述的aip天线封装结构的接收通路射频前端，其特征在于，射频信号经过所述输入匹配电路进行射频匹配，减小信号损耗与干扰，将过滤后的射频信号传输至低噪声放大器，所述输入匹配电路由电阻、电容、电感组成。5.根据权利要求4所述的aip天线封装结构的接收通路射频前端，其特征在于，所述低噪声放大器线性放大接收到的微弱射频信号并保持低噪声系数，所述低噪声放大器内置有源偏压电路，通过所述介质层与重布线层实现连接；所述天线导电层设置有硅通孔，所述低噪声放大器通过硅通孔与对外引脚连接；放大后的射频信号通过所述输出匹配电路进行射频匹配，减小损耗与干扰；再通过输入所述第二滤波器过滤带外杂波；通过所述对外引脚连接pcb输出到控制基带或存储器。6.根据权利要求5所述的aip天线封装结构的接收通路射频前端，其特征在于，所述第一导电层由微带金属构成。

技术总结
本实用新型提供的AIP天线封装结构的接收通路射频前端，射频前端包括半导体管芯层和天线导电层；天线导电层包括第一导电层和绝缘保护介质层；第一导电层沉积在模塑化合物第一表面上且具有天线功能，绝缘保护介质层沉积于模塑化合物第二表面上，绝缘保护介质层起到绝缘保护和信号屏蔽的作用；天线导电层贯穿设置有导电通孔，天线导电层还包括导体层，导体层形成于第一导电层和绝缘保护介质层下方，天线通过导电通孔与晶圆级重布线层实现连接，耦合接收信号到半导体管芯层。收信号到半导体管芯层。收信号到半导体管芯层。


技术研发人员：ꢀ(74)专利代理机构
受保护的技术使用者：上海芯波电子科技有限公司
技术研发日：2021.03.23
技术公布日：2021/11/28