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一种用于气管内导管的副球囊组件的制作方法

2021-11-22 13:31:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种用于气管内导管的副球囊组件,所述气管内导管包括管体(1),所述管体(1)具有由管壁围绕的主气路(11),所述管体(1)的插入端(3)处设置有球囊(2),所述球囊(2)可以被充气并膨胀从而将所述气管内导管固定在气管(5)内;在所述球囊(2)的上游并紧邻所述球囊(2)的管体(1)的管壁上设有引流口(4);其特征在于:所述副球囊组件(7)设在所述球囊(2)上游的管体(1)上,且所述副球囊组件(7)的下游端紧邻所述球囊(2)的上游端;所述副球囊组件(7)包括副球囊(71),所述副球囊(71)的下游段具有与所述引流口(4)相匹配的凹陷,从而当所述副球囊(71)在所述管体(1)上被定位时不会覆盖所述引流口(4);其中,所述副球囊(71)的上游段具有高于其下游段的膨胀优先级,且当所述下游段膨胀时,上游段的至少一部分已膨胀至抵触气管(5)的内壁。2.如权利要求1所述的用于气管内导管的副球囊组件,其特征在于:所述管体(1)的管壁上开设有为所述球囊(2)充气的第一气路(21)和为所述副球囊(71)充气的第二气路(78)。3.如权利要求2所述的用于气管内导管的副球囊组件,其特征在于:在自由状态或未被充气时,所述副球囊(71)上游段的周向尺寸大于其下游段的周向尺寸,从而当所述副球囊(71)被充气时,其上游段优先于下游段膨胀。4.如权利要求2所述的用于气管内导管的副球囊组件,其特征在于:所述副球囊(71)上游段的壁厚小于其下游段的壁厚,从而当所述副球囊(71)被充气时,其上游段优先于下游段膨胀。5.如权利要求2所述的用于气管内导管的副球囊组件,其特征在于:所述副球囊(71)沿其轴线方向具有相同的属性;其中,所述的副球囊组件(7)还包括套设在所述副球囊(71)外表面上的滑环(73),所述滑环(73)的内侧表面被设置为与管体(1)的外壁相匹配,并同时与所述副球囊(71)的外表面良好润滑,且所述第二气路(78)的出口设置在所述滑环(73)上游侧的副球囊(71)内。6.如权利要求5所述的用于气管内导管的副球囊组件,其特征在于:所述滑环(73)包括耳部(75),所述耳部(75)相对于所述滑环(73)的环状主体向上游侧凹陷,从而在所述滑环(73)上形成与所述引流口(4)相匹配的凹部。7.如权利要求6所述的用于气管内导管的副球囊组件,其特征在于:所述管体(1)与所述滑环(73)均具有非圆形截面。8.如权利要求7所述的用于气管内导管的副球囊组件,其特征在于:所述副球囊(71)的上游侧端部设有上定位环(72),在所述副球囊(71)与所述球囊(2)邻接的下游侧端部设有下定位环(74);所述上定位环(72)可以与所述滑环(73)的耳部(75)相抵靠,以围合出的副球囊(71)的初始充气区,所述第二气路(78)的出口位于所述初始充气区内。9.如权利要求8所述的用于气管内导管的副球囊组件,其特征在于:所述滑环(73)的耳部(75)设有第一磁铁(76),所述下定位环(74)上设有第二磁铁(77),所述第一、第二磁铁被设置为相互排斥。10.如权利要求8所述的用于气管内导管的副球囊组件,其特征在于:所述耳部(75)相对于所述滑环(73)的环状主体的凹陷程度大于所述副球囊(71)在所述引流口(4)处的凹陷程度,当所述滑环(73)的环状主体抵靠所述下定位环(74)时,所述耳部(75)与所述下定位环(74)围合的区域内存在被副球囊(71)的覆盖的管体(1)且该处管体(1)上开设有第三气
路(79)的出气口,使得该区域形成为反向充气区。

技术总结
本发明涉及一种用于气管内导管的副球囊组件,所述气管内导管包括管体,所述管体具有由管壁围绕的主气路,所述管体的插入端处设置有球囊,所述球囊可以被充气并膨胀从而将所述气管内导管固定在气管内;在所述球囊的上游并紧邻所述球囊的管体的管壁上设有引流口;其特征在于:所述副球囊组件设在所述球囊上游的管体上,且所述副球囊组件的下游端紧邻所述球囊的上游端;所述副球囊组件包括副球囊,所述副球囊的下游段具有与所述引流口相匹配的凹陷,从而当所述副球囊在所述管体上被定位时不会覆盖所述引流口;其中,所述副球囊的上游段具有高于其下游段的膨胀优先级,且当所述下游段膨胀时,上游段的至少一部分已膨胀至抵触气管的内壁。的内壁。的内壁。


技术研发人员:李路 田亚媛 刘婵
受保护的技术使用者:南京工业职业技术大学
技术研发日:2021.08.20
技术公布日:2021/11/21
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