半导体器件的制作方法

技术特征：
1.一种半导体器件，包括：第一基板；多层布线层，形成在所述第一基板上；第一电感器，在平面图中被形成为所述多层布线层上的曲折形状；以及第二电感器，在平面图中被形成为所述多层布线层上的曲折形状，并且被布置为在平面图中与所述第一电感器靠近且与所述第一电感器不重叠，其中变压器由所述第一电感器和所述第二电感器来构造；以及在平面图中，所述第一电感器和所述第二电感器沿着第一方向延伸，所述第一基板的一侧在所述第一方向上延伸。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在平面图中，构造所述第一电感器和所述第二电感器的相应布线被交替地以90度和270度弯曲的同时在所述第一方向上延伸。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在平面图中，构造所述第一电感器和所述第二电感器的相应布线被交替地弯曲成半圆形状的同时在所述第一方向上延伸。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在平面图中，构造所述第一电感器和所述第二电感器的相应布线被交替地以90度弯曲两次并且以270度弯曲两次的同时在所述第一方向上延伸。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电感器和所述第二电感器被形成在相互不同的布线层中。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中在平面图中，构造所述第一电感器和所述第二电感器的相应布线被交替地以90度弯曲两次并且以270度弯曲两次的同时在所述第一方向上延伸。7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：所述第一基板；晶体管；所述晶体管的元件分离件；以及分离部，被配置为使得绝缘体被嵌入在与所述元件分离件的沟槽相比更深的沟槽中，其中所述分离部的宽度被配置为变为大于以下项的宽度：构造所述第一电感器的布线以及构造所述第二电感器的布线。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中在平面图中，构造所述第一电感器和所述第二电感器的相应布线被交替地以90度弯曲两次并且以270度弯曲两次的同时在所述第一方向上延伸。9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一电路，被连接到所述第一电感器并且被形成在所述第一基板上，其中所述第一电感器被布置为与所述第二电感器相比更靠近所述第一电路。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中在平面图中，所述第一电感器和所述第二电感器被布置为靠近所述第一基板的所述一侧，并且所述第二电感器被布置为比所述第一电感器更靠近所述一侧。11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：第二基板；
第二板，形成在所述第二基板上；以及布线，连接所述第一基板上的所述第二电感器和所述第二电路。12.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括形成在所述第一基板上的键合焊盘，其中所述第二电感器连接到所述键合焊盘，并且所述布线是连接到所述键合焊盘的键合线。13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一电路是传输电路，并且包括连接到所述第一电感器的传输侧驱动器电路。14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述第一电感器具有：连接到所述传输侧驱动器电路的一端；以及连接到电源布线或接地布线的另一端。15.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一电感器和所述第二电感器形成在相互不同的布线层中。

技术总结
本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：第一基板；形成在第一基板上的多层布线层；第一电感器，在平面图中，该第一电感器被形成为多层布线层上的曲折形状；以及第二电感器，在平面图中，该第二电感器被形成为多层布线层上的曲折形状，并且被布置为在平面图中与第一电感器靠近且与第一电感器不重叠。变压器由第一电感器和第二电感器来构造；并且在平面图中，第一电感器和第二电感器沿着第一方向延伸，第一基板的一侧在该第一方向上延伸。第一基板的一侧在该第一方向上延伸。第一基板的一侧在该第一方向上延伸。


技术研发人员：内田慎一 中柴康隆 桑原慎一
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
技术研发日：2021.05.21
技术公布日：2021/11/26