显示面板及其制备方法与流程

1.本发明涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。


背景技术：

2.以往的触控技术将触控屏和显示屏进行贴合，而tpot(touch panel on tfe，薄膜封装上的触控面板)技术则是将触控ic做在蒸镀层上，相较之下，tpot技术能使屏幕厚度减小，有助于实现可折叠柔性oled技术；边框与外挂tp相比也能实现0.85mm以下的窄边框；由于减少外购tp等因素，在成本上更有优势。基于以上优势，目前oled厂商都在积极开发tpot技术。
3.目前在tpot的触控层制程中，由于金属走线下方的喷墨印刷(ijp)膜层斜率较大，存在光刻胶偏薄导致金属走线过刻问题，甚至出现断路的情况，造成显示缺陷。


技术实现要素：

4.本发明的主要目的在于提供一种显示面板及其制备方法，旨在解决上述至少一个技术问题。
5.为了实现上述目的，本发明第一方面提供了一种显示面板，其包括显示区和非显示区，还包括：
6.阵列基板；
7.在所述阵列基板之上且位于所述显示区的显示层；
8.在所述显示层之上的薄膜封装层，且其由所述显示区延伸到所述非显示区的区域包括斜坡区；
9.在所述薄膜封装层之上的触控层；所述触控层在所述斜坡区至少包括第一导线层和绝缘层；所述绝缘层与所述薄膜封装层相邻；所述第一导线层包括多条导线；
10.所述绝缘层与所述第一导线层相邻的一侧为图形化表面，所述第一导线层中的至少一条导线的至少部分走线位于所述图形化表面的图形中。
11.本发明第二方面提供了一种显示面板的制备方法，其包括：
12.提供具有显示区和非显示区的阵列基板；
13.在所述阵列基板的显示区形成显示层；
14.在所述显示层之上形成由所述显示区延伸到所述非显示区的薄膜封装层，在向所述非显示区延伸的边界处所述薄膜封装层形成斜坡区；
15.至少在所述斜坡区上方形成绝缘层；
16.对所绝缘层进行图形化处理，得到图形化表面；
17.在所述图形化表面形成第一导电膜；
18.对所述第一导电膜进行刻蚀，使其形成多条独立的导线，并且使至少一条导线的至少部分走线位于所述图形化表面的图形中。
19.与现有技术相比，本发明达到了以下技术效果：通过在薄膜封装层上增设绝缘层，
并对绝缘层做图形化处理，再形成导电膜，此时利用光刻胶将导电膜分割成多条导线的过程中光刻胶会在竖直方向残留，且导线水平方向变宽面积增大，可以改善斜坡区光刻胶偏薄导线走线偏窄导致的过刻断线问题。
附图说明
20.通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。
21.图1为现有技术提供的显示面板的俯视图；
22.图2为图1的显示板a处的截面图；
23.图3为图1的显示板a处的导线分布图；
24.图4为本发明提供的显示面板的俯视图；
25.图5为本发明制备的阵列基板的示意图；
26.图6为在图5的阵列基板上制备显示层后的结构示意图；
27.图7为在图6的显示层上制备薄膜封装层后的结构示意图；
28.图8为在图7的薄膜封装层上制备绝缘层后的结构示意图；
29.图9为截取的图8中b处绝缘层上图形化处理的结构示意图；
30.图10为截取的图8中b处绝缘层上图形化处理的结构示意图；
31.图11为图8绝缘层上刻蚀的凹槽的形貌图，剖面方向同图8；
32.图12为图8绝缘层上刻蚀的凹槽的一种形貌图，为平行于斜坡面的俯视图；
33.图13为图8绝缘层上刻蚀的凹槽的另一种形貌图，为平行于斜坡面的俯视图；
34.图14为图8绝缘层上刻蚀的凹槽的另一种形貌图，为平行于斜坡面的俯视图；
35.图15为图8绝缘层上刻蚀的凹槽的另一种形貌图，为平行于斜坡面的俯视图；
36.图16为图8绝缘层上刻蚀的凹槽的另一种形貌图，为平行于斜坡面的俯视图；
37.图17为图16的绝缘层上形成的第一导线层的一种导线分布图，剖面方向同图8；
38.图18为图16的绝缘层上形成的第一导线层的另一种导线分布图，剖面方向同图8；
39.图19为图16的绝缘层上形成的第一导线层的另一种导线分布图，剖面方向同图8；
40.图20为图16的绝缘层上形成的第一导线层的另一种导线分布图，剖面方向同图8；
41.图21为图8绝缘层上刻蚀的凹槽的另一种形貌图，为平行于斜坡面的俯视图；
42.图22为图8绝缘层上刻蚀的凹槽的另一种形貌图，为平行于斜坡面的俯视图；
43.图23为图22的绝缘层上形成的第一导线层的一种导线分布图，剖面方向同图8，剖面位置为图22中虚线处；
44.图24为图22的绝缘层上形成的第一导线层的另一种导线分布图，剖面方向同图8，剖面位置为图22中虚线处；
45.图25为图22的绝缘层上形成的第一导线层的另一种导线分布图，剖面方向同图8，剖面位置为图22中虚线处；
46.图26为图22的绝缘层上形成的第一导线层的另一种导线分布图，剖面方向同图8，剖面位置为图22中虚线处；
47.图27为图8绝缘层上刻蚀的凹槽的另一种形貌图，为平行于斜坡面的俯视图；
48.图28为图22的绝缘层上形成的第一导线层的导线分布图，剖面方向同图8，剖面位置为图27中虚线处，仅示出图27中a’组凹槽处上形成的导线；
49.图29为图8绝缘层上刻蚀的凹槽的另一种形貌图，为平行于斜坡面的俯视图；
50.图30为图29的绝缘层上形成的第一导线层的导线分布图，剖面方向同图8，剖面位置为图29中虚线处，仅示出图29中a’组凹槽处上形成的导线；
51.图31为本发明在绝缘层和薄膜封装层之间增加第二导线层的结构示意图，剖面方向同图8；
52.图32为本发明在绝缘层和薄膜封装层之间增加第二导线层的另一种结构示意图，剖面方向同图8；
53.图33为本发明在绝缘层和薄膜封装层之间增加第二导线层的另一种结构示意图，剖面方向同图8；
54.图34为本发明在绝缘层和薄膜封装层之间增加第二导线层得到的显示板整体剖面图，剖面方向同图8。
具体实施方式
55.以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
56.在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
57.在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
58.本发明提供了一种显示面板，其触控层中的导线位于具有图形化表面的绝缘层上，该导线具有连续不间断的走线，且线宽大，具有更稳定可靠的显示性能。在对本发明的具体技术方案进行描述之前，本发明对现有技术中显示面板的触控层斜坡区存在的断线问题进行详细描述。
59.如图1所示，显示面板100包括显示区101和非显示区102，如图2所示，其还包括由下至上的阵列基板103、显示层104、薄膜封装层105和触控导线106。薄膜封装层105覆盖显示层104，且由显示区101延伸到非显示区102，在由所述显示区101延伸到所述非显示区102的区域包括斜坡区105a，该斜坡区通常由薄膜封装材料特性必然导致的结果。触控导线106位于薄膜封装层105远离显示层104的一侧。如图2和3所示，至少部分触控导线106位于薄膜封装层的斜坡区上。触控导线106的制作过程通常是先在薄膜封装层105形成一层导电膜层，然后结合光刻和刻蚀将其分割成多条独立的导线，一条导线连接一个触控电极。由于斜坡区105a的结构容易使导线制程中的光刻胶在这个位置发生流动，而造成这个位置的光阻
厚度不足，从而斜坡区105a的触控导线106会非常容易因为光阻的厚度不足而发生过度蚀刻，甚至出现断路的情况。
60.基于现有技术存在的上述技术问题，本发明提出了如下解决方案，下面将结合附图进行详细介绍。
61.如图4所示的显示面板200，其包括显示区201和非显示区202，还包括由下至上的阵列基板、显示层、薄膜封装层和触控层。该显示面板的制程如下。
62.步骤s1，制作阵列基板203。先选用一个柔性衬底或刚性衬底，柔性衬底可以为聚酰亚胺、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚苯硫醚、聚碳酸酯等中的一种或者多种组合成的基板，刚性衬底可以是石英、水晶、玻璃等材料。然后在衬底上制作栅极、源极、漏极、信号线等以组成薄膜晶体管层，这样便完成了阵列基板203的制作，结构如图5所示(图中未示意薄膜晶体管的具体图形)。另外，可以直接在衬底上或阵列基板203所在区域划分出显示面板的显示区201和非显示区202。
63.步骤s2，如图6所示，在阵列基板203且位于显示区201的上方制作显示层204。显示层204包括多个发光器件(图中未示出)，发光器件可以包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极等。
64.步骤s3，如图7所示，在所述显示层204之上形成薄膜封装层205，该薄膜封装层205要覆盖显示区和非显示区，并且由所述显示区延伸到所述非显示区的区域包括斜坡区205a。图中并未示意薄膜封装层205的具体结构。可选的，薄膜封装层205可以是本领域典型的结构，例如通常包括至少一个有机封装层，或者有机层和无机层的组合。其中，由于无机材料的致密性高使得封装层能够起到很好的阻隔水氧的作用，由于有机材料具有较好的柔性使得封装层能够帮助释放无机封装层承受的应力，降低无机封装层出现裂纹的风险，因此有机封装层和无机封装层堆叠设置能够保证整体封装的有效性并提升显示面板整体的耐弯折性。有机封装层通常采用喷墨打印工艺制作，制作时有机封装材料具有一定的流动性，在制作时有机封装材料由显示区向非显示区蔓延，在靠近边缘的位置有机封装材料的厚度由厚逐渐变薄，则薄膜封装层205在边缘形成一定的坡度，即上文所述的斜坡区205a。
65.步骤s4，在薄膜封装层205上制作触控层。触控层中至少包含一层触控信号线，为了充分利用非显示区的空间，从而减小非显示区面积，提高集成度，至少部分触控信号线设置在薄膜封装层的斜坡区205a，下文将这一部分导线称为“第一导线层”。如上文所述，在斜坡区的导线极容易发生过刻问题，为此，本发明的一些实施例通过以下具体过程及其形成的结构解决该问题。
66.步骤s401，如图8所示，至少在薄膜封装层的斜坡区205a上方形成绝缘层206，也可以在非斜坡区同步形成绝缘层206。该绝缘层206可以是氧化物、氮化物、氮氧化物等材料，例如典型的氧化硅、氧化铝等。绝缘层206的形成手段包括但不限于典型的apcvd、uhvcvd、lpcvd、rtcvd、热氧化法等。
67.步骤s402，然后对斜坡区205a上的绝缘层206进行图形化处理，该图形化处理是三维方向的处理，会造成绝缘层206形成凹凸不平的表面，如图9或10所示的形貌，此时后续形成的导线只要一条导线的部分走线位于绝缘层206的图形中，就可以至少保证这条导线不被过刻至断线，具体原理在后续步骤展开。
68.步骤s403，在绝缘层206图形化的表面形成第一导电膜。导电膜通常是金属(金、
银、铜、铂等)、金属氧化物(氧化铟锡等)等材料，形成手段包括但不限于蒸发、溅射、反应离子镀、化学气相沉积、热解喷涂等。
69.步骤s404，对第一导电膜进行刻蚀，以形成多条独立的导线，导线与触控电极一一对应的连接，并连接于显示面板的驱动芯片上。在刻蚀时需要借助光刻胶，即先在第一导电膜涂覆光刻胶，然后曝光、显影，将预设的导线分布图形转移在光刻胶上，同时形成刻蚀窗口。在涂覆光刻胶时，虽然因流动导致斜坡区的光刻胶偏薄，但仍有部分光刻胶驻留填充在绝缘层的凹陷图形中，从而使得凹陷图形中具有较厚的光刻胶。然后刻蚀第一导电膜以形成多条独立的导线，刻蚀时凹陷图形中的光刻胶较厚，因此其覆盖的导电膜就不容易被过刻至断线，即凹陷图形中至少会保留部分导电膜且足以使其连通。若理想状态下刻蚀条件控制得当，则不会发生过刻现象，此时不仅凹陷图形中的导电膜全部保留，绝缘层206凸出表面上的导电膜也得到保留，即位于绝缘层206表面图形上的这条导线的线宽方向呈“曲线”延伸，从而相比没有图形化处理时的线宽变大，这更加提高了导电可靠性。由此可见，本发明通过增加图形化的绝缘层206达到这样的效果：无论是在刻蚀得当或过刻的情况，相比无图形化绝缘层的导电可靠性都有提高；换言之，绝缘层经过图形化处理后，对后续刻蚀工艺条件的要求更加宽松，适用于刻蚀得当和过刻两种情形。
70.需要注意的是，在步骤s404中，预设的导线分布图要保证至少一条导线的至少部分走线位于所述绝缘层206图形化表面的图形中，还要保证每条导线独立连接一个触控电极。
71.值得一提的是，在步骤s402至步骤s404中，绝缘层206表面的图形是后续导线走线和形状、尺寸的决定因素之一。上文对绝缘层206的图形化结构没有明确限制，可以是凹凸不平的波浪形(如图9所示)或者间隔分布的多条凹槽(如图10所示)，设置在其上方的导线的形状、走线等结构特征随之变化。其中，凹槽206a的图形化工艺简单易操作，因此多选用凹槽206a，并且为了保证各条导线的独立性，一条所述导线独立对应至少一条凹槽206a，该导线沿其对应凹槽206a的延伸方向走线。
72.每条凹槽206a的形状、尺寸、延伸路径、分布等不受限，以下对步骤s402图形化的绝缘层结构展开介绍。例如如图10和11所示，凹槽206a可以穿透或不穿透所述绝缘层，通常凹槽206a越深越容易抵抗过刻，因此优选穿透所述绝缘层。如图12和13所示，凹槽206a在其延伸方向上各处的宽度相同，或者在其延伸方向上各处的宽度呈宽窄间隔分布。所述凹槽206a沿垂直于其延伸方向的截面可以呈梯形或矩形等典型形状。如图12和14所示，所述凹槽206a可以为条形槽或环形槽，条形槽的制程简单，而环形槽可以增加导线线宽，更能提高抵抗过刻能力，无论凹槽采用任何形状，每条凹槽最终都要在端头汇聚连接同一个电极。同时，绝缘层上的多条凹槽206a可以一一对应多条导线，如图12所示。绝缘层上的多条凹槽206a也可以划分为多组，如图15所示，截取的部分绝缘层上设有三组凹槽，位于同一组中的凹槽206a，末端相互连通，每组凹槽对应第一导线层中的一条导线，这样的设计使光刻胶驻留的区域更多，并且导线线宽进一步加大。
73.上述凹槽不同方面的特征排列组合后，绝缘层表面的图形是多种多样的，其上方形成导线的结构也随之多样化，下文仅列举典型的几种，以下列举中截取的部分区域大概位于图8的b处。
74.在一些实施例中，截取绝缘层206的部分区域，其俯视图如图16，该区域包括四条
凹槽206a，每条凹槽206a对应第一导线层中的一条导线。并且每条凹槽呈直线走线，为等宽的条形槽。在这样的绝缘层上形成第一导电膜，若刻蚀得当，则第一导线层中的导线207呈现如图17所示的走线，即导线207占满其所对应的所述凹槽206a并且覆盖绝缘层206的部分表面，即导线207具有与绝缘层大致随行的图形，导线207线宽延长为图中a位置至b位置的曲线的长度，而非a位置与b位置的间距。若刻蚀条件不当，导致过刻，则导线207只占满凹槽206a(如图18所示)，或者导线207占据其对应的所述凹槽206a的部分区域，所述部分区域为靠近所述斜坡区下坡方向的区域(如图19所示，图的右方靠近下坡方向)或者所述凹槽206a中靠近两个侧壁的区域(如图20所示)。该实施例的凹槽也可以替换为迂回走向，如图21，图中截取的区域包括四条凹槽206a，每条凹槽206a对应第一导线层中的一条导线。在这样的绝缘层上形成第一导线层，其中导线的形状与上述实施例类似，不再赘述。
75.在一些实施例中，截取绝缘层的部分区域，其俯视图如图22，该区域包括a’、b’、c’和d’四组凹槽，每组凹槽含三条凹槽且对应第一导线层中的一条导线，并且同一组中的凹槽的末端相互连通，以保证这一组凹槽内的导线连通。同时每条凹槽呈直线走线，为等宽的条形槽，穿透了绝缘层。在这样的绝缘层上形成第一导电膜，若刻蚀得当，则导线呈现如图23所示的走线，即导线207占满其所对应的凹槽组中的所有凹槽，并且覆盖绝缘层的部分表面，导线207线宽相比没有图形化绝缘层206时延长，理由同上述实施例。若刻蚀条件不当，导致过刻，则导线207占据其对应的凹槽组中凹槽的部分区域，所述部分区域为靠近所述斜坡区下坡方向的区域(如图所24示)或者所述凹槽中靠近两个侧壁的区域(如图25所示)。或者，如图26所示，导线207只占满凹槽。也可能是其他形貌，此处不一一列举。
76.在一些实施例中，截取绝缘层的部分区域，其俯视图如图27，该区域包括a’、b’、c’和d’四组凹槽，每组凹槽含三条槽且对应第一导线层中的一条导线，并且同一组中的凹槽的末端相互连通，以保证这一组凹槽内的导线连通。并且每条凹槽206a呈直线走线的条形槽，在其延伸方向上各处的宽度呈宽窄间隔分布，一种规律变化的情形如图所示，包括d1、d2两种宽度，d1＞d2。该凹槽206a同样穿透了绝缘层。在这样的绝缘层上形成第一导电膜，若刻蚀得当，则导线207占满其所对应的所述凹槽并且覆盖绝缘层的部分表面，如图28所示(图中仅示出了凹槽组a’上方形成的导线结构)，与上文同样的原理，导线线宽被延长。若刻蚀条件不当，导致过刻，则可能出现与图24至26相似的情况。
77.在一些实施例中，截取绝缘层的部分区域，其俯视图如图29，该区域包括e’、f’、g’和h’四组凹槽，每组凹槽含三条槽且对应第一导线层中的一条导线，并且同一组中的凹槽206a的末端相互连通，以保证这一组凹槽内的导线连通。并且每条凹槽206a为环形槽，其包括首尾相连成环形的两个凹槽分部；每个凹槽分部沿其延伸方向包括多个第一单元206a1和多个第二单元206a2，并且所述第一单元206a1和所述第二单元206a2交错分布；所述第一单元206a1的走向线为直线，所述第二单元206a2的走向线为折线或弧线，图中仅示意了折线，同时两个凹槽分部互为镜像。该凹槽同样穿透了绝缘层。在这样的绝缘层上形成第一导电膜，若刻蚀得当，以凹槽组e’为例，则其上方形成的导线呈现如图30所示的走线，即导线占满其所对应的所述凹槽并且覆盖绝缘层的部分表面，与上文同样的原理，导线线宽被延长。若刻蚀条件不当，导致过刻，则可能出现与图24至26相似的情况。该实施例中的两个凹槽分部还可以形状完全相同，即没有互为镜像对称，也可以达到类似的技术效果。
78.上文所述的显示面板200尽管对绝缘层206进行了图形化处理，以防止断线，然而
每个触控电极仍旧只连接一条导线，若该条导线207在使用过程中发生断裂等情况(这在柔性面板上很常见)，则会导致该通道无法正常工作。为此，本发明提出在绝缘层和薄膜封装层之间再增加第二导线层，如图34所示，第二导线层包括多条导线208，所述第二导线层中的多条导线208和所述第一导线层的多条导线207一一对应地形成多个并联的导线对，每个并联的导线对组成一个导电通道，这种情形下一个导电通道设置有两条导线，即使一条导线发生短路，还有另一条导线保证该通道正常工作。这种结构的显示面板的制程与上文只有一层导线的制程的区别是：在步骤s401之前增加工序，具体如下。
79.步骤s401a，在显示层205的斜坡区上方形成第二导电膜，然后涂覆光刻胶，接着曝光、显影，将预设的第二导线层中导线的分布图形转移在光刻胶上，形成刻蚀窗口；之后刻蚀第二导电膜以形成多条独立的导线，该导线与第一导线层中的导线一一对应地形成多个并联的导线对，每个并联的导线对组成一个导电通道，一个导电通道连接一个触控电极。
80.在步骤s401a中，第二导电膜的材料及形成手段可以相同或不同，即材料可以是金属(金、银、铜、铂等)、金属氧化物(氧化铟锡等)等材料，形成手段包括但不限于蒸发、溅射、反应离子镀、化学气相沉积、热解喷涂等。
81.第二导线层中导线的线宽是任意的，无论是第一导线层还是第二导线层中的导线，线宽越大抗断裂能力越强，然而显示面板边框空间有限，不适宜两层导线都采用宽的设计。为此，本发明的一些实施例中提出，每个导电通道内，所述第一导线层中的导线和所述第二导线层的导线线宽不同，这样即使线宽小的导线断裂，还有另外一条宽导线保证通道导电。能达到这种效果的实施例至少分为三种情况，具体如下。
82.一种情况是如图31所示的结构，第一导线层中导线207全部采用较宽的设计，第二导线层中导线208全部采用较窄的设计。另一种情况是如图32所示的结构，第一导线层中导线207全部采用较窄的设计，第二导线层中导线208全部采用较宽的设计。以上两种情况都将断裂风险集中在一层导线中。
83.又一种情况是如图33所示的结构，除了要求每个导电通道内两层导线的线宽不同外，还要求第一导线层中的各导线207线宽呈宽窄间隔分布；所述第二导线层中的各导线208线宽也呈宽窄间隔分布，这样断裂风险就可以分散在两层中，降低整体断裂风险。该结构的显示面板在显示区与非显示区之间的过渡区域的剖面结构如图34所示。
84.为了解决只有一层导线通道断电风险大的问题，还可以采用如下结构，即在图17
‑
20任意结构、图23
‑
26、图28或图30所示结构的基础上，重复堆叠绝缘层和第一导线层的复合层。当然，本发明重复堆叠的次数并不受限。
85.在以上的描述中，对于各层的构图、刻蚀等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。
86.以上对本公开的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本公开的范围。本公开的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本公开的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本公开的范围之内。