阵列基板、显示面板的制作方法

技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，薄膜晶体管组，设于所述衬底基板的一侧，所述薄膜晶体管组包括至少两个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管沿垂直于所述衬底基板方向上层叠设置。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管组包括：第一薄膜晶体管，设于所述衬底基板的一侧；第二薄膜晶体管，设于所述第一薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括：第一栅极层，设于所述衬底基板的一侧，所述第一栅极层包括第一栅极；第一栅极绝缘层，设于所述第一栅极层远离所述衬底基板的一侧，所述第一栅极绝缘层覆盖所述第一栅极层的表面；第一有源层，设于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；第一源漏极层，包括覆盖所述第一有源层一端的第一极和覆盖所述第一有源层另一端的第二极。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管包括：第二栅极层，设于所述第一薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧，所述第二栅极层包括第二栅极；第二栅极绝缘层，设于所述第二栅极层远离所述衬底基板的一侧，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第二栅极层的表面；第二有源层，设于所述第二栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；第二源漏极层，包括覆盖所述第二有源层一端的第三极和覆盖所述第二有源层另一端的第四极，所述第三极和所述第一极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，所述第四极和所述第二极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠且所述第二极在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述第二薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影之外。5.根据权利要求2所述阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括：遮光层，设于所述衬底基板的一侧；第一有源层，设于所述遮光层远离所述衬底基板的一侧；第一栅极绝缘层，设于所述第一有源层远离所述衬底基板的一侧；第一栅极层，设于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述第一栅极层包括第一栅极；第一层间绝缘层，设于所述第一栅极层远离所述衬底基板一侧，所述第一层间绝缘层覆盖所述第一栅极层远离所述衬底基板的表面且所述第一层间绝缘层覆盖所述第一栅极层和所述第一栅极绝缘层的侧表面；第一源漏极层，包括第一极和第二极，所述第一极覆盖所述第一层间绝缘层远离所述衬底基板的部分表面并穿过所述第一层间绝缘层与所述第一有源层的一端连接，所述第二极覆盖所述第一层间绝缘层远离所述衬底基板的部分表面并穿过所述第一层间绝缘层与所述第一有源层的另一端连接。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管包括：第二有源层，设于所述第一薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧；
第二栅极绝缘层，设于所述第二有源层远离所述衬底基板的一侧；第二栅极层，设于所述第二栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述第二栅极层包括第二栅极；第二层间绝缘层，设于所述第二栅极层远离所述衬底基板一侧，所述第二层间绝缘层覆盖所述第二栅极层远离所述衬底基板的表面且所述第二层间绝缘层覆盖所述第二栅极层和所述第二栅极绝缘层的侧表面；第二源漏极层，包括第三极和第四极，所述第三极覆盖所述第二层间绝缘层远离所述衬底基板的部分表面并穿过所述第二层间绝缘层与所述第二有源层的一端连接，所述第四极覆盖所述第二层间绝缘层远离所述衬底基板的部分表面并穿过所述第二层间绝缘层与所述第二有源层的另一端连接，所述第三极和所述第一极在所述衬底基板上的投影至少部分重叠且所述第二极在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述第二薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影之外。7.根据权利要求4或6所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管组还包括：第一钝化层，设于所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之间且所述第一钝化层设于所述第一源漏极层远离所述衬底基板的一侧；第一平坦化层，设于所述第一钝化层远离所述衬底基板的一侧。8.根据权利要求4或6所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管组还包括：第二钝化层，设于所述第二源漏极层远离所述衬底基板的一侧；第二平坦化层，设于所述第二钝化层远离所述衬底基板的一侧。9.根据权利要求4或6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：第一扫描线，与所述第一栅极层同层设置，且与所述第一栅极连接；第二扫描线，与所述第二栅极层同层设置，且与所述第二栅极连接；第一数据线，与所述第一源漏极层同层设置，且与所述第一极连接；第二数据线，与所述第二源漏极层同层设置，且与所述第三极或第四极连接。10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于：所述第一扫描线和所述第二扫描线在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；所述第一数据线和所述第二数据线在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第一扫描线、所述第二扫描线、所述第一数据线或所述第二数据线为透明金属线。12.根据权利要求4或6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层包括第一子段和第二子段，所述第一子段和所述第二子段具有第一夹角，所述第一子段与所述第一极连接，所述第二子段与所述第二极连接。13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层包括第三子段和第四子段，所述第三子段和所述第四子段具有第二夹角，所述第三子段与所述第三极连接，所述第四子段与所述第四极连接，所述第二有源层和所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。14.根据权利要求4或6所述阵列基板，其特征在于，所述第一有源层和所述第二有源层的材料包括igzo。15.一种显示面板，其特征在于，包括：
如权利要求1
‑
14任一项所述阵列基板；多个像素电极，设于所述薄膜晶体管组背离所述衬底基板的一侧，且每个所述像素电极与一所述薄膜晶体管连接；液晶层，设于所述像素电极远离所述衬底基板的一侧；彩膜基板，设于所述液晶层远离所述衬底基板的一侧。16.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1
‑
14任一项所述阵列基板：发光器件层，设于薄膜晶体管组背离所述衬底基板的一侧；所述发光器件层包括多个发光器件，每个所述发光器件与一所述薄膜晶体管连接。

技术总结
本公开提供了一种阵列基板和显示面板，属于显示技术领域。该阵列基板包括衬底基板，薄膜晶体管组设于所述衬底基板的一侧，包括至少两个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管沿垂直于所述衬底基板方向上层叠设置。本公开提供的阵列基板，包括薄膜晶体管组，薄膜晶体管组包括至少两个薄膜晶体管，且该薄膜晶体管沿垂直于衬底基板方向上层叠设置，即多个薄膜晶体管在衬底基板上的正投影至少部分重叠。本公开将薄膜晶体管层叠设计，减小了薄膜晶体管在平面上的占用面积，从而有助于提升光线透过率和开口率。薄膜晶体管组中层叠设置的每一个薄膜晶体管分别驱动一个液晶像素点或发光器件。相比相关技术中同层设置，本公开提供的阵列基板光线透光率和开口率更高。光率和开口率更高。光率和开口率更高。


技术研发人员：王利忠 宁策 周天民 杨维 邸云萍 黄睿 童彬彬 雷利平
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2021.03.19
技术公布日：2021/11/28