体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法与流程

技术特征：
1.一种体声波谐振器，包括：谐振器，包括顺序堆叠在基板上的第一电极、压电层和第二电极；以及插入层，设置在所述压电层下方，且被构造为部分地升高所述压电层和所述第二电极，其中，所述插入层利用包含硅、氧和氮的材料形成。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，包含在所述插入层中的氮的at％含量是整个所述插入层的硅、氧和氮的总at％含量的0.86％或更高，并且低于氧的at％含量。3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述压电层利用氮化铝和掺杂钪的氮化铝中的一种形成。4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极利用钼形成。5.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述插入层利用具有低于所述第一电极和所述压电层的声阻抗的声阻抗的材料形成。6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述谐振器包括设置在中央区域中的中央部以及设置在所述中央部的外围处的延伸部，所述插入层设置在所述谐振器的所述延伸部中，所述插入层具有倾斜表面，所述倾斜表面的厚度随着距所述中央部的距离增加而增加，并且所述压电层包括设置在所述插入层的所述倾斜表面上的倾斜部。7.根据权利要求6所述的体声波谐振器，其中，在切割穿过所述谐振器的截面中，所述第二电极的端部设置在所述中央部和所述延伸部之间的边界处，或者设置在所述倾斜部上。8.根据权利要求6所述的体声波谐振器，其中，所述压电层包括设置在所述中央部中的压电部，以及从所述倾斜部向外延伸的延伸部，并且所述第二电极的至少一部分设置在所述压电层的所述延伸部上。9.一种制造体声波谐振器的方法，所述方法包括：形成谐振器，在所述谐振器中，第一电极、压电层和第二电极顺序地堆叠，其中，所述谐振器的形成包括：在所述第一电极下方形成插入层，或者，在所述第一电极与所述压电层之间形成插入层以部分地升高所述压电层和所述第二电极，且其中，所述插入层利用包含硅、氧和氮的材料形成。10.根据权利要求9所述的方法，其中，包含在所述插入层中的氮的at％含量是整个所述插入层的硅、氧和氮的总at％含量的0.86％或更高，并且低于氧的at％含量。11.根据权利要求9所述的方法，其中，通过混合sih4和n2o气体来形成所述插入层。12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述插入层通过化学气相沉积方法并且通过应用下式来形成：sih4 n2o
→
sio
x
n
y
h2。13.根据权利要求9所述的方法，其中，通过以预定比混合sih4、o2和n2气体来形成所述插入层。14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述插入层通过化学气相沉积方法，并且随后应用下式形成：sih4 o2 n2→
sio
x
n
y
h2。
15.根据权利要求9所述的方法，其中，所述插入层利用氮化铝和掺杂钪的氮化铝中的一种形成。16.根据权利要求9所述的方法，其中，所述插入层利用具有低于所述第一电极和所述压电层的声阻抗的声阻抗的材料形成。17.一种体声波谐振器，包括：基板；谐振器，包括：中央部，所述中央部包括顺序地堆叠在所述基板上的第一电极、压电层和第二电极，以及延伸部，从所述中央部延伸，且包括设置在所述第一电极与所述压电层之间的插入层；其中，所述插入层利用二氧化硅薄膜形成。18.根据权利要求17所述的体声波谐振器，其中，氮被注入到所述二氧化硅薄膜中。19.根据权利要求18所述的体声波谐振器，其中，所述压电层利用掺杂的氮化铝形成。20.根据权利要求19所述的体声波谐振器，其中，掺杂在所述氮化铝中的元素的含量在0.1at％至30at％的范围内。21.根据权利要求19或20所述的体声波谐振器，其中，掺杂在所述氮化铝中的元素为钪。

技术总结
本公开提供一种体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法，所述体声波谐振器包括：谐振器，包括顺序地堆叠在基板上的第一电极、压电层和第二电极；以及插入层，设置在所述压电层下方，且被构造为以部分地升高所述压电层和所述第二电极，其中，所述插入层可利用包含硅(S)、氧(O)和氮(N)的材料形成。氧(O)和氮(N)的材料形成。氧(O)和氮(N)的材料形成。


技术研发人员：李泰京 金龙石 尹湘基 林昶贤 李泰勳 李镇佑
受保护的技术使用者：三星电机株式会社
技术研发日：2021.01.26
技术公布日：2021/11/19