一种二维Bi2O2Se薄膜厚度的调控方法与流程

技术特征：
1.一种二维bi2o2se薄膜厚度的调控方法，包括如下步骤：通过化学气相沉积方法在第一衬底上制得具有第一厚度的二维bi2o2se薄膜；采用等离子体刻蚀工艺将所述二维bi2o2se薄膜的厚度调控至第二厚度，其中，所述等离子体刻蚀工艺的刻蚀设备真空度为6.4
×
10
‑4pa，射频功率为120w，中和器电流为500ma，离子束电流的范围为从80ma到100ma，离子束电压的范围为从200v到280v，ar流量为10sccm，o2流量为6sccm，刻蚀时间为6
‑
20秒。2.根据权利要求1所述的二维bi2o2se薄膜厚度的调控方法，其特征在于，所述第一衬底为云母片。3.根据权利要求1所述的二维bi2o2se薄膜厚度的调控方法，其特征在于，执行所述采用等离子体刻蚀工艺对所述二维bi2o2se薄膜进行刻蚀步骤之前，将所述二维bi2o2se薄膜转移至第二衬底上；所述第二衬底为sio2/si衬底，au/si衬底或含有金属标记的sio2/si衬底。4.根据权利要求1所述的二维bi2o2se薄膜厚度的调控方法，其特征在于，刻蚀次数可以为一次或多次。5.根据权利要求1所述的二维bi2o2se薄膜厚度的调控方法，其特征在于，所述第一厚度的范围为5
‑
20nm。6.根据权利要求1所述的二维bi2o2se薄膜厚度的调控方法，其特征在于，对所述二维bi2o2se薄膜进行刻蚀，包括：将所述二维bi2o2se薄膜放置于反应离子刻蚀设备的样品台上；使所述样品台以第一转速和第一角度旋转。7.根据权利要求1所述的二维bi2o2se薄膜厚度的调控方法，其特征在于，若所述第一厚度为5
‑
10nm，所述离子束流为80ma，所述离子束电压为200v。8.根据权利要求1所述的二维bi2o2se薄膜厚度的调控方法，其特征在于，若所述第一厚度为10
‑
20nm，所述离子束流为100ma，所述离子束电压为280v。9.根据权利要求6所述的二维bi2o2se薄膜厚度的调控方法，其特征在于，所述第一转速为10rpm，所述第一角度为
‑
30
°
。10.根据权利要求1所述的二维bi2o2se薄膜厚度的调控方法，其特征在于，所述第二厚度的范围为2.5
‑
20nm。

技术总结
本发明公开了一种二维Bi2O2Se薄膜厚度的调控方法，包括如下步骤：通过化学气相沉积方法在第一衬底上制得具有第一厚度的二维Bi2O2Se薄膜；采用等离子体刻蚀工艺将所述二维Bi2O2Se薄膜的厚度调控至第二厚度，其中，所述等离子体刻蚀工艺的刻蚀设备真空度为6.4


技术研发人员：陈翔 戴晨东 熊云海 许多 李志
受保护的技术使用者：南京理工大学
技术研发日：2021.09.29
技术公布日：2021/11/24