太阳能电池及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：基板(10)和依次层叠于所述基板(10)上的反射镜层(20)、p电极层(30)、p型欧姆接触层(40)、电池层(50)、n型algainp层(60)、n电极层(70)和抗反射层(80)；所述电池层(50)包括依次层叠于所述p型欧姆接触层(40)上的gainas电池层(501)、第一隧穿结(502)、gainasp电池层(503)、第二隧穿结(504)、gaas电池层(505)、第三隧穿结(506)、algaas电池层(507)、第四隧穿结(508)和algainp电池层(509)。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述gainas电池层(501)、所述gainasp电池层(503)、所述gaas电池层(505)、所述gainasp电池层(503)和所述algainp电池层(509)均包括依次层叠的背反射层(511)、基区层(512)、发射区层(513)和窗口层(514)。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述反射镜层(20)包括依次层叠于所述基板(10)上的第一tio2层(202)和第一mgf2层(201)，所述第一mgf2层(201)的折射率为1.28～1.30，所述第一tio2层(202)的折射率为2.5～2.6。4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述反射镜层(20)还包括au层(203)，所述au层(203)位于所述基板(10)和所述第一mgf2层(201)之间。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述抗反射层(80)包括依次层叠于所述n型algainp层(60)上的第二tio2层(801)和第三tio2层(802)，所述第三tio2层(802)远离所述基板(10)的表面有多个锥形凸起(803)。6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述抗反射层(80)还包括依次层叠于所述第三tio2层(802)上的hfo2层(804)、a2o3层(805)和第二mgf2层(806)，所述hfo2层(804)的折射率、所述a2o3层(805)的折射率和所述第二mgf2层(806)的折射率依次变大或者变小。7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述n电极层(70)包括n型欧姆接触层(701)和第一金属凸起(702)，所述n型欧姆接触层(701)位于所述n型algainp层(60)远离所述基板(10)的表面，所述抗反射层(80)上设有贯通至所述n型欧姆接触层(701)的第一过孔(807)，所述第一金属凸起(702)位于所述第一过孔(807)内且通过所述第一过孔(807)延伸至所述抗反射层(80)外。8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二tio2层(801)具有露出所述p型欧姆接触层(40)的凹槽(a)，所述hfo2层(804)、所述a2o3层(805)和所述第二mgf2层(806)覆盖在所述第二tio2层(801)和所述凹槽(a)的表面；所述p电极层(30)包括金属电极层(301)和第二金属凸起(302)，所述金属电极层(301)位于所述反射镜层(20)和所述p型欧姆接触层(40)之间，所述p型欧姆接触层(40)、所述hfo2层(804)、所述a2o3层(805)和所述第二mgf2层(806)上均设有贯通至所述金属电极层(301)的第二过孔(401)，所述第二金属凸起(302)位于所述第二过孔(401)内且通过所述第二过孔(401)延伸至所述凹槽(a)内。9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一金属凸起(702)呈条状，所述第二金属凸起(302)均呈框状，所述第二金属凸起(302)环绕所述电池层。
10.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长n型algainp层、电池层和p型欧姆接触层，所述电池层包括依次层叠于所述n型algainp层上的algainp电池层、第四隧穿结、algaas电池层、第三隧穿结、gaas电池层、第二隧穿结、gainasp电池层、第一隧穿结和gainas电池层；在所述p型欧姆接触层的表面上依次形成p电极层和反射镜层；在所述反射镜层的表面设置基板，并去除所述衬底；在所述n型algainp层的表面形成抗反射层。

技术总结
本公开提供了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括：基板和依次层叠于所述基板上的反射镜层、p电极层、p型欧姆接触层、电池层、n型AlGaInP层、n电极层和抗反射层；所述电池层包括依次层叠于所述p型欧姆接触层上的GaInAs电池层、第一隧穿结、GaInAsP电池层、第二隧穿结、GaAs电池层、第三隧穿结、AlGaAs电池层、第四隧穿结和AlGaInP电池层。本公开能降低太阳能电池的入射面的反光率且使得更多的入射光被吸收并转化，以改善太阳能电池的光电转换效率。换效率。换效率。


技术研发人员：肖和平 朱迪 朱志佳
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2021.06.30
技术公布日：2021/11/23