蚀刻方法和蚀刻装置与流程

技术特征：
1.一种蚀刻方法，用于选择性地蚀刻含si和o的材料，所述蚀刻方法包括以下工序：将具有含si和o的材料的基板设置于腔室内；重复先开始的供给碱性气体的第一期间和接着开始的供给含氟气体的第二期间，使所述第二期间的至少一部分不与所述第一期间重叠；以及对通过供给所述碱性气体和所述含氟气体而生成的反应生成物进行加热来去除该反应生成物。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，在重复所述第一期间和所述第二期间的工序中，在供给所述碱性气体的所述第一期间结束后连续地开始供给所述含氟气体的所述第二期间。3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，将以下工序重复多次：重复所述第一期间和所述第二期间的工序；以及对所述反应生成物进行加热来去除所述反应生成物的工序。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，在重复所述第一期间和所述第二期间的工序中，在所述第二期间结束后且所述第一期间开始之前，进行所述腔室的吹扫。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述含氟气体为从hf气体、f2气体、clf3气体、nf3气体中选择出的至少一种气体，所述碱性气体为从nh3气体和胺气中选择出的至少一种气体。6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于，所述含氟气体为hf气体，所述碱性气体为nh3气体，所述反应生成物为氟硅酸铵。7.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其特征在于，在80℃以下的温度下进行重复所述第一期间和所述第二期间的工序。8.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其特征在于，在60℃～80℃的范围的温度下进行重复所述第一期间和所述第二期间的工序。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述基板还具有含si和、n和/或c的材料，相对于所述含si和、n和/或c的材料选择性地蚀刻所述含si和o的材料。10.根据权利要求9所述的蚀刻方法，其特征在于，所述含si和o的材料是从sio2、sion、siocn、sioc中选择出的，所述含si和、n和/或c的材料是从sin、sion、siocn、sioc、sicn、sic中选择出的。11.根据权利要求10所述的蚀刻方法，其特征在于，所述含si和o的材料为sio2膜，所述含si和、n和/或c的材料为sin膜或siocn膜。12.根据权利要求1至11中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，一边在所述腔室内将所述基板进行加热，一边对所述腔室内进行抽真空，由此进行对所述反应生成物进行加热来去除所述反应生成物的工序。13.根据权利要求1至11中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，在与所述腔室不同的腔室内进行对所述反应生成物进行加热来去除所述反应生成物的工序。14.一种蚀刻装置，选择性地蚀刻含si和o的材料，所述蚀刻装置具备：
腔室，其收容基板，该基板具有含si和o的材料；载置台，其在所述腔室内载置所述基板；气体供给部，其向所述腔室内供给碱性气体和含氟气体；排气部，其对所述腔室内进行排气；调温部，其调节所述载置台上的基板的温度；以及控制部，其中，所述控制部控制所述气体供给部、所述排气部以及所述调温部，以使得重复先开始的供给所述碱性气体的第一期间和接着开始的供给所述含氟气体的第二期间，使所述第二期间的至少一部分不与所述第一期间重叠，并且对通过供给所述碱性气体和所述含氟气体而生成的反应生成物进行加热来去除该反应生成物。15.根据权利要求14所述的蚀刻装置，其特征在于，所述含氟气体为从hf气体、f2气体、clf3气体、nf3气体中选择出的至少一种气体，所述碱性气体为从nh3气体和胺气中选择出的至少一种气体。16.根据权利要求15所述的蚀刻装置，其特征在于，所述含氟气体为hf气体，所述碱性气体为nh3气体，所述反应生成物为氟硅酸铵。17.根据权利要求16所述的蚀刻装置，其特征在于，所述控制部通过所述调温部将所述基板的温度控制为80℃以下。18.根据权利要求17所述的蚀刻装置，其特征在于，所述控制部通过所述调温部将所述基板的温度控制为60℃～80℃的范围。19.根据权利要求14至18中的任一项所述的蚀刻装置，其特征在于，所述基板还具有含si和、n和/或c的材料，相对于所述含si和、n和/或c的材料选择性地蚀刻所述含si和o的材料。20.根据权利要求19所述的蚀刻装置，其特征在于，所述含si和o的材料为sio2膜，所述含si和、n和/或c的材料为sin膜或siocn膜。

技术总结
本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，以高选择性蚀刻含Si和O的膜。选择性地蚀刻含Si和O的材料的蚀刻方法包括以下工序：将具有含Si和O的材料的基板设置于腔室内；重复先开始的供给碱性气体的第一期间和接着开始的供给含氟气体的第二期间，使第二期间的至少一部分不与第一期间重叠；以及对通过供给碱性气体和含氟气体而生成的反应生成物进行加热来去除该反应生成物。应生成物。应生成物。


技术研发人员：五十岚义树 菊岛悟 须贺隆之 林军 朱澄亚
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2021.05.08
技术公布日：2021/11/19