具有专门针对活动层的寻址能力的垂直腔面发射激光器的制作方法

技术特征：
1.一种垂直腔面发射激光器(vcsel)，包括:外延结构，其包括第一活性层、第二活性层和在二者之间的隧道结；和一组接触部，电连接到外延结构，其中，该组接触部包括三个或更多个接触部，其中，该组接触部在vcsel上彼此电分离，并且其中，该组接触部中的至少一个接触部在第一活性层和第二活性层之间的一深度处电连接到外延结构。2.根据权利要求1所述的vcsel，其中，该组接触部中的每个接触部在一深度电连接到外延结构，该深度不同于该组接触部中的任何其他接触部电连接到外延结构时所处的深度。3.根据权利要求1所述的vcsel，其中所述外延结构包括衬有电绝缘层的至少一个沟槽，并且其中所述至少一个接触部电在沟槽内连接到外延结构。4.根据权利要求3所述的vcsel，其中，与所述至少一个沟槽的横向部分相关联的所述电绝缘层包括间隙，以在所述外延结构中形成所述至少一个接触部。5.根据权利要求4所述的vcsel，其中，所述至少一个沟槽延伸到所述间隙之外，进入所述外延结构的衬底层，以提供与该组接触部中的另一个接触部或与所述vcsel成阵列的另一个vcsel的电绝缘。6.根据权利要求1所述的vcsel，其中所述至少一个接触部电连接到外延结构时所处的深度在隧道结和第一活性层之间。7.根据权利要求1所述的vcsel，其中所述外延结构包括在所述第二活性层上方一深度处的一个或多个约束层。8.根据权利要求7所述的vcsel，其中所述一个或多个约束层是氧化物层。9.根据权利要求7所述的vcsel，其中所述外延结构包括在所述第一活性层下方的一深度处的一个或多个额外约束层。10.根据权利要求9所述的vcsel，其中所述一个或多个约束层和所述一个或多个额外约束层垂直对准。11.根据权利要求1所述的vcsel，其中所述外延结构包括第三活性层和额外隧道结，其中所述额外隧道结在第二活性层和第三活性层之间位于所述外延结构中的一深度处，并且其中该组接触部电连接到外延结构，使得该组接触部中的选定成对接触部向第一活性层、第二活性层和第三活性层组成的子组提供电流。12.根据权利要求1所述的vcsel，其中所述第一活性层和所述第二活性层位于该组接触部中的第一对接触部之间的第一电路径中，并且所述第一活性层和所述第二活性层中只有一个位于该组接触部中的第二对接触部之间的第二电路径中。13.根据权利要求1所述的vcsel，其中该组接触部被配置为选择性地向所述第一活性层和所述第二活性层中的仅一个或两个提供电流。14.一种vcsel阵列，包括:外延结构，包括:
第一活性层，第二活性层，在第一活性层和第二活性层之间的隧道结，以及在第二活性层上方的一个或多个约束层；至少第一vcsel和第二vcsel，被限定在外延结构中；和一组接触部，电连接到外延结构，以提供:仅流向第一vcsel的第一活性层和第二活性层中之一的电流，和流向第二vcsel的第一活性层和第二活性层二者的电流。15.根据权利要求14所述的vcsel阵列，其中该组接触部中的一接触部在第一活性层和第二活性层之间的一深度处具有与外延结构的第一电连接，并且在第二活性层上方具有与外延结构的第二电连接。16.根据权利要求15所述的vcsel阵列，其中所述第一电连接的深度在所述隧道结和所述第一活性层之间。17.根据权利要求14所述的vcsel阵列，其中所述第一活性层和所述第二活性层位于该组接触部之间的第一vcsel的第一电路径中，并且所述第一活性层和所述第二活性层中只有一个位于该组接触部之间的第二vcsel的第二电路径中。18.一种光源，包括:发射器阵列，其包括至少一个发射器，该至少一个发射器包括:外延结构，其包括第一活性层、第二活性层和在二者之间的隧道结；和一组接触部，其在外延结构中在不同深度处电连接到外延结构，其中该组接触部中的第一对接触部被配置为仅向第一活性层和第二活性层中之一提供电流，并且其中该组接触部中的第二对接触部被配置为向第一活性层和第二活性层二者提供电流。19.根据权利要求18所述的光源，其中，所述第一对接触部中的一接触部在所述第一活性层和所述第二活性层之间的一深度处电连接到所述外延结构。20.根据权利要求18所述的光源，其中所述第一活性层和所述第二活性层位于该组接触部中的第一对接触部之间的第一电路径中，并且所述第一活性层和所述第二活性层中只有一个位于该组接触部中的第二对接触部之间的第二电路径中。

技术总结
一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)可以包括外延结构，该外延结构包括第一活性层、第二活性层和在二者之间的隧道结。VCSEL可以包括电连接到外延结构的一组接触部。该组接触部可以包括三个或更多个接触部，并且该组接触部可以在VCSEL上彼此电分离。该组接触部中的至少一个接触部可以在第一活性层和第二活性层之间的一深度处电连接到外延结构。的一深度处电连接到外延结构。的一深度处电连接到外延结构。


技术研发人员：B.克斯勒
受保护的技术使用者：朗美通经营有限责任公司
技术研发日：2021.05.20
技术公布日：2021/11/26