阵列基板的修复方法和阵列基板与流程

1.本技术涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板的修复方法和阵列基板。


背景技术：

2.有源矩阵型有机发光二极管(active matrix organic light
‑
emitting diode，amoled)显示技术是通过薄膜晶体管(thin film transistor，tft)电路控制自发光像素的发光状态，从而实现不同画面的切换。而一个amoled显示面板具有百万乃至千万量级的自发光像素。在面板的制造过程中，由于工艺水准问题，会有一定数量的像素存在阳极层具有突起或阳极层之间相互连接等问题。这些异常的像素就需要通过修复的手段来将其修复成正常的像素。在对阵列基板的阳极层修复的过程中会产生粒子，而产生的粒子会散落至正常的像素区，从而造成后续制备的显示面板的阴极层和阳极层发生短接。


技术实现要素：

3.本技术提供一种阵列基板的修复方法和阵列基板，以避免修复过程中产生的粒子散落至正常像素区，导致后续制备的显示面板的阳极层和阴极层发生短接。
4.一种阵列基板的修复方法，包括：
5.提供一阵列基板，所述阵列基板包括依次层叠设置的衬底、驱动电路层和阳极层，所述阳极层包括待修复区域；
6.提供一静电吸附层，所述静电吸附层位于所述阳极层的一侧；
7.对所述阳极层施加正电压，对所述静电吸附层施加负电压；
8.采用激光透过所述静电吸附层修复所述阳极层的待修复区域。
9.在一些实施例中，所述阵列基板还包括像素定义层，所述像素定义层位于所述阳极层上，所述像素定义层包括暴露出所述阳极层的像素开口。
10.在一些实施例中，所述阵列基板还包括连接部，所述连接部与所述阳极层连接。
11.在一些实施例中，所述静电吸附层包括层叠设置的绝缘膜和导电膜，所述绝缘膜位于靠近所述阳极层的一侧，所述导电膜位于靠近所述激光的一侧。
12.在一些实施例中，所述绝缘膜的厚度为50纳米至100纳米，所述导电膜的厚度为5纳米至50纳米。
13.在一些实施例中，所述静电吸附层距离所述阳极层的距离为1毫米至2毫米。
14.在一些实施例中，所述静电吸附层的光透过率大于80％。
15.在一些实施例中，所述静电吸附层在所述衬底上的正投影覆盖所述阳极层的待修复区域在所述衬底上的正投影。
16.在一些实施例中，对所述阳极层和所述静电吸附层施加电压的电源为直流电源，施加电压的电压值为5伏至50伏。
17.在一些实施例中，所述激光的波长为950纳米至1200纳米，所述激光的能量为2兆焦耳至6兆焦耳。
18.本技术还提供一种阵列基板，所述阵列基板包括依次层叠设置的衬底、驱动电路层和阳极层，所述阵列基板还包括连接部，所述连接部与所述阳极层连接。
19.本技术提供一种阵列基板的修复方法和阵列基板。阵列基板的修复方法包括：提供一阵列基板，所述阵列基板包括依次层叠设置的衬底、驱动电路层和阳极层，所述阳极层包括待修复区域；提供一静电吸附层，所述静电吸附层位于所述阳极层的一侧；对所述阳极层施加正电压，对所述静电吸附层施加负电压；采用激光透过所述静电吸附层修复所述阳极层的待修复区域。采用本技术提供的阵列基板的修复方法修复阳极层的待修复区域，修复过程中产生的粒子因带正电性被阳极层排斥，同时会被具有负电性的静电吸附层吸附至静电吸附层朝向阳极层的表面，从而避免粒子落入正常的像素区，导致后续制备的显示面板的阳极层和阴极层发生短接。
附图说明
20.为了更清楚地说明本技术中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1为本技术实施例提供的阵列基板的平面示意图。
22.图2为本技术实施例提供的阵列基板沿aa’线的剖面图。
23.图3为采用现有的阵列基板的修复方法修复阵列基板的场景图。
24.图4为采用现有的阵列基板的修复方法修复阵列基板后造成显示面板的阳极层和阴极层短接的示意图。
25.图5为本技术实施例提供的阵列基板的修复方法的流程图。
26.图6为采用本技术实施例提供的阵列基板的修复方法修复阵列基板的场景图。
具体实施方式
27.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
28.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。需要说明的是，在本发明实施例中，应理解，诸如“包括”或“具有”等的术语旨在指示本说明书中所公开的特征、数字、步骤、行为、部件、部分或其组合的存在，并且不欲排除一个或多个其他特征、数字、步骤、行为、部件、部分或其组合存在或被添加的可能性。在本发明的各种实施例中，应理解，下述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
29.请参阅图1
‑
2，图1为本技术实施例提供的阵列基板的平面示意图。图2为本技术实施例提供的阵列基板沿aa’线的剖面图。
30.阵列基板100包括显示区100a和外围区100b。阵列基板100包括依次层叠设置的衬底10、驱动电路层20和阳极层30。阳极层30包括待修复区域30a。阳极层30的待修复区域30a
可以是蚀刻不完全形成的阳极突起或者相邻像素间的阳极层30连接一起造成的短路点。本技术以阳极层30的待修复区域30a为阳极突起为例，并不能限制本技术。
31.衬底10可以是柔性衬底或玻璃基板。本技术在此对衬底10的材质不作限定。驱动电路层20包括多个薄膜晶体管21。薄膜晶体管21包括有源层211、栅极绝缘层212、栅极213、层间介质层214、源极2151、漏极2152和钝化层216。阳极层30与薄膜晶体管21的源极2151连接。
32.有源层211可以由氧化铟镓锌(igzo)、氧化铟镓锌锡(igzto)或氧化铟镓锡(igto)中的一种或多种形成。栅极绝缘层212可以由sio
x
或sio
x
/sin
x
的叠层形成。栅极213可以由钼(mo)、钛(ti)、铝(al)或铜(cu)的一种或多种形成。层间介质层214可以由氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氧化硅(sio
x
)/氮化硅(sin
x
)的叠层形成。源极2151和漏极2152可以由钼(mo)、钛(ti)、铝(al)或铜(cu)的一种或多种形成。钝化层216可以由sio
x
或sio
x
/sin
x
的叠层形成。钝化层216可以通过化学气相沉积的方式形成。阳极层30可以由氧化铟锡/银/氧化铟锡或银铝合金形成。阳极层30可以通过物理气相沉积的方式或磁控溅射的方式形成。
33.在一些实施例中，阵列基板100还可以包括像素定义层40。像素定义层40位于阳极层30上。像素定义层40包括暴露出阳极层30的像素开口41。
34.像素定义层40可以通过喷墨打印工艺或化学气相沉积的方式形成。像素定义层40可以由亚克力、环氧树脂或聚酰亚胺有机光阻材料形成。
35.在一些实施例中，阵列基板100还可以包括连接部2153。连接部2153与阳极层30连接。
36.连接部2153位于阵列基板100的外围区100b。连接部2153与薄膜晶体管21的源极2151和漏极2152同层设置，可以用于外接电源。在本技术中，将连接部2153外接电源可以用于对阳极层30充电。
37.在一些实施例中，阵列基板100还可以包括遮光层50。遮光层50设置在衬底10和驱动电路层20之间。具体的，遮光层50与薄膜晶体管21的有源层211对应设置。遮光层50在衬底10上的正投影覆盖有源层211在衬底10上的正投影。
38.遮光层50可以由钼(mo)或钼(mo)/铜(cu)的叠层金属形成。遮光层50可以通过物理气相沉积的方式形成。
39.本技术通过设置遮光层50，可以阻挡外界光线对薄膜晶体管21的影响，避免薄膜晶体管21阈值电压产生负漂，从而提高阵列基板100的稳定性。
40.在一些实施例中，阵列基板100还可以包括缓冲层60。缓冲层60覆盖遮光层50。
41.缓冲层60可以由sio
x
或sio
x
/sin
x
的叠层形成。缓冲层60可以通过化学气相沉积的方式形成。
42.本技术通过设置缓冲层60，可以增强阵列基板100的弯曲强度，缓冲弯曲应力。
43.在一些实施例中，阵列基板100还可以包括平坦化层70，平坦化层70位于驱动电路层20与阳极层30之间。阳极层30贯穿平坦化层70与薄膜晶体管21的源极2151连接。
44.平坦化层70可以由有机光阻材料形成。具体的，平坦化层70可以由丙烯酸树脂(aa)、环氧树脂(ep)、酚醛树脂(pf)、聚酰胺树脂(pa)或聚酰亚胺(pi)等有机材料中的一种或多种形成。
45.本技术通过将平坦化层70设置在驱动电路层20与阳极层30之间，可以改善驱动电
路层20的平整度，有利于后续制备发光结构层，进而提高显示面板的产品良率。
46.请参阅图3
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4，图3为采用现有的阵列基板的修复方法修复阵列基板的场景图。图4为采用现有的阵列基板的修复方法修复阵列基板后造成显示面板的阳极层和阴极层短接的示意图。
47.由图3
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4可知，在采用激光器300发出的激光301对阵列基板100的阳极层30的待修复区域30a修复的过程中会产生粒子31，而粒子31会散落至显示面板1000的正常像素区，造成显示面板1000的阳极层30和阴极层80短接，使得显示面板1000的正常像素区出现暗点。
48.请参阅图5
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6，图5为本技术实施例提供的阵列基板的修复方法的流程图。图6为采用本技术实施例提供的阵列基板的修复方法修复阵列基板的场景图。
49.本技术提供一种阵列基板的修复方法，包括：
50.步骤b10：提供一阵列基板，所述阵列基板包括依次层叠设置的衬底、驱动电路层和阳极层，所述阳极层包括待修复区域。
51.本技术提供的阵列基板100如前所述，在此不再赘述。
52.步骤b20：提供一静电吸附层，所述静电吸附层位于所述阳极层的一侧。
53.如图5所示，静电吸附层200包括层叠设置的绝缘膜201和导电膜202。
54.其中，绝缘膜201可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、环烯烃聚合物(cop)或超薄玻璃(utg)的一种或多种形成。导电膜202可以由氧化铟锡或镁银合金的一种或两种形成。导电膜202可以通过物理磁控溅射或者蒸镀的方式形成。
55.所谓超薄玻璃是相对普通玻璃的厚度而言，一般厚度在1500微米以下称之为超薄玻璃。其中，厚度小于500微米的超薄玻璃具有良好的挠性。厚度小于100微米的超薄玻璃具有可弯曲性能，又可以称为柔性玻璃。
56.在一些实施例中，绝缘膜201的厚度为50纳米至100纳米。导电膜202的厚度为5纳米至50纳米。具体的，绝缘膜201的厚度可以为50纳米、60纳米、70纳米、80纳米、90纳米或100纳米。导电膜202的厚度为5纳米至50纳米。具体的，导电膜202的厚度可以为5纳米、15纳米、25纳米、35纳米、45纳米或50纳米。
57.当绝缘膜201的厚度过厚时，静电吸附层200无法实现对修复过程中产生的粒子31的吸附。此外，绝缘膜201和导电膜202的厚度共同决定了激光器300发出的激光301透过静电吸附层200的光透过率。而激光301的光透过率决定了对阳极层30的待修复区域30a的修复效果。因此本技术通过控制绝缘膜201的厚度为50纳米至100纳米。导电膜202的厚度为5纳米至50纳米，以保证静电吸附层200对修复过程中产生的粒子31具有好的吸附效果，还可以保证激光301能实现最大的透过率。
58.在一些实施例中，静电吸附层200的光透过率大于80％。
59.本技术通过设置静电吸附层200的光透过率大于80％以保证激光301的透过率能够修复阳极层30的待修复区域30a且具有好的修复效果。
60.请参阅图6，静电吸附层200设置于阵列基板100和激光器300之间。其中，绝缘膜201位于阳极层30的一侧。导电膜202位于激光器300的一侧。
61.当对静电吸附层200施加负电压时，导电膜202用于电荷聚集并吸附修复过程中产生的带正电性的粒子31。绝缘膜201用于防止被吸附的带正电性的粒子31与带负电性的导电膜202发生电荷中和，散落至正常像素区。
62.本技术通过将静电吸附层200设置于阵列基板100和激光器300之间，当激光器300发出的激光301透过静电吸附层200修复阳极层30的待修复区域30a时，会产生一些带正电性的粒子31，利用静电吸附原理，静电吸附层200可以吸附修复过程中产生的带正电性的粒子31，从而避免粒子31落入正常的像素区，导致显示面板的阳极层和阴极层发生短接，以实现修复后的显示面板的像素区都能够正常显示。
63.在一些实施例中，静电吸附层200距离阳极层30的待修复区域30a的距离d1为1毫米至2毫米。具体的，静电吸附层200距离阳极层30的待修复区域30a的距离d1可以为1毫米、1.5毫米或2毫米。
64.在一些实施例中，静电吸附层200距离激光器300的距离d2为1毫米至2毫米。具体的，静电吸附层200距离激光器300的距离d2可以为1毫米、1.5毫米或2毫米。阳极层30的待修复区域30a所处的位置为激光301焦距所在的位置或距离激光301焦距所在的平面正负0.5毫米的位置。
65.激光301用于去除阳极层30的待修复区域30a的阳极突起以实现对阳极层30的待修复区域30a的修复。当激光器300距离阳极层30的待修复区域30a的距离过大时，无法实现对阳极层30的待修复区域30a的修复。本技术通过在阵列基板100和激光器300之间设置静电吸附层200可以吸附修复过程中产生的带正电性的粒子31。当静电吸附层200距离阳极层30的距离过大时，静电吸附层200无法吸附修复过程中产生的带正电性的粒子31。因此本技术通过控制静电吸附层200距离激光器300的距离d1为1毫米至2毫米，静电吸附层200距离阳极层30的待修复区域30a的距离d2为1毫米至2毫米，以实现对阳极层30的待修复区域30a的修复。
66.在一些实施例中，静电吸附层200在衬底10上的正投影覆盖阳极层30的待修复区域30a在衬底10上的正投影。
67.静电吸附层200用于吸附修复过程中产生的带正电性的粒子31。因此，通过设置静电吸附层200在衬底10上的正投影覆盖阳极层30的待修复区域30a在衬底10上的正投影。也即静电吸附层200的面积大于阳极层30的待修复区域30a的面积，以保证在激光301修复阳极层30的待修复区域30a时，能够将修复过程中产生的带正电性的粒子31全部吸附至静电吸附层200上，从而避免修复过程中产生的带正电性的粒子31落入正常的像素区，导致显示面板的阳极层和阴极层发生短路，以实现修复后的显示面板的所有像素区都能够正常显示。
68.步骤b30：对所述阳极层施加正电压，对所述静电吸附层施加负电压。
69.将电源400的正极与阵列基板100的连接部2153连接；将电源400的负极与静电吸附层200的导电膜202连接，实现同时对阳极层30施加正电压，对静电吸附层200施加负电压。
70.在一些实施例中，对阳极层30和静电吸附层200施加电压的电源400为直流电源，施加的电压值为5伏至50伏。具体的，施加的电压值为5伏、15伏、25伏、35伏、45伏或50伏。
71.本技术通过对阳极层30施加正电压，使得修复过程中产生的粒子31也具有正电性。对导电膜202施加负电压，保证修复过程中产生的带正电性的粒子31在静电作用下能够被吸附至静电吸附层200的绝缘膜201上。
72.本技术通过设置对阳极层30和静电吸附层200施加电压的电源400为直流电源，以
保证阳极层30一直具有正电性，静电吸附层200一直具有负电性。并通过控制对阳极层30和静电吸附层200施加电压的电压值为5伏至50伏，以保证静电吸附层200与带正电性的粒子31之间的吸附力不易使带正电性的粒子31从静电吸附层200上脱落至正常的像素区。
73.步骤b40：采用激光透过所述静电吸附层修复所述阳极层的待修复区域。
74.采用激光器300发出的激光301透过静电吸附层200修复阳极层30的待修复区域30a。阳极层30的待修复区域30a所处的位置为激光301焦距所在的位置或距离激光301焦距所在的平面正负0.5毫米的位置。由于静电吸附层200所处的平面不属于激光301焦距所在的位置，因此，当激光301透过静电吸附层200修复阳极层30的待修复区域30a时，不会对静电吸附层200造成损坏。
75.在一些实施例中，激光301的波长为950纳米至1200纳米。激光301能量为2兆焦耳至6兆焦耳。具体的，激光的波长可以为950纳米、1000纳米、1064纳米、1100纳米、1150纳米或1200纳米。激光的能量可以为2兆焦耳、3兆焦耳、4兆焦耳、5兆焦耳或6兆焦耳。
76.当激光301的能量过大时，会损伤到阳极层30的待修复区域30a周围正常的像素。当激光301的能量过小时，则无法去除阳极层30的待修复区域30a中的阳极突起，无法完成对阳极层30的待修复区域30a的修复。因此，本技术通过采用波长为950纳米至1200纳米，能量为2兆焦耳至6兆焦耳的激光301透过静电吸附层200修复阳极层30的待修复区域30a，可以提高修复的成功率，进而提高显示面板的良率。
77.在一些实施例中，在采用激光透过静电吸附层修复阳极层的待修复区域30a之前还可以包括：
78.步骤b50：定位所述阳极层的待修复区域。
79.可以采用电荷耦合元件(charge coupled device，ccd)拍照或电信号检测的方式对阳极层30的待修复区域30a进行定位。具体的，可以通过阵列基板测试(array test)判断每个阳极层30是否存在异常，从而定位出阳极层30的待修复区域30a。
80.在采用激光301透过静电吸附层200修复阳极层30的待修复区域30a之前，先定位出阳极层30的待修复区域30a，以便后续能够准确快速的完成对阳极层30的待修复区域30a的修复。
81.本技术提供一种阵列基板的修复方法，包括：提供一阵列基板，阵列基板包括依次层叠设置的衬底、驱动电路层和阳极层，阳极层包括待修复区域。提供一静电吸附层，静电吸附层位于阳极层的一侧。对阳极层施加正电压，对静电吸附层施加负电压。采用激光透过静电吸附层修复阳极层的待修复区域。采用本技术提供的阵列基板的修复方法修复阳极层的待修复区域，修复过程中产生的粒子因带正电性被阳极层排斥，同时会被具有负电性的静电吸附层吸附至静电吸附层朝向阳极层的表面，从而避免粒子落入正常的像素区，导致显示面板的阳极层和阴极层发生短接。
82.综上所述，虽然本技术实施例的详细介绍如上，但上述实施例并非用以限制本技术，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术实施例的技术方案的范围。