IGBT驱动电路的制作方法

技术特征：
1.一种igbt驱动电路，其特征在于，包括控制单元、n级隔离器件、n级驱动电源以及igbt，其中，n≥2；所述控制单元与第一级隔离器件的原边连接；从第一级隔离器件开始，前一级隔离器件的副边与后一级隔离器件的原边连接，最后一级隔离器件的副边与所述igbt连接；从第一级驱动电源开始，前一级驱动电源的输出端分别与本级的隔离器件的副边、后一级隔离器件的原边以及后一级驱动电源的输入端连接，最后一级驱动电源的输出端与最后一级隔离器件的副边连接。2.根据权利要求1所述的igbt驱动电路，其特征在于，所述igbt驱动电路还包括信号放大单元，最后一级隔离器件通过所述信号放大单元与所述igbt连接。3.根据权利要求2所述的igbt驱动电路，其特征在于，最后一级驱动电源的输出端与所述信号放大单元连接。4.根据权利要求2所述的igbt驱动电路，其特征在于，所述igbt驱动电路还包括驱动电阻，所述信号放大单元通过所述驱动电阻与所述igbt的门极连接。5.根据权利要求1所述的igbt驱动电路，其特征在于，所述igbt驱动电路还包括下拉电阻，所述igbt的门极通过所述下拉电阻接地。6.根据权利要求1所述的igbt驱动电路，其特征在于，所述igbt驱动电路还包括tvs管，所述igbt的门极通过所述tvs管接地。7.根据权利要求1所述的igbt驱动电路，其特征在于，所述隔离器件为光耦器件、容耦器件以及磁耦器件中的一种。8.根据权利要求1所述的igbt驱动电路，其特征在于，所述驱动电源为隔离型dc
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dc电源，所述隔离型dc
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dc电源的拓扑为正激、反激、推挽、半桥以及全桥中的一种。9.根据权利要求1所述的igbt驱动电路，其特征在于，所述igbt驱动电路还包括供电单元，第一级隔离器件的原边以及第一级驱动电源的输入端与所述供电单元连接。10.根据权利要求2所述的igbt驱动电路，其特征在于，所述控制单元为mcu以及dsp中的一种，所述信号放大单元为信号放大器。

技术总结
本实用新型实施例公开了一种IGBT驱动电路，涉及IGBT驱动技术领域。IGBT驱动电路包括控制单元、N级隔离器件、N级驱动电源以及IGBT；控制单元与第一级隔离器件的原边连接；从第一级隔离器件开始，前一级隔离器件的副边与后一级隔离器件的原边连接，最后一级隔离器件的副边与IGBT连接；从第一级驱动电源开始，前一级驱动电源的输出端分别与本级的隔离器件的副边、后一级隔离器件的原边以及后一级驱动电源的输入端连接，最后一级驱动电源的输出端与最后一级隔离器件的副边连接。通过设置N级隔离器件以及N级驱动电源，能够极大地提高耐压性，增加安规距离。增加安规距离。增加安规距离。


技术研发人员：朱成中 张永岚 谢峰 吕一航
受保护的技术使用者：苏州禾望电气有限公司
技术研发日：2021.03.09
技术公布日：2021/11/24