一种液晶显示屏结构的制作方法

1.本实用新型涉及液晶显示屏技术领域，特别涉及一种液晶显示屏结构。


背景技术：

2.对于使用demux(即解复用)电路驱动进行显示的液晶显示屏来说，由于源极走线到面板的demux开关的不同位置处的走线长度不一致，造成面板不同区域的rc loading(电阻电容负载)不一致，从而影响demux液晶显示屏的显示效果。


技术实现要素：

3.本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种能够改善液晶显示屏的显示效果的液晶显示屏结构。
4.为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：
5.一种液晶显示屏结构，包括第一显示区域、第二显示区域、第三显示区域和控制芯片，所述第二显示区域位于第一显示区域和第三显示区域之间，所述第一显示区域上分布有两个以上的第一像素单元，所述第二显示区域上分布有两个以上的第二像素单元，所述第三显示区域上分布有两个以上的第三像素单元；
6.一个所述第一像素单元包括三个从左至右依次排列的第一demux开关，一个所述第二像素单元包括三个从左至右依次排列的第二demux开关，一个所述第三像素单元包括三个从左至右依次排列的第三demux开关；
7.每个所述第一demux开关的输入端分别通过一条源极走线与控制芯片电连接，每个所述第一demux开关的栅极分别通过一条demux走线与控制芯片电连接；
8.每个所述第二demux开关的输入端分别通过一条源极走线与控制芯片电连接，每个所述第二demux开关的栅极分别通过一条demux走线与控制芯片电连接；
9.每个所述第三demux开关的输入端分别通过一条源极走线与控制芯片电连接，每个所述第三demux开关的栅极分别通过一条demux走线与控制芯片电连接；
10.所述第一demux开关的输入端电连接的源极走线的电阻率和第三demux开关的输入端电连接的源极走线的电阻率均小于第二demux开关的输入端电连接的源极走线的电阻率。
11.本实用新型的有益效果在于：
12.第一demux开关的输入端电连接的源极走线的电阻率和第三demux开关的输入端电连接的源极走线的电阻率均小于第二demux开关的输入端电连接的源极走线的电阻率，第一demux开关连接的源极走线和第三demux开关连接的源极走线采用比第二demux开关连接的源极走线的电阻率更小的金属走线，能够减小第一显示区域和第三显示区域上的rc loading或增大第二显示区域上的rc loading，通过改变源极走线上的r(电阻)c(电容)的值来改变rc loading，通过平衡不同显示区域处的源极走线的rc loading，从而减小液晶显示屏左右两侧及中间侧的充电率的差异，进而改善液晶显示屏的显示效果。
附图说明
13.图1为根据本实用新型的一种液晶显示屏结构的结构示意图；
14.图2为根据本实用新型的一种液晶显示屏结构的液晶显示屏显示异常图；
15.图3为根据本实用新型的一种液晶显示屏结构的tft结构示意图；
16.标号说明：
17.1、第一显示区域；11、第一demux开关；
18.2、第二显示区域；
19.3、第三显示区域；31、第三demux开关；
20.4、控制芯片。
具体实施方式
21.为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
22.请参照图1，本实用新型提供的技术方案：
23.一种液晶显示屏结构，包括第一显示区域、第二显示区域、第三显示区域和控制芯片，所述第二显示区域位于第一显示区域和第三显示区域之间，所述第一显示区域上分布有两个以上的第一像素单元，所述第二显示区域上分布有两个以上的第二像素单元，所述第三显示区域上分布有两个以上的第三像素单元；
24.一个所述第一像素单元包括三个从左至右依次排列的第一demux开关，一个所述第二像素单元包括三个从左至右依次排列的第二demux开关，一个所述第三像素单元包括三个从左至右依次排列的第三demux开关；
25.每个所述第一demux开关的输入端分别通过一条源极走线与控制芯片电连接，每个所述第一demux开关的栅极分别通过一条demux走线与控制芯片电连接；
26.每个所述第二demux开关的输入端分别通过一条源极走线与控制芯片电连接，每个所述第二demux开关的栅极分别通过一条demux走线与控制芯片电连接；
27.每个所述第三demux开关的输入端分别通过一条源极走线与控制芯片电连接，每个所述第三demux开关的栅极分别通过一条demux走线与控制芯片电连接；
28.所述第一demux开关的输入端电连接的源极走线的电阻率和第三demux开关的输入端电连接的源极走线的电阻率均小于第二demux开关的输入端电连接的源极走线的电阻率。
29.从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：
30.第一demux开关的输入端电连接的源极走线的电阻率和第三demux开关的输入端电连接的源极走线的电阻率均小于第二demux开关的输入端电连接的源极走线的电阻率，第一demux开关连接的源极走线和第三demux开关连接的源极走线采用比第二demux开关连接的源极走线的电阻率更小的金属走线，能够减小第一显示区域和第三显示区域上的rc loading或增大第二显示区域上的rc loading，通过改变源极走线上的r(电阻)c(电容)的值来改变rc loading，通过平衡不同显示区域处的源极走线的rc loading，从而减小液晶显示屏左右两侧及中间侧的充电率的差异，进而改善液晶显示屏的显示效果。
31.进一步的，所述第一demux开关的输入端电连接的源极走线的横截面积和第三
demux开关的输入端电连接的源极走线的横截面积均大于第二demux开关的输入端电连接的源极走线的横截面积。
32.由上述描述可知，通过设置上述demux开关连接的源极走线的横截面积来改变源极走线上的rc loading，进而来减小液晶显示屏左右两侧及中间侧的充电率的差异，实现改善液晶显示屏的显示效果。
33.进一步的，所述第一demux开关的输入端电连接的源极走线的长度和第三demux开关的输入端电连接的源极走线的长度均小于第二demux开关的输入端电连接的源极走线的长度。
34.由上述描述可知，通过设置上述demux开关连接的源极走线的长度来改变源极走线上的rc loading，进而减小液晶显示屏左右两侧及中间侧的充电率的差异，实现改善液晶显示屏的显示效果。
35.进一步的，所述第二demux开关的输入端电连接的源极走线的形状为蛇形。
36.由上述描述可知，将第二demux开关的输入端电连接的源极走线的形状设为蛇形，能够延长第二显示区域(即位于中间显示区域)中的第二demux开关所连接的源极走线的长度，进而增加中间显示区域的rc loading，进而减小液晶显示屏左右两侧及中间侧的充电率的差异，实现改善液晶显示屏的显示效果。
37.进一步的，所述第一像素单元中位于第一位置的第一demux开关的栅极、第二像素单元中位于第一位置的第二demux开关的栅极和第三像素单元中位于第一位置的第三demux开关的栅极均连接同一条demux走线；
38.所述第一像素单元中位于第二位置的第一demux开关的栅极、第二像素单元中位于第二位置的第二demux开关的栅极和第三像素单元中位于第二位置的第三demux开关的栅极均连接同一条demux走线；
39.所述第一像素单元中位于第三位置的第一demux开关的栅极、第二像素单元中位于第三位置的第二demux开关的栅极和第三像素单元中位于第三位置的第三demux开关的栅极均连接同一条demux走线。
40.进一步的，每个所述第一demux开关的输出端分别连接一个画素，每个所述第二demux开关的输出端分别连接一个画素，每个所述第三demux开关的输出端分别连接一个画素。
41.进一步的，所述第一demux开关的输入端为源极，所述第二demux开关的输入端为源极，所述第三demux开关的输入端为源极。
42.请参照图1至图3，本实用新型的实施例一为：
43.请参照图1，一种液晶显示屏结构，包括第一显示区域1、第二显示区域2、第三显示区域3和控制芯片4，所述第二显示区域2位于第一显示区域1和第三显示区域3之间，所述第一显示区域1上分布有两个以上的第一像素单元，所述第二显示区域2上分布有两个以上的第二像素单元，所述第三显示区域3上分布有两个以上的第三像素单元；
44.一个所述第一像素单元包括三个从左至右依次排列的第一demux开关11，一个所述第二像素单元包括三个从左至右依次排列的第二demux开关，一个所述第三像素单元包括三个从左至右依次排列的第三demux开关31；
45.每个所述第一demux开关11的输入端分别通过一条源极走线与控制芯片4电连接，
每个所述第一demux开关11的栅极分别通过一条demux走线与控制芯片4电连接；
46.每个所述第二demux开关的输入端分别通过一条源极走线与控制芯片4电连接，每个所述第二demux开关的栅极分别通过一条demux走线与控制芯片4电连接；
47.每个所述第三demux开关31的输入端分别通过一条源极走线与控制芯片4电连接，每个所述第三demux开关31的栅极分别通过一条demux走线与控制芯片4电连接；
48.所述第一demux开关11的输入端电连接的源极走线的电阻率和第三demux开关31的输入端电连接的源极走线的电阻率均小于第二demux开关的输入端电连接的源极走线的电阻率。
49.所述第一demux开关11的输入端电连接的源极走线的横截面积和第三demux开关31的输入端电连接的源极走线的横截面积均大于第二demux开关的输入端电连接的源极走线的横截面积。
50.所述第一demux开关11的输入端电连接的源极走线的长度和第三demux开关31的输入端电连接的源极走线的长度均小于第二demux开关的输入端电连接的源极走线的长度。
51.所述第二demux开关的输入端电连接的源极走线的形状为蛇形。
52.所述第一像素单元中位于第一位置的第一demux开关11的栅极、第二像素单元中位于第一位置的第二demux开关的栅极和第三像素单元中位于第一位置的第三demux开关31的栅极均连接同一条demux走线；
53.所述第一像素单元中位于第二位置的第一demux开关11的栅极、第二像素单元中位于第二位置的第二demux开关的栅极和第三像素单元中位于第二位置的第三demux开关31的栅极均连接同一条demux走线；
54.所述第一像素单元中位于第三位置的第一demux开关11的栅极、第二像素单元中位于第三位置的第二demux开关的栅极和第三像素单元中位于第三位置的第三demux开关31的栅极均连接同一条demux走线。
55.每个所述第一demux开关11的输出端分别连接一个画素，每个所述第二demux开关的输出端分别连接一个画素，每个所述第三demux开关31的输出端分别连接一个画素；所述第一demux开关11的输出端为漏极。
56.请参照图1，一个所述第一像素单元中的三个第一demux开关11的输出端分别连接r画素、g画素和b画素；同样地，一个所述第二像素单元中的三个第二demux开关的输出端分别连接r画素、g画素和b画素；一个所述第三像素单元中的三个第三demux开关31的输出端分别连接r画素、g画素和b画素。
57.所述第一demux开关11的输入端为源极，所述第二demux开关的输入端为源极，所述第三demux开关31的输入端为源极。
58.假设控制芯片4输出的源极走线的数量为1080条，这些源极走线经过demux开关电路后进入液晶显示屏面内；如图1中例子所示，左侧的s1/s2与右侧的s1079/s1080相对于中间的源极走线来说，到demux开关(tft)的走线更长，这样就会导致左右两侧的源极走线的r(阻值)的值相对偏大，则左右两侧的rc loading跟中间的不一样，导致左右两侧画素的充电率比中间的低，从而导致出现图2的现象：如灰阶127画面，由于液晶显示屏左右两侧和中间的充电率不一样，使得左右两侧显示亮度较暗，而中间较亮，出现了灰阶亮度分层的现
象，影响了显示品质。本方案通过改变源极走线上的r(电阻)c(电容)的值来改变rc loading，通过平衡不同显示区域处的源极走线的rc loading，从而减小液晶显示屏左右两侧及中间侧的充电率的差异，进而改善液晶显示屏的显示效果。
59.请参照图3，为tft(thin film transistor，即薄膜场效应晶体管)的结构示意图，sd层金属(即源漏极金属层)与ge层金属(即栅极金属层)中间存在寄生电容cgs和寄生电容cgd；这两个寄生电容的值会影响源极走线线上的rc loading的大小：源极走线上的电压会向cgs及cgd两个寄生电容充电，从而导致画素充电不足，使得画素显示的亮度值达不到最佳，影响demux驱动的液晶显示屏的显示品质。
60.综上所述，本实用新型提供的一种液晶显示屏结构，第一demux开关的输入端电连接的源极走线的电阻率和第三demux开关的输入端电连接的源极走线的电阻率均小于第二demux开关的输入端电连接的源极走线的电阻率，第一demux开关连接的源极走线和第三demux开关连接的源极走线采用比第二demux开关连接的源极走线的电阻率更小的金属走线，能够减小第一显示区域和第三显示区域上的rc loading或增大第二显示区域上的rc loading，通过改变源极走线上的r(电阻)c(电容)的值来改变rc loading，通过平衡不同显示区域处的源极走线的rc loading，从而减小液晶显示屏左右两侧及中间侧的充电率的差异，进而改善液晶显示屏的显示效果。
61.以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。