显示面板及其制备方法与流程

1.本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制备方法。


背景技术：

2.micro-led(micro-light-emitting diode，微发光二极管，下简称微led)是新一代显示技术，比现有的oled技术亮度更高、发光效率更好，且功耗更低。
3.传统技术中，微led显示面板通常使用微led芯片发出出射光，再对出射光进行颜色转换得到三色光。
4.申请人在实现传统技术的过程中发现：传统技术中微led显示面板的显示效果较差。


技术实现要素：

5.基于此，有必要针对传统技术中微led显示面板显示效果较差的问题，提供一种显示面板及其制备方法。
6.一种显示面板的制备方法，包括：
7.提供led基板，所述led基板包括tft背板及多个led芯片，多个所述led芯片间隔设置于所述tft背板；
8.提供第一基板，在所述第一基板上形成反射层和第一阻挡层，所述第一阻挡层包括间隔设置的多个第一收纳腔；
9.贴合所述第一基板与所述led基板，使所述第一阻挡层设置于所述tft背板与所述第一基板之间，多个所述led芯片分别位于多个所述第一收纳腔中，且多个所述led芯片在所述第一基板上的正投影与所述反射层在所述第一基板上正投影至少部分交叠。
10.在其中一个实施例中，所述提供第一基板，在所述第一基板上形成反射层和第一阻挡层，所述第一阻挡层包括间隔设置的多个第一收纳腔，包括：
11.提供所述第一基板，所述第一基板具有第一表面；
12.在所述第一表面形成间隔设置的多个反射器，多个所述反射器构成所述反射层；
13.在所述第一表面形成所述第一阻挡层，多个所述反射器分别设置于多个所述第一收纳腔中。
14.在其中一个实施例中，所述提供第一基板，在所述第一基板上形成反射层和第一阻挡层，所述第一阻挡层包括间隔设置的多个第一收纳腔，包括：
15.提供所述第一基板，所述第一基板具有间隔相对的第一表面和第二表面；
16.在所述第一表面形成所述反射层；
17.在所述第二表面形成所述第一阻挡层，多个所述第一收纳腔在所述第二表面上的正投影覆盖所述反射层。
18.在其中一个实施例中，沿任意方向且过所述第一表面对所述第一基板做剖面，位于所述第一表面的剖线为直线。
19.在其中一个实施例中，所述显示面板的制备方法，还包括：
20.提供第二基板，在所述第二基板形成第二阻挡层，所述第二阻挡层包括间隔设置的多个第二收纳腔；
21.在所述第二基板上形成颜色转换层，所述颜色转换层包括相互间隔的多个颜色转换单元分别设置于多个所述第二收纳腔中；
22.贴合所述第二基板与所述第一基板，所述颜色转换层和所述第二阻挡层设置于所述第二基板与所述第一基板之间，多个所述颜色转换单元在所述第二基板上的正投影分别覆盖多个所述led芯片。
23.一种显示面板，包括：
24.led基板，包括tft背板及多个led芯片，多个所述led芯片间隔设置于所述tft背板；
25.第一基板，位于所述tft背板设有所述led芯片的一侧；
26.第一阻挡层，设置于所述第一基板上，且位于所述第一基板与所述tft背板之间，所述第一阻挡层包括多个第一收纳腔，多个所述led芯片分别位于所述第一收纳腔中；
27.反射层设置于所述第一基板上，多个所述led芯片在所述第一基板上的正投影与所述反射层在所述第一基板上的正投影至少部分交底。
28.在其中一个实施例中，所述第一基板具有第一表面，所述第一表面靠近所述tft背板；
29.所述反射层设置于所述第一表面，且包括多个反射器，多个所述反射器分别位于多个所述第一收纳腔中。
30.在其中一个实施例中，所述第一基板具有间隔相对的第一表面和第二表面，所述第二表面靠近所述tft背板；
31.所述第一阻挡层设置于所述tft背板与所述第二表面之间；
32.所述反射层设置于所述第一表面。
33.在其中一个实施例中，沿任意方向且过所述第一表面对所述第一基板做剖面，位于所述第一表面的剖线为直线。
34.在其中一个实施例中，所述显示面板还包括：
35.第二基板，与所述第一基板间隔相对设置；
36.第二阻挡层，设置于所述第二基板与所述第一基板之间，所述第二阻挡层包括间隔设置的多个第二收纳腔；
37.颜色转换层，设置于所述第二基板与所述第一基板之间，所述颜色转换层包括相互间隔的多个颜色转换单元，多个所述颜色转换单元分别设置于多个所述第二收纳腔中，多个所述颜色转换单元在所述第二基板上的正投影分别覆盖多个所述led芯片。
38.上述显示面板的制备方法，包括：提供led基板，led基板包括tft背板和多个间隔设置的led芯片；提供第一基板，并在第一基板上形成反射层和第一阻挡层；将第一基板和led基板对位贴合。该显示面板的制备方法，将反射层制备在第一基板上，可以避免将反射层制备在led芯片上而引起的反射层膜厚不均，从而提升显示面板的显示效果。同时，先在第一基板上形成第一阻挡层，再将第一基板与tft背板对位贴合，可以防止制备第一阻挡层时的高温影响tft背板与led芯片的绑定稳定性，从而提升显示面板的显示效果。
附图说明
39.为了更清楚地说明本技术实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
40.图1为本技术一个实施例中显示面板的制备方法的工艺流程示意图；
41.图2为本技术另一个实施例中显示面板的制备方法的工艺流程示意图；
42.图3为本技术又一个实施例中显示面板的制备方法的工艺流程示意图；
43.图4为本技术又一个实施例中显示面板的制备方法的工艺流程示意图；
44.图5为本技术又一个实施例中显示面板的制备方法的工艺流程示意图；
45.图6为本技术又一个实施例中显示面板的制备方法的工艺流程示意图；
46.图7为本技术又一个实施例中显示面板的制备方法的工艺流程示意图；
47.图8为本技术又一个实施例中显示面板的制备方法的工艺流程示意图；
48.图9为本技术又一个实施例中显示面板的制备方法的工艺流程示意图；
49.图10为本技术又一个实施例中显示面板的制备方法的工艺流程示意图；
50.图11为本技术一个实施例中显示面板的剖面结构示意图；
51.图12为本技术另一个实施例中显示面板的剖面结构示意图；
52.图13为本技术又一个实施例中显示面板的剖面结构示意图；
53.图14为本技术又一个实施例中显示面板的剖面结构示意图。
54.其中，各附图标号所代表的含义分别为：
55.10、显示面板；
56.100、led基板；
57.110、tft背板；
58.120、led芯片；
59.130、第一基板；
60.132、第一表面；
61.134、第二表面；
62.140、反射层；
63.142、反射器；
64.150、第一阻挡层；
65.152、第一收纳腔；
66.160、颜色转换层；
67.162、颜色转换单元；
68.170、第二基板；
69.172、第二收纳腔；
70.180、第二阻挡层。
具体实施方式
71.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明
的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
72.本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本技术所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
73.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
74.传统的微led显示面板中，分布式布拉格反射层通常直接形成于微led芯片上。由于微led芯片表面平整度较差，因此所形成的分布式布拉格反射层的膜厚均一性也较差，从而影响微led显示面板的显示效果。同时，传统的微led显示面板中，一般先将tft(thin film transistor，薄膜晶体管)背板和微led芯片绑定，再在tft背板上形成用于隔离微led芯片的第一阻挡层。由于第一阻挡层形成时需要高温，因此形成第一阻挡层的过程可能会影响tft背板与微led芯片的绑定稳定性。
75.本技术提供一种微led显示面板及其制备方法，通过该制备方法制备的显示面板，可以提升分布式布拉格反射层的膜厚均一性，从而提升显示面板的显示效果。同时，通过该制备方法制备显示面板的过程中，可以防止在制备第一阻挡层时的高温影响tft背板与微led芯片的绑定稳定性，从而提升显示面板的显示效果。
76.需要理解的是，虽然本技术的下述实施例中均是以微led显示面板及其制备方法为例对本技术的技术方案进行说明，然而这并不代表本技术的技术方案仅可以应用于微led显示面板。本技术的发明构思为：将分布式布拉格反射层和第一阻挡层形成在第一基板上，再将第一基板与tft背板贴合。以此可以提升分布式布拉格反射层的膜厚均一性；并防止制备第一阻挡层时的高温影响tft背板的稳定性。在其它显示面板，如oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示面板的应用场景中，若同样适用本技术的显示面板及其制备方法，则应当理解其也在本技术的保护范围之内。
77.参见图1及图2所示，在一些实施例中，本技术提供一种显示面板10的制备方法，包括如下步骤：
78.s100，提供led基板100，led基板包括tft背板110及多个led芯片120；多个led芯片120间隔设置于tft背板110。
79.具体的，tft背板110一般包括衬底及位于衬底上的tft电路。其中，衬底可以是以聚酰亚胺薄膜为材料的柔性衬底，也可以是刚性衬底，在此不做限定。tft电路是指由薄膜晶体管和电容构成的电路。一般来说，一个tft电路可以包括两个或两个以上的薄膜晶体
管，以及一个或一个以上的电容。tft电路用于驱动设置于tft背板110上的led芯片120，从而使led芯片120发光。
80.这里的led芯片120即指微led(micro-led)芯片。led芯片120是在tft电路的驱动下可以发光的微发光二极管芯片。由于该led芯片120的尺寸大小一般在数微米到数十微米，因此也称微led芯片。led芯片120可以是蓝光led芯片或紫外led芯片。在本实施例中，led芯片120可以采用蓝光芯片，从而在tft电路的驱动下发出蓝光。可以理解，为了形成显示面板10，设置于tft背板110上的led芯片120的数量可以是多个。在一个实施例中，多个led芯片120相互间隔的设置于tft背板110，并通过tft背板110中的tft电路驱动实现显示。这里的多个指两个或两个以上的整数。
81.在本实施例中，步骤s100的具体过程可以是：在生长衬底上生长出led芯片120后，先将led芯片120粘附于临时基板上；再通过激光剥离等方法移除生长衬底，从而在临时基板上形成分立的led芯片120阵列；然后通过转印头拾取led芯片120，并移动至tft背板110上；最后通过加热焊接等方式，固化led芯片120与tft背板110之间的连接。
82.s200，提供第一基板130，在第一基板130上形成反射层140和第一阻挡层150，第一阻挡层150包括间隔设置的多个第一收纳腔152。
83.具体的，第一基板130可以是玻璃材质的透明基板，以便于led芯片120发出的光线可以透过该第一基板130。
84.在第一基板上形成反射层140。一般的，这里的反射层140指的是分布式布拉格反射层。当led芯片120发出蓝光时，该反射层140用于选择性的透过蓝光，即该反射层140仅可以使蓝光透射，而反射其它颜色的光。在本实施例中，可以通过化学气相沉积法或原子层沉积法在第一基板130上形成反射层140。在此过程中，由于反射层140直接形成于第一基板130，可以避免由于led芯片120表面平整度较差而影响反射层140的膜厚均一性。
85.同时，本步骤中，还在第一基板130上形成第一阻挡层150。第一阻挡层150可以由不透光的黑色、灰色或黄色光刻胶为材料，采用光刻工艺制备得到。第一阻挡层150包括间隔设置的多个第一收纳腔152。即，第一阻挡层150形成于第一基板130上后，在第一基板130上形成了多个第一收纳腔152。
86.需要注意的是，在本技术的显示面板10的制备方法中，反射层140和第一阻挡层150均形成于第一基板130的表面。其中，第一阻挡层150和反射层140的位置可以如图1所示：第一阻挡层150和反射层140形成于第一基板130的同一个表面。第一阻挡层150和反射层140的位置也可以如图2所示：第一阻挡层150和反射层140形成于第一基板130的不同表面。
87.s300，贴合第一基板130与led基板100，使第一阻挡层150设置于tft背板110和第一基板130之间，多个led芯片120分别位于多个第一收纳腔152中，且多个led芯片120在第一基板130上的正投影与反射层140在第一基板130上的正投影至少部分交叠。
88.将形成有反射层140和第一阻挡层150的第一基板130，与形成有led芯片120的tft背板110对位贴合。这里的对位贴合是指：将第一基板130与led基板100贴合后，tft背板110上的led芯片120位于第一阻挡层150形成的第一收纳腔152中。对位贴合后，第一阻挡层150位于tft背板110与第一基板130之间，从而使led芯片120的一侧是tft背板110，另一侧是形成有反射层140的第一基板130。第一阻挡层150环绕led芯片120，从而可以避免led芯片120
发光时，相邻两个led芯片120造成光线串扰。led芯片120在第一基板130上的正投影与反射层140在第一基板130上的正投影至少部分交叠。以此，如图1和图2所示，在第一基板130与tft背板110对位贴合后，若led芯片120发光，则led芯片120发出的光线只能通过反射层140和第一基板130，向远离tft背板110的方向射出。反射层140可以对led芯片120射出的光线进行过滤。
89.该显示面板10的制备方法，将反射层140制备在第一基板130上，可以避免由于led芯片120表面平整度较差而影响反射层140的膜厚均一性，从而提升显示面板10的显示效果。同时，先在第一基板130上形成第一阻挡层150，再将第一基板130与tft背板110对位贴合，可以防止制备第一阻挡层150时的高温影响tft背板110与led芯片120的绑定稳定性，从而提升显示面板10的显示效果。
90.由上述描述已知，在本技术的实施例中，反射层140与第一阻挡层150既可以位于第一基板130的同侧，也可以位于第一基板130的不同侧。下面结合具体实施例分别进行描述。
91.在一个实施例中，如图3所示，反射层140和第一阻挡层150位于第一基板130的同侧。此时，定义第一基板130的一个表面为第一表面132，反射层140和第一阻挡层150均形成于第一基板130的第一表面132时。如图3所示，上述步骤s200具体可以包括：
92.sa210，提供第一基板130，第一基板130具有第一表面132。
93.sa220，在第一表面132形成间隔设置的多个反射器142，多个反射器142构成反射层140。
94.在本实施例中，可以通过掩膜版制备反射层140，从而在第一基板130的第一表面132形成多个相互间隔的反射器142。
95.具体来说，在制备形成反射层140时，可以：将掩膜版置于第一基板130的第一表面132，该掩膜版设有多个相互间隔的，且贯穿掩膜版的通孔；通过化学气相沉积法或原子沉积法，将反射层140的材料沉积于第一表面132。
96.sa230，在第一表面132形成第一阻挡层150，多个反射器142分别设置于多个第一收纳腔152中。
97.在第一表面132形成反射层140后，即可在第一表面132上形成第一阻挡层150。在本实施例中，多个反射器142之间相互间隔，第一阻挡层150形成于反射器142的间隔内，从而使第一阻挡层150环绕反射器142。换言之，第一阻挡层形成多个第一收纳腔152，多个反射器142分别设置于多个第一收纳腔152中。在本实施例中，也可以通过掩膜版制备第一阻挡层150。
98.具体来说，在制备形成第一阻挡层150时，可以：先在第一表面132和反射层140上形成一层光刻胶，该光刻胶覆盖第一表面132和反射层140；再通过掩膜版对光刻胶进行光刻，从而去除光刻胶覆盖反射层140的部分。以此，即可得到填充反射器142的间隔的第一阻挡层150，即形成具有多个第一收纳腔152的第一阻挡层150。此时，多个反射器142分别设于多个第一收纳腔152中，且第一阻挡层150的高度高于反射器142的高度。
99.在本实施例中，第一阻挡层150的高度高于反射器142的高度，以便于第一基板130与led基板100的对位贴合。一般来说，当反射层140和第一阻挡层150均形成于第一基板130的第一表面132时，第一阻挡层150的高度应满足如下条件：
100.使第一基板130与led基板100对位贴合后，led芯片120不会挤压反射器142。
101.在另一个实施例中，如图4所示，反射层140和第一阻挡层150位于第一基板130的不同侧。此时，定义第一基板130的一个表面为第一表面132，第一基板的另一个表面为第二表面134，第一表面132和第二表面134间隔相对。如图4所示，上述步骤s200具体可以包括：
102.sc210，提供第一基板130，第一基板130具有间隔相对的第一表面132和第二表面134。
103.sc220，在第一表面132形成反射层140。
104.与上述步骤sa210不同的是，上述步骤sa210中，反射层140包括多个相互间各的反射器142。而在本实施例中，反射层140为一个连续的膜层。在此，反射层140可以通过化学气相沉积法或原子沉积法形成于第一表面132。
105.sc230，在第二表面134形成第一阻挡层150，多个第一收纳腔152在第二表面134上的正投影覆盖反射层140。
106.在与第一表面132相对的第二表面134形成第一阻挡层150。第一阻挡层150在第二表面134形成了多个第一收纳腔152，以当第一基板130与led基板100对位贴合时，将led芯片120收纳于该第一收纳腔152。一般来说，为使位于第一收纳腔152内的led芯片120发出的光在进入颜色转换层160之前，先经反射层140过滤，因此：第一收纳腔152在第二表面134上的正投影覆盖反射层140。在此，第一收纳腔152在第二表面134上的正投影，指的是：沿垂直于第二表面134的方向，第一收纳腔152在第二表面134上的投影。因此，在本实施例中，当反射层140与第一阻挡层150形成于第一基板130的不同表面时，第一阻挡层150的高度应满足如下条件：
107.使第一基板130与led基板100对位贴合后，第一基板130不会挤压led芯片120。
108.在一个实施例中，上述显示面板10的制备方法中，第一基板130的第一表面为平整的表面。
109.具体的，本技术的显示面板10的制备方法中，通过将反射层140制备在第一基板130上，可以避免由于led芯片120表面平整度较差而影响反射层140的膜厚均一性，从而提升显示面板10的显示效果。基于此，在上述实施例中，用于形成反射层140的第一基板130的表面，即第一表面132可以是一个平整的表面。这里的平整是指：当沿任意方向且过第一表面132对第一基板130做剖面时，位于第一表面132上的剖线为直线。通俗来讲，该第一表面可以是一水平的表面。
110.在一个实施例中，如图5或图6，本技术的显示面板10的制备方法，还包括位于步骤s300之后的：
111.s400，在第一基板130远离led基板100的一侧形成颜色转换层160。
112.具体的，显示面板10一般通过三原色的复合进行发光显示，因此，显示面板10需要发出红色光、蓝色光和绿色光。由上述描述可知，在本技术的显示面板10的制备方法中，所使用的led芯片120可以发出蓝色的光。led芯片120发出的蓝色光经反射层140的选择性透射后，射出第一基板130的仅有蓝色光。以此，在本实施例中，还在第一基板130远离led基板100的一侧形成颜色转换层160，用于对蓝光进行颜色转换。其中，图5是基于反射层140与第一阻挡层150位于第一基板130的同侧的情况下，步骤s400的工艺流程示意图。图6是基于反射层140与第一阻挡层150位于第一基板130的不同侧的情况下，步骤s400的工艺流程示意
图。
113.对应于多个相互间隔的led芯片120，颜色转换层160也可以包括多个相互间隔的颜色转换单元162。每个颜色转换单元162用于对一个led芯片120发出的蓝光进行颜色转换。在此，颜色转换单元162可以包括红光转换单元、绿光转换单元和透明转换单元。其中，红光转换单元用于将蓝光转换为红光；绿光转换单元用于将蓝光转换为绿光；透明转换单元用于透射蓝光。在本实施例中，可以采用量子点材料作为颜色转换单元162的材料，在此不再赘述。在其它一些实施例中，led芯片120也可以是能够发出紫外光的led芯片。当led芯片120发紫外光时，颜色转换单元162可以包括红光转换单元、绿光转换单元和蓝光转换单元。其中，红光转换单元用于将紫外光转换为红光；绿光转换单元用于将紫外光转换为绿光；蓝光转换单元用于将紫外光转换为蓝光。
114.需要理解的是，为提升显示面板10的显示效果，在本实施例中，每个颜色转换单元162在第一基板130上的正投影的面积可以略小于第一收纳腔152在第一基板130上的正投影的面积。以此，可以使第一收纳腔152在第一基板130上的正投影覆盖颜色转换单元162在第一基板130上的正投影。此时，射入颜色转换单元162的蓝光均匀分布，可以提升颜色转换单元162射出的光线的均匀性。
115.下面基于不同情况，对步骤s400的具体实施方式分别进行描述。
116.在一个实施例中，当反射层140和第一阻挡层150位于第一基板130的同侧，此时，led芯片120发出的蓝光先经反射层140后，从第一基板130射出。步骤s400的工艺流程，即图5，具体可以如图7所示。
117.此时，步骤s400包括：
118.sa410，提供第二基板170，在第二基板170上形成第二阻挡层180，第二阻挡层180包括间隔设置的多个第二收纳腔172。
119.在第二基板170的一个表面形成第二阻挡层180。第二阻挡层180可以由不透光的黑色、灰色或黄色光刻胶为材料，采用光刻工艺制备得到。第二阻挡层180包括间隔设置的多个第二收纳腔172。即，第二阻挡层180形成于第二基板170上后，在第二基板170上形成了多个第二收纳腔172。第二收纳腔172用于收纳颜色转换单元162。
120.一般来说，为使led芯片120发出的蓝光从第一基板130射出后可以射入颜色转换单元162，因此第二阻挡层180的位置应满足：
121.在形成显示面板10后，可以使第二收纳腔172在第一基板130上正投影落入反射器142的覆盖范围之内。即形成显示面板10后，第二阻挡层180在第一基板130上的正投影可以覆盖或重叠第一阻挡层150在第一基板130上的正投影。
122.在本实施例中，也可以通过掩膜版制备形成第二阻挡层180，不再赘述。
123.sa420，在第二基板170形成颜色转换层160，颜色转换层160包括相互间隔的多个颜色转换单元162，多个颜色转换单元162分别设置于多个第二收纳腔172。
124.在第二基板170形成有第二阻挡层180的表面上形成多个颜色转换单元162。多个颜色转换单元162形成于多个第二收纳腔172内，从而使多个颜色转换单元162相互间隔。以此，即可在形成显示面板10后，使每个颜色转换单元162对应一个反射器142和一个led芯片120，从而使led芯片120发出的蓝光通过反射器142和第一基板130后，可以进入颜色转换单元162。
125.同样的，在形成颜色转换单元162时，也可以通过掩膜版，向第二收纳腔172坑内制备颜色转换单元162。不再赘述。
126.sa430，贴合第二基板170与第一基板130，颜色转换层160和第二阻挡层180设置于第二基板170与第一基板130之间，多个颜色转换单元162与多个led芯片120一一相对。
127.将第二基板170与第一基板130对位贴合。对位贴合后，第二阻挡层180暴露第一基板130的范围，即第二收纳腔172在第一基板130上的正投影的范围应落入反射器142的覆盖范围之内。
128.需要理解的是，在上述实施例中，本技术的显示面板制备方法，是先将第一基板130与led基板100贴合后，再将形成有颜色转换层160的第二基板170与第一基板130相贴合。在其它一些实施例中，也可以先将第二基板170与第一基板130贴合，再将第一基板130与led基板100贴合。不再赘述。
129.进一步的，上述步骤sa430之前，还可以包括：
130.sa440，对颜色转换单元162进行封装。
131.可以通过形成薄膜封装层，将颜色转换单元162封装在第二阻挡层180、薄膜封装层和第二基板170内，从而避免颜色转换单元162与空气中的水氧接触。在此，薄膜封装层可以包括层叠的有机层、无机层和有机层。
132.在另一个实施例中，当反射层140和第一阻挡层150位于第一基板130的不同侧，此时，led芯片120发出的蓝光先经第一基板130后，再从反射层140射出。步骤s400的工艺流程，即图6，具体可以如图8所示。
133.此时，步骤s400包括：
134.sc410，提供第二基板170，在第二基板170上形成第二阻挡层180，第二阻挡层180包括间隔设置的多个第二收纳腔172。
135.该步骤与步骤sa410相同，所不同的是：步骤sa410至步骤sa430形成显示面板10后，led芯片120发出的蓝光先射入反射层140，再从反射层140射入第一基板130，最后从第一基板130射入颜色转换层160。而在本实施例中形成显示面板10后，led芯片120发出的蓝光先射入第一基板130，再从第一基板130射入反射层140，最后从反射层140射入颜色转换层160。不再赘述。
136.sc420，在第二基板170形成颜色转换层160，颜色转换层160包括相互间隔的多个颜色转换单元162，多个颜色转换单元162分别设置于多个第二收纳腔172。
137.sc430，贴合第二基板170与第一基板130，颜色转换层160和第二阻挡层180设置于第二基板170与第一基板130之间，多个颜色转换单元162与多个led芯片120一一相对。
138.上述步骤sc420与步骤sc430相同，不再赘述。
139.该实施例中，反射层140与颜色转换层160的距离更近，以此，在确保反射层140反射红光和绿光、透射蓝光的基础上，可以有效防止光串扰现象的发生。
140.同样的，在其它一些实施例中，也可以先将第二基板170与第一基板130贴合，再将第一基板130与led基板100贴合。不再赘述。
141.进一步的，上述步骤sc430之前，还可以包括：
142.sc440，对颜色转换单元162进行封装。
143.上述实施例中，第二阻挡层180和颜色转换层160先形成于第二基板170上，再将第
二基板170与第一基板140对位贴合，得到显示面板10。在其它实施例中，也可以直接在第一基板130或反射层140上形成第二阻挡层180和颜色转换层160，再使用第二基板170对颜色转换层160进行封装。
144.在一个实施例中，当反射层140和第一阻挡层150位于第一基板130的同侧，此时，led芯片120发出的蓝光先经反射层140后，从第一基板130射出。步骤s400的工艺流程，即图5，具体可以如图9所示。
145.此时，步骤s400包括：
146.sd410，在第一基板130远离led基板100的一侧形成第二阻挡层180，第二阻挡层180包括间隔设置的多个第二收纳腔172。
147.在第一基板130远离led基板100的一侧，即远离第一阻挡层150的一侧形成第二阻挡层180。第二阻挡层180可以由不透光的黑色、灰色或黄色光刻胶为材料，采用光刻工艺制备得到。第二阻挡层180包括间隔设置的多个第二收纳腔172。即，第二阻挡层180形成于第一基板130上后，在第一基板130上形成了多个第二收纳腔172。第二收纳腔172用于收纳颜色转换单元162。
148.一般来说，为使led芯片120发出的蓝光从第一基板130射出后可以射入颜色转换单元162，因此第二阻挡层180的位置应满足：
149.在形成显示面板10后，可以使第二收纳腔172在第一基板130上正投影落入反射器142的覆盖范围之内。即第二阻挡层180在第一基板130上的正投影可以覆盖或重叠第一阻挡层150在第一基板130上的正投影。
150.在本实施例中，也可以通过掩膜版制备形成第二阻挡层180。具体来说，在制备形成第二阻挡层180时，可以：先在第一基板130远离led基板100的一侧形成覆盖第一基板130的光刻胶；再通过掩膜版对光刻胶进行光刻，从而形成用于容纳颜色转换单元162的第二收纳腔172。
151.sd420，在第一基板130形成颜色转换层160，颜色转换层160包括相互间隔的多个颜色转换单元162，多个颜色转换单元162分别设置于多个第二收纳腔172。
152.在第一基板130远离led基板100的一侧，即远离第一阻挡层150的一侧形成多个颜色转换单元162。多个颜色转换单元162形成于多个第二收纳腔172内，从而使多个颜色转换单元162相互间隔。此时，每个颜色转换单元162对应一个反射器142，以使led芯片120发出的蓝光通过反射器142和第一基板130后，可以进入颜色转换单元162。
153.在形成颜色转换单元162时，可以通过掩膜版，向多个第二收纳腔172内制备颜色转换单元162。以此，即可通过第二阻挡层180将多个颜色转换单元162相互间隔，从而避免显示面板10工作时，相邻的颜色转换单元162之间发生光线串扰。
154.一般的，为通过第二阻挡层180将多个颜色转换单元162相互间隔，第二阻挡层180的高度可以大于等于颜色转换单元162的高度。
155.sd430，在第二阻挡层180和颜色转换单元162远离第一基板130的一侧形成第二基板170，以对颜色转换单元162进行封装。
156.即通过第二基板170对颜色转换单元162进行封装，避免颜色转换单元162与空气中的水氧接触。
157.需要理解的是，在上述实施例中，本技术的显示面板制备方法，是先将第一基板
130与led基板100贴合后，再在第一基板130远离led基板100的一侧形成颜色转换单元162。在其它一些实施例中，也可以先在第一基板130远离第一阻挡层150的一侧形成颜色转换单元162，再将第一基板130与led基板100贴合。不再赘述。
158.在另一个实施例中，当反射层140和第一阻挡层150位于第一基板130的不同侧，此时，led芯片120发出的蓝光先经第一基板130后，再从反射层140射出。步骤s400的工艺流程，即图6，具体可以如图10所示。
159.此时，步骤s400包括：
160.se410，在反射层140远离led基板100的一侧形成第二阻挡层180，第二阻挡层180包括间隔设置的多个第二收纳腔172。
161.该步骤与步骤sd410大体相同，所不同的是：步骤sd410中，第二阻挡层180形成于第一基板130的表面；而在该步骤中，第二阻挡层180形成于反射层140的表面。以此，在步骤sd410至步骤sd430形成显示面板10后，led芯片120发出的蓝光先射入反射层140，再从反射层140射入第一基板130，最后从第一基板130射入颜色转换层160。而在本实施例中形成显示面板10后，led芯片120发出的蓝光先射入第一基板130，再从第一基板130射入反射层140，最后从反射层140射入颜色转换层160。不再赘述。
162.se420，在反射层140形成颜色转换层160，颜色转换层160包括相互间隔的多个颜色转换单元162，多个颜色转换单元162分别设置于多个第二收纳腔172。
163.se430，在第二阻挡层180和颜色转换单元162远离第一基板130的一侧形成第二基板170，以对颜色转换单元162进行封装。
164.同样的，在其它一些实施例中，也可以先在第一基板130远离第一阻挡层150的一侧形成颜色转换单元162，再将第一基板130与led基板100贴合。不再赘述。
165.该实施例中，反射层140与颜色转换层160的距离更近，以此，在确保反射层140反射红光和绿光、透射蓝光的基础上，可以有效防止光串扰现象的发生。
166.在一个实施例中，如图11或12所示，本技术还提供一种显示面板10，包括led基板100、第一基板130、第一阻挡层150和反射层140。
167.具体的，led基板100包括tft背板110及多个led芯片120，多个led芯片120间隔设置于tft背板110。
168.第一基板130，位于tft背板110设有led芯片120的一侧；即与tft背板110间隔相对设置。
169.第一阻挡层150设置于第一基板130上，且位于第一基板130与tft背板110之间。第一阻挡层150包括多个第一收纳腔152，多个led芯片120分别收纳于第一收纳腔152。
170.反射层140设置于第一基板130，多个led芯片120在第一基板130上的正投影与反射层140在第一基板130上的正投影至少部分交叠。例如可以如图中所示多个led芯片120与反射层140间隔相对设置。
171.进一步的，如图11所示，第一基板130具有第一表面132，第一表面132靠近tft背板110。
172.反射层140设置于第一表面132，且包括多个反射器142，多个反射器142分别收纳于第一收纳腔152。
173.在另一个实施例中，如图12所示，第一基板130具有间隔相对的第一表面132和第
二表面134，第二表面134靠近tft背板110。
174.第一阻挡层150设置于tft背板110与第二表面134之间；反射层140设置于第一表面132。
175.在一个实施例中，上述第一表面132为平整的表面。这里的平整是指：沿任意方向且过第一表面132对第一基板130做剖面，位于第一表面132的剖线为直线。
176.在一个实施例中，如图13或14所示，本技术的显示面板10还包括：第二基板170、第二阻挡层180和颜色转换层160。
177.具体的，第二基板170与第一基板130间隔相对设置。
178.第二阻挡层180设置于第二基板170与第一基板130之间，第二阻挡层180包括间隔设置的多个第二收纳腔172。
179.颜色转换层160设置于第二基板170与第一基板130之间，颜色转换层160包括相互间隔的多个颜色转换单元162分别设置于多个第二收纳腔172，多个所述颜色转换单元162在第二基板170上的正投影分别覆盖多个led芯片120在第二基板170上的正投影多，即个颜色转换单元162与多个led芯片120一一相对。
180.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
181.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。