驱动电路的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种驱动电路。


背景技术：

2.随着显示面板世代线的更新，显示面板的尺寸越来越大，显示面板的分辨率越来越高。但是，更大尺寸、更高分辨率、更高刷新率的显示面板，往往意味着需要更高的功耗。所以，对于驱动电路的电源管理集成芯片来说，55寸的显示面板，其正常画面下的工作温度为60摄氏度；而75寸的显示面板，其正常画面下的工作温度可能会增加至65摄氏度
‑
70摄氏度。温度的提升不仅带来电源管理集成芯片在高温环境下工作失效的风险，而且会缩短电源管理集成芯片的使用寿命。
3.对于现有的电源管理集成芯片，由于为了追求极致的成本，驱动电路往往采用同步整流架构，这意味着电源管理集成芯片内部将有两颗晶体管在进行开关，当驱动电路加载较重时，两颗晶体管的开关损耗会非常大，电源管理集成芯片发热严重。


技术实现要素：

4.本技术提供一种驱动电路，可以降低电源管理集成芯片高温失效的风险，提升电源管理集成芯片的使用寿命。
5.本技术提供一种驱动电路，其包括：
6.第一晶体管，其栅极与第一控制端电性连接，所述第一晶体管的源极与第一电压端电性连接，所述第一晶体管的漏极与第一节点电性连接；
7.第二晶体管，其栅极与第二控制端电性连接，所述第二晶体管的源极与所述第一节点电性连接，所述第二晶体管的漏极与接地端电性连接；
8.电感，其第一端与所述第一节点电性连接，所述电感的第二端与第二电压端电性连接；以及
9.分流模块，其与所述第一节点以及所述接地端电性连接，所述分流模块用于提供一电流回路对流经所述第二晶体管的电流进行分流。
10.在本技术提供的驱动电路中，所述分流模块包括二极管，所述二极管的正极端与所述接地端电性连接，所述二极管的负极端与所述第一节点电性连接。
11.在本技术提供的驱动电路中，所述二极管为肖特基二极管。
12.在本技术提供的驱动电路中，所述二极管的压降为0.3伏
‑
0.7伏之间。
13.在本技术提供的驱动电路中，所述第一晶体管与为n型晶体管或者p型晶体管中的一者，所述第二晶体管为n型晶体管或p型晶体管中的另一者。
14.在本技术提供的驱动电路中，所述驱动电路还包括滤波模块，所述滤波模块与所述第二电压端以及所述接地端电性连接，所述滤波模块用于对所述第二电压端的电压进行滤波。
15.在本技术提供的驱动电路中，所述滤波模块包括第一电容以及第二电容；所述第
一电容的第一端与所述第一电压端电性连接，所述第一电容的第二端与所述接地端电性连接；所述第二电容的第一端与所述第一电压端电性连接，所述第二电容的第二端与所述接地端电性连接。
16.在本技术提供的驱动电路中，所述驱动电路还包括反馈模块，所述反馈模块与所述第二电压端电性连接，所述反馈模块用于侦测所述第二电压端的电压，以调整所述第一控制端以及所述第二控制端的信号。
17.在本技术提供的驱动电路中，所述反馈模块包括第一电阻以及第二电阻；所述第一电阻的第一端与所述第二电压端电性连接，所述第一电阻的第二端与反馈端电性连接；所述第二电阻的第一端与所述接地端电性连接，所述第二电阻的第二端与所述反馈端电性连接。
18.在本技术提供的驱动电路中，所述第一晶体管以及所述第二晶体管均设置在电源管理集成芯片内。
19.本技术提供的驱动电路，通过分流模块提供一导通回路对流经第二晶体管的电流进行分流，从而可以避免流经第二晶体管的电流过大，降低第二晶体管产生的热量，进而降低电源管理集成芯片高温失效的风险，提升电源管理集成芯片的使用寿命。
附图说明
20.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1为本技术实施例提供的驱动电路的第一种结构示意图；
22.图2为本技术实施例提供的驱动电路的第一种电路示意图；
23.图3为本技术实施例提供的驱动电路中不同阶段的电感电流波形；
24.图4为本技术实施例提供的驱动电路的第二种结构示意图；
25.图5为本技术实施例提供的驱动电路的第二种电路示意图；
26.图6为本技术实施例提供的驱动电路的第三种结构示意图；
27.图7为本技术实施例提供的驱动电路的第三种电路示意图；
28.图8为本技术实施例提供的驱动电路的第四种结构示意图；
29.图9为本技术实施例提供的驱动电路的第四种电路示意图。
具体实施方式
30.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。本技术的权利要求书以及说明书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
31.本技术实施例提供一种驱动电路，其可以降低电源管理集成芯片高温失效的风
险，提升电源管理集成芯片的使用寿命。下文进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。本技术所有实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。
32.此外，本技术实施例所采用的晶体管可以包括p型晶体管和/或n型晶体管两种。其中，p型晶体管在栅极为低电平时，源极与漏极导通；在栅极为高电平时，源极与漏极截止。n型晶体管为在栅极为高电平时，源极与漏极导通；在栅极为低电平时，源极与漏极截止。
33.请参阅图1，图1为本技术实施例提供的驱动电路的第一种结构示意图。如图1所示，本技术实施例提供的驱动电路10包括第一晶体管t1、第二晶体管t2、电感l以及分流模块101。第一晶体管t1的栅极与第一控制端c电性连接，第一晶体管t1的源极与第一电压端a电性连接，第一晶体管t1的漏极与第一节点p电性连接。第二晶体管t2的栅极与第二控制端d电性连接，第二晶体管t2的源极与第一节点p电性连接，第二晶体管t2的漏极与接地端gnd电性连接。分流模块101与第一节点p以及接地端gnd电性连接。分流模块101用于提供一电流回路对流经第二晶体管t2的电流进行分流。
34.其中，第一电压端a为电压输入端，第二电压端b为电压输出端。在显示面板行业中，对于现有的电源管理集成芯片，由于为了追求极致的成本，驱动电路10往往采用同步整流架构。本技术实施例提供的驱动电路10采用同步整流架构，使得第一电压端a的输入电压小于第二电压端b的输出电压。第一电压端a接入的输入电压经过第一晶体管t1和第二晶体管t2的开关控制，再经过电感l的续流效果完成降压动作，在第二电压端b产生输出电压。
35.具体的，当第一晶体管t1导通，第二晶体管t2截止时，第一电压端a向第二电压端b和电感l充电，此时，电流从第一晶体管t1流向电感l；当第一晶体管t1截止，第二晶体管t2导通时，电感l续流，继续向第二电压端b充电，此时，电流从第二晶体管t2和分流模块101流向电感l。也即，本技术实施例提供的驱动电路10通过分流模块101提供一电流回路对流经第二晶体管t2的电流进行分流，从而可以避免流经第二晶体管t2的电流过大，降低第二晶体管t2产生的热量，进而降低电源管理集成芯片高温失效的风险，提升电源管理集成芯片的使用寿命。
36.其中，第一晶体管t1以及第二晶体管t2需要一相同的频率信号以互补的方式进行驱动，保证在第一晶体管t1导通时，第二晶体管t2截止；在第一晶体管t1截止时，第二晶体管t2导通。需要说明的是，当晶体管作为同步整流管使用时，晶体管的源极接电源正端，晶体管的漏极接电源负端，使得导通时电流由源极流向漏极。
37.在一些实施例中，第一晶体管t1与为n型晶体管或者p型晶体管中的一者，第二晶体管t2为n型晶体管或p型晶体管中的另一者。
38.其中，第一晶体管t1以及第二晶体管t2均设置在电源管理集成芯片内。在一些实施方式中，电感l以及分流模块101可以设置在电源管理集成芯片外。当然，在另一些实施方式中，电感l以及分流模块101可以设置在电源管理集成芯片内。
39.进一步的，驱动电路10还包括控制模块102。控制模块102具有第一控制端c以及第二控制端d。控制模块102用于输出第一控制信号至第一控制端c。控制模块102用于输出第二控制信号至第二控制端d。第一晶体管t1基于第一控制信号导通或者截止。第二晶体管t2基于第二控制信号导通或者截止。
40.请参阅图2，图2为本技术实施例提供的驱动电路的第一种电路示意图。结合图1、
图2所示，分流模块101包括二极管dt，二极管dt的正极端与接地端gnd电性连接，二极管dt的负极端与第一节点p电性连接。
41.具体的，当第一晶体管t1导通，第二晶体管t2截止时，第一电压端a向第二电压端b和电感l充电，此时，电流从第一晶体管t1流向电感l；当第一晶体管t1截止，第二晶体管t2导通时，电感l续流，继续向第二电压端b充电，此时，电流从第二晶体管t2和二极管dt流向电感l。也即，本技术实施例提供的驱动电路10通过二极管dt提供一电流回路对流经第二晶体管t2的电流进行分流，从而可以避免流经第二晶体管t2的电流过大，降低第二晶体管t2产生的热量，进而降低电源管理集成芯片高温失效的风险，提升电源管理集成芯片的使用寿命。
42.其中，二极管dt可以为肖特基二极管。可以理解的，肖特基二极管的导通压降较低，在驱动电路10中可以使用肖特基二极管作为续流二极管。在本技术实施例中，肖特基二极管的压降为0.3伏
‑
0.7伏之间。
43.请参阅图3，图3为本技术实施例提供的驱动电路中不同阶段的电感电流波形。结合图2、图3所示，假设电感电流il最大值为3安，最小值为1安，肖特基二极管的压降为0.4伏，第二晶体管t2的阻抗为200毫欧。则有，当il*200mω>vf时，电感电流tl的流动路径主要由肖特基二极管提供，其中，il为电感电流,vf为肖特基二极管的压降。从而，电感电流il为2安。也即，当第二晶体管t2导通时，电感电流il在2安～3安之间主要由肖特基二极管提供电流流动路径，电感电流il在1安～2安之间主要由第二晶体管t2提供电流流动路径。
44.其中，当驱动电路10未设置肖特基二极管时，
45.;
46.当驱动电路10设置肖特基二极管时，
47.。
48.也即，对于第二晶体管t2来说，流经第二晶体管t2的电流，驱动电路10设置肖特基二极管时比驱动电路10未设置肖特基二极管时降低62.5％，大大降低了电源管理集成芯片内部产生的热量。
49.请参阅图4，图4为本技术实施例提供的驱动电路的第二种结构示意图。图4所示的驱动电路与图1所示的驱动电路的区别在于：图4所示的驱动电路20还包括滤波模块103。滤波模块103与第二电压端b以及接地端gnd电性连接。滤波模块103用于对第二电压端gnd的电压进行滤波。
50.本技术实施例提供的驱动电路20通过分流模块101提供一电流回路对流经第二晶体管t2的电流进行分流，从而可以避免流经第二晶体管t2的电流过大，降低第二晶体管t2产生的热量，进而降低电源管理集成芯片高温失效的风险，提升电源管理集成芯片的使用寿命。
51.具体的，请参阅图5，图5为本技术实施例提供的驱动电路的第二种电路示意图。结合图4、图5所示，滤波模块103包括第一电容c1以及第二电容c2。第一电容c1的第一端与第
一电压端a电性连接。第一电容c1的第二端与接地端gnd电性连接。第二电容c2的第一端与第一电压端a电性连接。第二电容c2的第二端与接地端gnd电性连接。
52.本技术实施例提供的驱动电路20通过二极管dt提供一电流回路对流经第二晶体管t2的电流进行分流，从而可以避免流经第二晶体管t2的电流过大，降低第二晶体管t2产生的热量，进而降低电源管理集成芯片高温失效的风险，提升电源管理集成芯片的使用寿命。
53.请参阅图6，图6为本技术实施例提供的驱动电路的第三种结构示意图。图6所示的驱动电路与图1所示的驱动电路的区别在于：图6所示的驱动电路30还包括反馈模块104。反馈模块104与第二电压端b电性连接，反馈模块104用于侦测第二电压端b的电压，以调整第一控制端c以及第二控制端d的信号。
54.本技术实施例提供的驱动电路30通过分流模块101提供一电流回路对流经第二晶体管t2的电流进行分流，从而可以避免流经第二晶体管t2的电流过大，降低第二晶体管t2产生的热量，进而降低电源管理集成芯片高温失效的风险，提升电源管理集成芯片的使用寿命。
55.具体的，请参阅图7，图7为本技术实施例提供的驱动电路的第三种电路示意图。结合图6、图7所示，反馈模块104包括第一电阻r1以及第二电阻r2。第一电阻r1的第一端与第二电压端b电性连接。第一电阻r1的第二端与反馈端e电性连接。第二电阻r2的第一端与接地端gnd电性连接。第二电阻r2的第二端与反馈端e电性连接。其中，反馈端e与控制模块102电性连接。
56.本技术实施例提供的驱动电路30通过二极管dt提供一电流回路对流经第二晶体管t2的电流进行分流，从而可以避免流经第二晶体管t2的电流过大，降低第二晶体管t2产生的热量，进而降低电源管理集成芯片高温失效的风险，提升电源管理集成芯片的使用寿命。
57.请参阅图8，图8为本技术实施例提供的驱动电路的第四种结构示意图。图8所示的驱动电路与图1所示的驱动电路的区别在于：图8所示的驱动电路40还包括滤波模块103以及反馈模块104。滤波模块103与第二电压端b以及接地端gnd电性连接。滤波模块103用于对第二电压端b的电压进行滤波。反馈模块104与第二电压端b电性连接，反馈模块104用于侦测第二电压端b的电压，以调整第一控制端c以及第二控制端d的信号。
58.本技术实施例提供的驱动电路40通过分流模块101提供一电流回路对流经第二晶体管t2的电流进行分流，从而可以避免流经第二晶体管t2的电流过大，降低第二晶体管t2产生的热量，进而降低电源管理集成芯片高温失效的风险，提升电源管理集成芯片的使用寿命。
59.具体的，请参阅图9，图9为本技术实施例提供的驱动电路的第四种电路示意图。结合图8、图9所示，滤波模块103包括第一电容c1以及第二电容c2。第一电容c1的第一端与第一电压端a电性连接。第一电容c1的第二端与接地端gnd电性连接。第二电容c2的第一端与第一电压端a电性连接。第二电容c2的第二端与接地端gnd电性连接。反馈模块104包括第一电阻r1以及第二电阻r2。第一电阻r1的第一端与第二电压端b电性连接。第一电阻r1的第二端与反馈端e电性连接。第二电阻r2的第一端与接地端gnd电性连接。第二电阻r2的第二端与反馈端e电性连接。其中，反馈端e与控制模块102电性连接。
60.本技术实施例提供的驱动电路40通过二极管dt提供一电流回路对流经第二晶体管t2的电流进行分流，从而可以避免流经第二晶体管t2的电流过大，降低第二晶体管t2产生的热量，进而降低电源管理集成芯片高温失效的风险，提升电源管理集成芯片的使用寿命。
61.以上对本技术实施例所提供的限流电路进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。