铜电极陶瓷电容器的制作方法

1.本实用新型涉及一种高压陶瓷电容器制造技术领域，特别是涉及一种由金属铜电极电容芯片制作的耐高温和使用寿命长的高压陶瓷电容器。


背景技术：

2.陶瓷电容器应用范围非常广泛，其功能是主要是充放电和储存电能；电子线路中主要用于旁路、耦合、滤波和谐振等；几十年来，采用烧渗银法制作陶瓷电容器电极具有工艺简单、产品高频性能优良等特性而被广泛应用。但银离子在使用过程中容易迁移导致电容器长期使用过程中失效；另外陶瓷电容器电极引线焊接时银电极容易被高温焊锡熔蚀导致焊接过程中潜在假焊等缺陷；另外银作为一种贵金属，近年来供不应求、国际价格暴涨，导致陶瓷电容器采用银电极的成本大幅上涨。因此优化陶瓷电容器电极使用材料，对提高陶瓷电容器电气性能、延长使用寿命和降低生产制造成本等已成为行业非常紧迫的任务。
3.通过分析陶瓷电容器的结构和生产工艺，同时结合大量的实际应用试验验证，研究者推出一款容量稳定、生产工艺可靠、成本低廉的金属铜电极陶瓷电容器，使得其能在电路上持续工作，具备了更长的使用寿命而且获得较好的应用市场。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的主要是推出一种高频损耗低、耐温性能好、使用寿命长，能在高压线路上持续工作的铜电极陶瓷电容器，能有效解决市场上普通银电极陶瓷电容器实际应用时存在的容量易衰减、耐温性能差、使用寿面短和生产成本高等缺点。
5.铜电极陶瓷电容器，包括：绝缘包封层、陶瓷介质、焊接点、铜电极层和电极引线，所述的陶瓷介质上下两表面均粘附了铜电极层，两电极引线一端分别通过焊接点连接于铜电极层外表面，绝缘包封层包裹在陶瓷介质外部。
6.具体的，所述的铜电极层的厚度为0.015
‑
0.02umm。
7.本实用新型的有益效果为：陶瓷电容器是在陶瓷绝缘体上敷上一层很薄的金属银做为电极；金属银电极很薄（0.015
‑
0.02umm），银离子长期负载使用时在陶瓷体内迁移。本实用陶瓷电容器涉及一种铜电极电容器，其主要由陶瓷绝缘体和金属铜电极组成，所述铜电极其制作材料为金属铜。由于金属铜的稳定性强（比银稳定），高频损耗（df值）低，使得陶瓷电容器产品在高频电路中使用时不容易发热、短路等， 提高了产品工作的可靠性，同时延长了产品的使用寿命（100000小时以上）。
附图说明
8.附图1为本实用新型的结构示意图；
9.附图2为本实用新型的侧面剖视图。
10.标注说明：绝缘包封层1、陶瓷介质2、焊接点3、铜电极层4和电极引线5。
具体实施方式
11.附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。附图中描述位置关系仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制。
12.如附图1至2所示，铜电极陶瓷电容器，包括：绝缘包封层、陶瓷介质、焊接点、铜电极层和电极引线，所述的陶瓷介质上下两表面均粘附了铜电极层，两电极引线一端分别通过焊接点连接于铜电极层外表面，绝缘包封层包裹在陶瓷介质外部，所述的铜电极层的厚度为0.015
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0.02umm。所描述铜电极其制作材料为金属铜，使用时产品的高频损耗降低了，工作环境温度提高了，产品使用寿命延长了。
13.本实用新型的目的实现原理：一种采用金属铜做电极的陶瓷电容芯片制作的高抗电强度、耐高温、高频损耗低的陶瓷电容器，其主要包括绝缘包封层、陶瓷介质、焊接点、 铜电极、和两端电极引线；所述铜电极其制作为金属铜，其高频损耗角比普通银电极低，且价格是金属银的30%。
14.显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。


技术特征：
1.铜电极陶瓷电容器，包括：绝缘包封层、陶瓷介质、焊接点、铜电极层和电极引线，其特征在于：所述的陶瓷介质上下两表面均粘附了铜电极层，两电极引线一端分别通过焊接点连接于铜电极层外表面，绝缘包封层包裹在陶瓷介质外部。2.根据权利要求1所述的铜电极陶瓷电容器，其特征在于：所述的铜电极层的厚度为0.015
‑
0.02umm。

技术总结
本实用新型涉及高压陶瓷电容器制造技术领域，尤其涉及铜电极陶瓷电容器，包括：绝缘包封层、陶瓷介质、焊接点、铜电极层和电极引线，所述的陶瓷介质上下两表面均粘附了铜电极层，两电极引线一端分别通过焊接点连接于铜电极层外表面，绝缘包封层包裹在陶瓷介质外部。所述的铜电极层的厚度为0.015


技术研发人员：林俊松
受保护的技术使用者：广东鸿志电子科技有限公司
技术研发日：2021.05.19
技术公布日：2021/11/24