一种三线制模拟电子等离子冲击波发火电路及电能引爆具的制作方法

1.本实用新型一种三线制模拟电子等离子冲击波发火电路及电能引爆具，属于等离子冲击波引爆震源药柱、起爆具，或无起爆装药结构的电雷管技术领域。


背景技术：

2.现有国内外爆破工程中使用震源药柱、起爆具必须安装雷管，并通过两线制起爆器连接两线制电雷管，或两线制数码起爆器连接两线制数码电子雷管，起爆震源药柱内部装填的主炸药，以及引爆起爆具内部装填的主炸药；由于现有的两线制工业电雷管、数码电子雷管，以及导爆管雷管中的发火元件（电阻丝点火药头）和装药结构中，都采用的是“燃烧转爆轰”机理（点火药头点燃
→
火燃点燃起爆药
→
起爆药燃烧转爆轰
→
初始爆轰波传入猛炸药
→
猛炸药加强爆轰波输出），使得雷管内部都装填有机械感度极高的起爆药（如：硝酸肼镍或二硝基重氮酚）。
3.装填有起爆药装药结构的雷管是一种高危险产品，在日常生产、运输、储存、爆破工程使用过程中极易发生爆炸事故；另外传统的分段延期电雷管和导爆管延期雷管，有秒延期及毫秒延期两种，而且是由点火药头点燃一段延期体中的传火药剂，延期体一般为带有药芯的铅柱，延期时间是靠药芯的药剂配比及燃速和延期体的长短而定。
4.因此，本实用新型提出了一种三线制模拟电子等离子冲击波发火电路的电能引爆具与震源药柱、起爆具相结合，能形成一种无需安装雷管的直接采用电能引爆震源药柱、起爆具。


技术实现要素：

5.为了解决爆破工程中在现场使用震源药柱、起爆具必须安装雷管，这一不安全因素的技术难题，本实用新型要解决的技术问题为：提供一种三线制模拟电子等离子冲击波发火电路及电能引爆具，电能引爆具安装在震源药柱、起爆具中，形成一种无需安装雷管的、直接采用电能引爆震源药柱、起爆具的引爆具。
6.为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：一是采用“等离子冲击波转爆轰”机理的等离子点火具，二是实用新型一种三线制模拟电子等离子冲击波发火电路，三是采用塑封工艺将实用新型的三线制模拟电子等离子冲击波发火电路，设计制成具体的电能引爆的器具。
7.根据上述三点技术解决方案，本实用新型一种三线制模拟电子等离子冲击波发火电路，包括电桥dz、稳压电路、光耦合器u2、延时电路u1、高压驱动电路、高压场效应管nm1、等离子点火具dhj，高压电容器cg；所述三线制模拟电子等离子冲击波发火电路中的a脚线端子、b脚线端子、fb发爆极脚线端子是通过三线制总线与三线起爆器相连，其中a脚线端子、b脚线端子与三线起爆器提供的电源端相连，发爆极脚线fb与三线起爆器的高电压发爆信号端相连，所述三线起爆器提供的电源正极、负极的直流电压≤200v、发爆极信号的正电压≤200v；所述光耦合器u2输入端作为发爆极fb电压信号的耦合输入端；
8.当发火电路的发爆极脚线fb接收到高电压触发信号时，通过三线制组网进行控制、触发分段延时、将模拟电子等离子冲击波发火电路中高压电容器cg的电能在等离子点火具中放电，瞬时形成等离子气态冲击波，使等离子点火具dhj中心的桥箔瞬时电爆炸。
9.所述光耦合器u2采用三极管输出型和可控硅输出型光耦合器，所述延时电路u1采用rlr763比较器或ne555时基电路；所述高压场效应管nm1采用耐压大于150v的低内阻的mosfet管；所述高压电容器cg采用储能大于0.3焦耳。
10.所述等离子点火具dhj采用薄绝缘板上进行真空溅射金属镀膜工艺或采用印刷线路板工艺，制成金属箔膜中刻蚀微米数量级金属桥箔和连接金属桥箔的金属化孔a和金属化孔b；所述的金属桥箔两端中心区有金属箔小凸起，金属箔小凸起之间有一桥箔线，桥箔线的电阻值≤0.1m
ω
。
11.所述发火电路为三线制模拟电子瞬发等离子冲击波发火电路，包括电桥dz、稳压电路、光耦合器u2、高压驱动电路、高压场效应管nm1、等离子点火具dhj，高压电容器cg；所述稳压电路包括三极管t1、稳压管w1和电阻r2；所述高压驱动电路由三极管t2和t3、二极管d1、电阻r5
‑
r8组成；
12.所述电桥dz的1脚、3脚连接a脚线端子、b脚线端子，所述电桥dz的2脚、4脚连接稳压电路；所述光耦合器u2的1脚连接电阻r3的一端、电容c1的一端，电阻r3的另一端连接发爆极脚线端子fb，电容c1的另一端连接电桥dz的4脚接地，所述光耦合器u2的2脚通过稳压管w2相连接地；
13.所述稳压电路的三极管t1的基极串接稳压管w1后接地，所述三极管t1的集电极与电桥dz的2脚相连，所述三极管t1的集电极和基极之间连接有电阻r2，所述三极管t1的发射极通过连接电阻r4与光耦合器u2的3脚相连；
14.所述高压驱动电路的三极管t2的基极与光耦合器u2的4脚和电阻r5一端相连，电阻r5另一端接地，所述三极管t2的发射极通过二极管d1接地，所述三极管t2的集电极连接三极管t3的基极、电阻r6的一端，电阻r6的另一端并接电阻r1的一端，电阻r1的另一端与电桥dz的2脚相连，三极管t3的发射极串接电阻r8后与电阻r1的一端相连，所述三极管t3的集电极连接电阻r7的一端、高压场效应管nm1的g极，电阻r7的另一端接地；
15.所述高压场效应管nm1的d极连接等离子点火具dhj一端，等离子点火具dhj另一端接高压电容器cg的正极，高压电容器cg的负极与高压场效应管nm1的s极相联接地；
16.所述a脚线端子、b脚线端子接入直流电压≤200v，此时直流电压≤200v经电桥dz、电阻r1、等离子点火具dhj给高压电容器cg充电。
17.所述发火电路为三线制模拟电子延时等离子冲击波发火电路，包括电桥dz、稳压电路、光耦合器u2、延时电路u1、高压驱动电路、高压场效应管nm1、等离子点火具dhj、高压电容器cg；所述稳压电路包括三极管t1、稳压管w1和电阻r2；所述光耦合器u2采用可控硅输出型光耦合器；所述延时电路u1采用电压误差
±
0.4%的电压选通型比较器rlr763；所述高压驱动电路由三极管t2和t3、二极管d1、和电阻r5
‑
r8组成；
18.所述电桥dz的1脚、3脚连接a脚线端子、b脚线端子，所述电桥dz的2脚连接稳压电路，所述光耦合器u2的1脚连接电阻r3的一端、电容c1的一端，电阻r3的另一端连接发爆极脚线端子fb，电容c1的另一端连接，电桥dz的4脚接地，所述光耦合器u2的2脚通过稳压管w2相连接地；
19.所述光耦合器u2输出的3脚连接延时电路u1的电压选通2脚，光耦合器u2输出的4脚通过r4接地；
20.所述发火电路的a脚线端子、b脚线端子接入直流电压≤200v，此时直流电压≤200v经电桥dz、电阻r1、等离子点火具dhj给高压电容器cg充电；
21.所述发爆极脚线fb没有接收高电压触发信号时，光耦合器u2内部的可控硅处在截止状态，延时比较器u1的2脚为高电平、输出端6脚保持为低电平，高压驱动电路没有驱动信号触发场效应管nm1的g极，使场效应管nm1处在截止状态；
22.所述发火电路的发爆极脚线fb接收高电压触发信号时，光耦合器u2内的可控硅导通，延时电路u1的2脚为低电平，延时电路u1的4、5脚开始通过电阻rt给电容ct充电，当电容ct充电超过8v时延时比较器u1的6脚在电阻r5压降输出高电平触发驱动电路使高压场效应管nm1的g极，高压场效应管nm1的d极和s极瞬时导通，高压电容器cg储存的电能经等离子点火具dhj和高压场效应管nm1的d极和s极的回路进行放电，使等离子点火具dhj中心的桥箔瞬时电爆炸。
23.所述发火电路为三线制地震波感应延时等离子冲击波发火电路，包括电桥dz、稳压电路、光耦合器电源开关电路、地震波感应延时电路、高压驱动电路、高压场效应管nm1、等离子点火具dhj、高压电容器cg；所述稳压电路包括三极管t1、稳压管w1和电阻r2；所述光耦合器电源开关电路包括光耦合器u2、三极管t2、电阻r4和r5，其中光耦合器u2采用可控硅输出型光耦合器；所述地震波感应延时电路包括地震波传感器cgq、延时电路u1、场效应管nm2和nm3、可控硅scr、电阻r6
‑
r9、电容c2和c3、延时电阻电容rtct，其中延时电路u1采用ne555时基电路；所述高压驱动电路由三极管t3和t4、二极管d1、和电阻r10
‑
r14组成；
24.所述电桥dz的1脚、3脚连接a脚线端子、b脚线端子，所述电桥dz的2脚连接稳压电路，所述光耦合器u2的1脚连接电阻r3的一端、电容c1的一端，电阻r3的另一端连接发爆极脚线端子fb，电容c1的另一端接地，电桥dz的4脚接地，所述光耦合器u2的2脚通过稳压管w2相连接地；
25.所述光耦合器电源开关电路中光耦合器u2输出的3脚通过电阻r5连接三极管t2的基极，三极管t2的基极和发射极并联电阻r4，光耦合器u2输出的4脚接地，并组成稳压电源vcc的开关电路；
26.所述地震波感应延时电路中地震波传感器cgq、场效应管nm3、电阻r6
‑
r9、电容c2组成地震波放大电路；可控硅scr、场效应管nm2、电阻r7组成延时电容ct的短路、开路电路；延时电路u1、电阻电容rtct、电容3组成延时电路；
27.所述a脚线端子、b脚线端子接入直流电压≤200v，此时直流电压≤200v经电桥dz、电阻r1、等离子点火具dhj给高压电容器cg充电；
28.所述地震波感应延时等离子冲击波发火电路的a脚线端子、b脚线端子、fb发爆极脚线端子通过三线制总线相对应连接三线制起爆器时，三线制起爆器提供a脚线端子、b脚线端子的电压≤200v，而发爆极脚线fb没有接收高电压触发信号时，光耦合器u2内发光二极管不发光，输出可控硅处在截止状态，此时光耦合器电源开关电路没有vcc稳压电压输出，地震波感应延时电路不工作，高压驱动电路没有驱动信号触发场效应管nm1的g极，使场效应管nm1处在截止状态；当发火电路的发爆极脚线fb接收高电压触发信号时，光耦合器u2内可控硅导通，此时的光耦合器电源开关电路有vcc稳压电压输出，地震波感应延时电路处
于等待工作状态，延时电路u1的3脚保持低电平；只有当地震波传感器cgq感应到地震信号，由传感器cgq、场效应管nm3、电阻r6和r8、电容c2、电阻r9组成的信号放大电路输出地震波信号触发可控硅scr的触发极，可控硅scr导通，场效应管nm2截止，此时电容ct通过电阻rt进行充电，延时电路u1的6脚和2脚的高电平2vcc/3逐步下降到vcc/3时，延时电路u1的3脚输出高电平，触发高压驱动电路，使电阻r12的压降高压触发场效应管nm1的g极，高压场效应管nm1的d极和s极瞬时导通，此时高压电容器cg储存的电能经等离子点火具dhj的a、b金属化孔的电极连接在高压场效应管nm1的d极和s极的回路进行放电，使等离子点火具dhj中心的桥箔瞬时电爆炸形成等离子冲击波。
29.一体化注塑成形的等离子冲击波引爆具内部设置有等离子点火具、电极线、电路板、高压储能电容、三线制脚线；所述电路板上集成有三线制模拟电子等离子冲击波发火电路。
30.所述的一体化注塑成形的等离子冲击波电能引爆具与震源药柱、起爆具和无起爆药雷管相结合，能够组成三线制模拟电子等离子冲击波引爆具无雷管震源药柱、起爆具和三线制模拟电子等离子冲击波引爆具无起爆药装药结构的雷管。
31.本实用新型针对现有的震源药柱、起爆具都需要安装两线制脚线的电雷管或带有微处理的两线制脚线的数码电子雷管技术具备的有益效果为：本实用新型提供一种三线制模拟电子等离子冲击波发火电路的电能引爆具，使得现有震源药柱和起爆具无须安装雷管，直接由本实用新型的三线制模拟电子等离子冲击波发火电路，通过控制储能电容器cg在等离子点火具dhj中放电，瞬时形成高压、高温、高速等离子气态冲击波，引爆震源药柱和起爆具中的主炸药形成强爆轰波输，进而所形成的三线制本质安全性爆破系统，具有耐高电压、电容储能高、分段延时精度高、抗电磁干扰强、可靠性高、制造成本低、工程爆破施工安全性高和爆破系统操作简单等优点。
附图说明
32.下面结合附图对本实用新型做进一步说明：
33.图1为本实用新型实施例1三线制模拟电子瞬发等离子冲击波发火电路原理图；
34.图2为本实用新型实施例2三线制模拟电子延时等离子冲击波发火电路原理图；
35.图3为本实用新型实施例3三线制地震波感应延时等离子冲击波发火电路原理图；
36.图4为本实用新型等离子点火具结构及放电产生等离子冲击波曲线示意图；
37.图5为本实用新型的一种模拟电子模拟电子等离子冲击波发火引爆具结构图；
38.图6为本实用新型的模拟电子等离子冲击波发火引爆具和震源药柱连接结构示意图；
39.图7为本实用新型的模拟电子等离子冲击波发火引爆具和起爆具连接结构示意图。
具体实施方式
40.如图1
‑
7所示，本实用新型的三线制，是指本实用新型的模拟电子等离子冲击波发火电路中的a脚线端子、b脚线端子、fb发爆极脚线端子，是通过现场长距离的三根线总线与三线起爆器相连，其中a脚线端子、b脚线端子和三线起爆器提供的正极、负极直流电压≤
200v的电源端相连，发爆极脚线fb与三线起爆器的发爆极的正电压≤200v信号端相连；所述模拟电子电路，是指采用没有微处理器电路的模拟电子电路（非数码电子电路）；所述光耦合器u2采用三极管输出型和可控硅输出型光耦合器；所述延时电路u1采用rlr763比较器和ne555时基电路；所述高压场效应管nm1采用耐高压、大功率低内阻的mosfet管；所述高压电容器cg的储存电能大于0.3j；所述等离子点火具dhj采用薄绝缘板上进行真空溅射金属镀膜工艺或采用印刷线路板工艺，制成金属箔膜中刻蚀微米数量级金属桥箔和连接金属桥箔的金属化孔a和金属化孔b；所述的金属桥箔两端中心区有金属箔小凸起，金属箔小凸起之间有一桥箔线，桥箔线的电阻值≤0.1m
ω
。
41.如附图1所示，是本实用新型实施例1三线制瞬发等离子冲击波发火电路原理图100a，是由电桥dz、稳压电路、光耦合器u2、高压驱动电路、高压场效应管nm1、等离子点火具dhj，高压电容器cg所组成；所述稳压电路包括三极管t1、稳压管w1和电阻r2；所述高压驱动电路由三极管t2和t3、二极管d1、电阻r5
‑
r8组成。
42.所述稳压电路中三极管t1的基极接稳压管w1负极，稳压管w1正极接电桥dz的负极3端地，所述三极管t1的集电极与电桥dz的2脚正极相连，所述三极管t1的集电极和基极之间接有电阻r2，所述三极管t1的发射极输出为稳压电源正极vcc。
43.所述电桥dz的1脚、3脚连接a脚线端子、b脚线端子，所述电桥dz的2脚、4脚连接稳压电路，所述光耦合器u2的1脚连接电阻r3的一端、电容c1的一端，电阻r3的另一端连接发爆极脚线fb端子，电容c1的另一端连接电桥dz的4脚，电桥dz的4脚接地，所述光耦合器u2的2脚连接稳压管w2的负极，稳压管w2的正极接地。
44.所述稳压电路给光耦合器u2采用三极管输出型光耦合器，光耦合器u2的3脚通过电阻r4接稳压电源正极vcc，光耦合器u2的4脚通过电阻r5接地。
45.所述高压驱动电路的三极管t2的基极连接光耦合器u2的4脚，三极管t2的发射极通过二极管d1接地，三极管t2的集电极连接三极管t3的基极并通过电阻r6接高压vh，三极管t3的发射极通过r8接高压vh，三极管t3的集电极通过r7接地，三极管t3的集电极连接场效应管nm1的g极；所述大功率、低内阻场效应管nm1的d极连接高压vh并通过等离子点火具dhj连接高压电容器cg的正极，高压电容器cg的负极连接场效应管nm1的s极并接地；所述高压vh通过电阻r1连接电桥dz的2脚端。
46.所述等离子冲击波发火电路的a脚线端子、b脚线端子、fb发爆极脚线端子通过三线制总线相对应连接三线制起爆器时，三线制起爆器提供a脚线端子、b脚线端子的电压≤200v，而发爆极脚线fb没有接收高电压触发信号时，光耦合器u2内发光二极管不发光，输出三极管处在截止状态，高压驱动电路没有驱动信号触发场效应管nm1的g极，使场效应管nm1处在截止状态；当发火电路的发爆极脚线fb接收高电压触发信号时，光耦合器u2内三极管导通，并通过电阻r5的压降输出高电平，触发驱动电路，使电阻r7的压降高压触发场效应管nm1的g极，高压场效应管nm1的d极和s极瞬时导通，此时高压电容器cg储存的电能经等离子点火具dhj的a、b金属化孔的电极连接在高压场效应管nm1的d极和s极的回路进行放电，使等离子点火具dhj中心的桥箔瞬时电爆炸形成等离子冲击波。
47.所述三极管t1、t2采用npn型耐高压vcb≥200v的三极管，三极管t3采用pnp型耐高压veb≥200v的三极管；所述高压场效应管nm1采用低内阻大功率耐高电压vds≥200v的n型场效应管；所述稳压二极管w1的稳压电压为12v，稳压二极管w2的稳压电压为6v。
48.所述等离子点火具dhj采用薄绝缘板上进行真空溅射金属镀膜工艺或采用印刷线路板工艺，制成金属箔膜中刻蚀微米数量级金属桥箔和连接金属桥箔的金属化孔a和金属化孔b；所述的金属桥箔两端中心区有金属箔小凸起，金属箔小凸起之间有一桥箔线，桥箔线的电阻值≤0.1m
ω
。
49.如附图2所示，是本实用新型实施例2三线制模拟电子延时等离子冲击波发火电路原理图100b，是由电桥dz、稳压电路、光耦合器u2、延时电路、高压驱动电路、高压场效应管nm1、等离子点火具dhj，高压电容器cg所组成；所述稳压电路包括三极管t1、稳压管w1和电阻r2；所述高压驱动电路包括三极管t2和t3、二极管d1、电阻r5
‑
r8；所述的电桥dz、稳压电路、高压驱动电路、高压场效应管nm1、等离子点火具dhj，高压电容器cg完全和实施例1相同；所不同的是光耦合器u2采用可控硅输出型光耦合器和添加延时电路；所述延时电路，包括rlr763比较器延时电路u1、电阻电容rtct组成的rc延时电路。
50.所述延时电路的分段延期时间数值td=1.1*rt*ct是参照国家毫秒延期雷管各段位延期时间表设定不同的电阻电容rt、ct参数，其参数的设定依据毫秒延期雷管各段位延期时间表，如下表1所示：
[0051][0052]
表1 毫秒延期雷管各段位延期时间表。
[0053]
表1中的段位，是指三线制模拟电子延时等离子冲击波发火电路的fb发爆极端子有高压触发信号开始到等离子点火具产生电爆炸形成等离子冲击波的时间段；延时零的段位1为三线制瞬发等离子冲击波发火电路，延时25ms的段位2为三线制模拟电子延时（2段）等离子冲击波发火电路，延时50ms的段位3为三线制模拟电子延时（3段）等离子冲击波发火电路，依次类推制成不同段位的三线制模拟电子延时等离子冲击波发火电路。
[0054]
所述延时电路中rlr763比较器延时电路u1的1脚连接稳压电源正极vcc，延时电路u1的2脚电压选通连接光耦合器u2的3脚，光耦合器u2的4脚通过电阻r4接地，延时电路u1的4、5脚连接电阻rt，延时电路，延时电路u1的5脚通过电容ct接地，延时电路u1的3脚接地，延时电路u1的6脚为触发高压驱动电路的输出脚。
[0055]
所述模拟电子延时等离子冲击波发火电路的a脚线端子、b脚线端子、fb发爆极脚线端子通过三线制总线相对应连接三线制起爆器时，三线制起爆器提供a脚线端子、b脚线端子的电压≤200v，当发爆极脚线fb没有接收高电压触发信号时，光耦合器u2内发光二极管不发光，输出可控硅处在截止状态，延时电路u1的2脚电压选通端为高电平，此时延时电路u1不工作，延时电路u1的6脚输出保持低电平，高压驱动电路没有驱动信号触发场效应管nm1的g极，使场效应管nm1处在截止状态；当发爆极脚线fb接收高电压触发信号时，光耦合器u2内可控硅导通，延时电路u1的2脚电压选通端为低电平，延时电路u1开始工作由4脚提
供基准电压给电阻电容rtct延时电路进行充电，当电容ct充电的电压大于延时电路u1内部的参考电压8v时输入延时电路u1的5脚，延时电路u1的6脚输出高电平，触发高压驱动电路，使电阻r7的压降高压触发场效应管nm1的g极，高压场效应管nm1的d极和s极瞬时导通，此时高压电容器cg储存的电能经等离子点火具dhj的a、b金属化孔的电极连接在高压场效应管nm1的d极和s极的回路进行放电，使等离子点火具dhj中心的桥箔瞬时电爆炸形成等离子冲击波。
[0056]
如附图3所示，是本实用新型实施例3三线制地震波感应延时等离子冲击波发火电路原理图100c，是由电桥dz、稳压电路、光耦合器电源开关电路、地震波感应延时电路、高压驱动电路、高压场效应管nm1、等离子点火具dhj、高压电容器cg所组成。
[0057]
所述的电桥dz、稳压电路、高压场效应管nm1、等离子点火具dhj，高压电容器cg完全和实施例1相同；所述稳压电路包括三极管t1、稳压管w1和电阻r2和实施例1完全相同；所述高压驱动电路包括三极管t3和t4、二极管d1、电阻r10
‑
r14和实施例1的高压驱动电路基本相同。
[0058]
所不同的是光耦合器电源开关电路包括光耦合器u2、三极管t2、电阻r4和r5，所述的光耦合器u2采用可控硅输出型光耦合器；所述地震波感应延时电路包括地震波传感器cgq、延时电路u1、场效应管nm2和nm3、可控硅scr、电阻r6
‑
r9、电容c2和c3、延时电阻电容rtct，所述的延时电路u1采用ne555时基电路。
[0059]
所述的光耦合器电源开关电路中光耦合器u2的1脚通过电阻r3、电容c1连接发爆极fb端子，光耦合器u2的2脚通过稳压二极管w2接地的电路和实施例1的光耦合器u2输入电路的完全相同；所述的光耦合器电源开关电路中光耦合器u2的3脚通过电阻r5连接三极管t2的基极，三极管t2的基极和发射极之间连接电阻r4，光耦合器u2的4脚接地；所述的光耦合器电源开关电路的工作状态，当发爆极fb端子接收到高压触发信号时，光耦合器u2的1脚、2脚内部的发光二极管发光，光耦合器u2的3脚、4脚内部可控硅导通，此时三极管t2的集电极输出稳压正极vcc电压，当发爆极fb端子没有高压触发信号时，三极管t2截止，三极管t2的集电极没有稳压正极vcc电压输出；所述的稳压正极vcc电压是供给地震波感应延时电路的工作电压。
[0060]
所述地震波感应延时电路中地震波传感器cgq的正极连接场效应管nm3的g极，传感器cgq的负极接地，场效应管nm3的d极通过电阻r6接vcc，场效应管nm3的d极还通过电容器c2连接可控硅scr的触发极，可控硅scr的触发极通过电阻r9接地，场效应管nm3的s极通过电阻r8接地；所述可控硅scr的阴极接地，可控硅scr的阳极接场效应管nm2的g极，场效应管nm2的g极通过电阻r7接vcc，场效应管nm2的d极、s极之间连接电容器ct，场效应管nm2的d极接vcc，场效应管nm2的s极连接延时电路u1的6脚和2脚，并通过电阻rt接地，延时电路u1的5脚通过电阻r5接地，延时电路u1的1脚接地，延时电路u1的4脚和8脚接vcc，延时电路u1的3脚是触发高压驱动电路的输出脚。
[0061]
所述地震波感应延时等离子冲击波发火电路的a脚线端子、b脚线端子、fb发爆极脚线端子通过三线制总线相对应连接三线制起爆器时，三线制起爆器提供a脚线端子、b脚线端子的电压≤200v，而发爆极脚线fb没有接收高电压触发信号时，光耦合器u2内发光二极管不发光，输出可控硅处在截止状态，此时光耦合器电源开关电路没有vcc电压输出，地震波感应延时电路不工作，高压驱动电路没有驱动信号触发场效应管nm1的g极，使场效应
管nm1处在截止状态；当发火电路的发爆极脚线fb接收高电压触发信号时，光耦合器u2内可控硅导通，此时的光耦合器电源开关电路有vcc电压输出，地震波感应延时电路处于等待工作状态，延时电路u1的3脚保持低电平；只有当地震波传感器cgq感应到地震信号，由传感器cgq、场效应管nm3、电阻r6和r8、电容c2、电阻r9组成的信号放大电路输出地震波信号触发可控硅scr的触发极，可控硅scr导通，场效应管nm2截止，此时电容ct通过电阻rt进行充电，延时电路u1的6脚和2脚的高电平2vcc/3逐步下降到vcc/3时，延时电路u1的3脚输出高电平，触发高压驱动电路，使电阻r12的压降高压触发场效应管nm1的g极，高压场效应管nm1的d极和s极瞬时导通，此时高压电容器cg储存的电能经等离子点火具dhj的a、b金属化孔的电极连接在高压场效应管nm1的d极和s极的回路进行放电，使等离子点火具dhj中心的桥箔瞬时电爆炸形成等离子冲击波。
[0062]
如附图4所示，是本实用新型的等离子点火具结构及放电产生等离子冲击波曲线示意图，等离子点火具dhj采用薄绝缘板上进行真空溅射金属镀膜工艺或采用印刷线路板工艺，制成金属箔膜中刻蚀微米数量级金属桥箔和连接金属桥箔的金属化孔a和金属化孔b；所述的金属桥箔两端中心区有金属箔小凸起，金属箔小凸起之间有一桥箔线，桥箔线的电阻值≤0.1m
ω
，其中瞬时产生的气态等离子冲击波的时间为10us。
[0063]
如附图5所示，是本实用新型的一种模拟电子模拟电子等离子冲击波发火引爆具结构图，是一体化注塑成形的等离子冲击波引爆具10，塑封的等离子冲击波引爆具本体10内部，是由等离子点火具101、电极线102、电路板103、高压储能电容104、三线制脚线105所组成；电路板103上集成焊接有三线制瞬发等离子冲击波发火电路、三线制模拟电子延时等离子冲击波发火电路、三线制地震波感应延时等离子冲击波发火电路的其中一种。
[0064]
如附图6所示，是本实用新型的模拟电子等离子冲击波发火引爆具和震源药柱连接结构示意图，其中一体化注塑成形的等离子冲击波引爆具10，通过连接封头306和震源药柱壳30相对接；等离子冲击波引爆具10中等离子点火具101端面紧贴猛炸药303；猛炸药303装填在塑料管301内的金属加强帽302中；装填有猛炸药303的塑料管301压装在引爆具10有等离子点火具101一端的塑料棒外径上并有卡槽压紧密封；塑料管301外径压装有锁紧套304；震源药柱内装填有震源炸药305；猛炸药303可以是rdx（黑索金）或petn（太安）。
[0065]
如附图7所示，是本实用新型的模拟电子等离子冲击波发火引爆具和起爆具连接结构示意图，其中一体化注塑成形的等离子冲击波引爆具10，通过连接封头406和起爆具壳40相对接；等离子冲击波引爆具10中等离子点火具101端面紧贴猛炸药403；猛炸药403装填在塑料管401内的金属加强帽402中；装填有猛炸药403的塑料管401压装在引爆具10有等离子点火具101一端的塑料棒外径上并有卡槽压紧密封；塑料管401外径压装有锁紧套402；起爆具40内装填有起爆具炸药405；猛炸药303可以是rdx（黑索金）或petn（太安）；起爆具有底盖407，前盖408。
[0066]
关于本实用新型具体结构需要说明的是，本实用新型采用的各部件模块相互之间的连接关系是确定的、可实现的，除实施例中特殊说明的以外，其特定的连接关系可以带来相应的技术效果，并基于不依赖相应软件程序执行的前提下，解决本实用新型提出的技术问题，本实用新型中出现的部件、模块、具体元器件的型号、连接方式除具体说明的以外，均属于本领域技术人员在申请日前可以获取到的已公开专利、已公开的期刊论文、或公知常识等现有技术，无需赘述，使得本案提供的技术方案是清楚、完整、可实现的，并能根据该技
术手段重现或获得相应的实体产品。
[0067]
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。