一种SDB隔离效果测试结构的制作方法

一种sdb隔离效果测试结构
技术领域
1.本实用新型属于半导体设计和测试领域，具体涉及一种用于测试sdb隔离效果的测试结构。


背景技术：

2.浅槽隔离，即shallow trench isolation，简称sti。通常用于0.25μm以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅隔离。随着集成电路被缩减到14nm节点或更小的尺寸，有源区之间的浅槽隔离区域的宽度越来越难以缩小，导致面积利用率无法进一步提高。
3.为了解决这个问题，现有技术中在原有的两个有效的有源区之间通过设置特别设计的虚拟栅极(dummy gates)来形成隔离，代替原有的浅槽隔离手段，可参考图1(a)sdb隔离相比图1(b)中的sti隔离占用的面积更小。这种特别设置的虚拟栅极被称为单扩散中断(sdb，single diffusion break)，是用于电隔离该sdb 两侧有源区的结构。但是，如何对sdb是否确实有起到良好的隔离效果进行有效的测试，依旧是本领域的一个技术难题。


技术实现要素：

4.本实用新型是基于上述现有技术的问题而进行的，目的在于提供一种sdb 隔离效果测试结构，适用于对sdb的隔离效果进行测试。
5.本实用新型提供的一种sdb隔离效果测试结构，包括第一梳状结构、第二梳状结构和测试单元，能对测试单元中的sdb隔离效果进行测试；设栅极延伸方向为第一方向，垂直于栅极延伸方向为第二方向；其中m0a用于连接有源区m0p用于连接栅极；两侧都与有源区接触的sdb设定为第一sdb，与所述第一 sdb接触的有源区设定为第一有源区；将位于第一有源区上、连接有v0、不与 m0p及非第一有源区接触的m0a设定为第一m0a；所述第一梳状结构和第二梳状结构中各包括若干根沿着第一方向的梳齿；所述梳齿是铺设在测试单元中的第一m0a上的m1，并通过v0与该第一m0a连接；设第一梳状结构中的梳齿为第一梳齿，第二梳状结构中的梳齿为第二梳齿；所述第一梳齿在第一方向上的一端通过m1相互连接，所述第二梳齿在第一方向上的另一端通过m1相互连接；且第一梳齿和第二梳齿交错间隔设置；第一sdb以及与该第一sdb接触的第一有源区上的第一m0a的组合设定为sdbseed1_cluster；所述测试单元是包含两个第一m0a的sdbseed1_cluster。
6.所述sdb隔离效果测试结构设置在选定的测试区域内。
7.m1满足预设版图设计规则，包括：对于连接作为梳齿的m1和第一m0a 的v0，其与该m1的边缘在第一方向上的垂直间距满足预设版图设计规则。
8.另一个具体的实施情况里，所述测试区域从外向内包括嵌套设置的第一测试区、第二测试区和第三测试区；所述第一测试区为矩形；所述第一测试区的边缘向内平移预设的第一距离后得到缩小的矩形区域是第二测试区；第二测试区的边缘向内平移预设的第二距离后得到缩小的矩形区域是第三测试区；所述测试单元在第三测试区中；所述第一梳状
结构和第二梳状结构设置在第一测试区。
9.所述第二距离为预设版图设计规则中规定的m1之间的最小间距。
10.具体一个特别好的做法中，第二距离是1μm。
11.其中优选的，第一距离是0.5μm。
12.所述第一梳齿在第一方向上的一端都延伸至同一条垂直于第一方向的直线上，所述第二梳齿在第一方向上的另一端都延伸至同一条垂直于第一方向的直线上；且将第一梳齿连接一起的m1和/或将第二梳齿连接一起的m1是垂直于第一方向的条状结构。
13.所述条状结构在第一测试区边缘与第二测试区边缘之间。
14.所述条状结构在第一方向上的宽度等于第一距离。
15.在一个有利的实施例中，所述第一梳齿和/或第二梳齿在第二方向上的宽度与第一m0a相等。
16.在另一个可行的实施方案中，所述测试区域有多个，用于对版图中的sdb 隔离效果进行批量采样测试。
17.本实用新型具有如下有益效果：根据本实用新型所涉及的一种sdb隔离效果测试结构，通过在版图中，选定若干区域、保留其前中段设计，并自动生成金属层m1来形成测试结构，工艺步骤简洁，且能够适用于各种实际设计中测试 sdb的隔离效果；并能对sdb隔离部分进行大批量分组采样测试，便于后续绕线组成完整的测试芯片，有利于生产和设计的优化。
附图说明
18.图1(a)为sdb隔离的示意图。
19.图1(b)为sti隔离的示意图。
20.图2是本实用新型实施例一的生成sdb隔离效果测试结构的过程示意图。
21.图3是本实用新型的实施例一的测试区域和sdbseed1的示意图。
22.图4是本实用新型的实施例一的sdbseed1_m0a和的示意图。
23.图5是本实用新型的实施例一的测试单元的示意图。
24.图6是本实用新型的实施例一的第一梳齿和第二梳齿示意图。
25.图7是本实用新型的实施例一的测试结构示意图。
26.图8是本实用新型的实施例二的测试结构示意图。
具体实施方式
27.本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解。
28.下面将参照附图更详细地描述本实用新型公开的实施例。虽然附图中显示了本实用新型公开的某些实施例，然而应当理解的是，本实用新型公开可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本公开。应当理解的是，本实用新型公开的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本实用新型公开的保护范围。在下述实施例中采用特定次序描绘了实施例的操作，这些次序的描述是为了更好的理解实施例中的细节以全面了解本实用新型，但这些次序的
描述并不一定与本实用新型的测试结构的构成一一对应，也不能以此限定本实用新型的范围。
29.需要说明的是，附图中的流程图和框图，图示了按照本实用新型实施例的方法可能实现的操作过程。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以并不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以穿插的执行，这依所涉及的步骤要实现的目的而定。此外框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与人工操作结合来实现。
30.实施例一
31.如图2所示，本发明实施例中公开生成sdb隔离效果测试结构的方法，包括：步骤s1.获取版图信息，包括有源区、栅极、m0a、m0p、v0和sdb，并在版图中确定测试区域；所述m0a用于连接有源区；所述m0p用于连接栅极；所述v0用于连接m0a；以栅极延伸方向为第一方向，垂直于栅极延伸方向为第二方向，所述sdb用于电隔离其两侧的有源区；步骤s2.在测试区域内识别出两侧接触有源区的sdb为第一sdb，第一sdb两侧接触的有源区为第一有源区；识别出位于第一有源区上、连接有v0、不与m0p及非第一有源区接触的m0a 为第一m0a；步骤s3.将第一sdb及其接触的第一有源区上的第一m0a的组合记为sdbseed1_cluster，并将所述sdbseed1_cluster中包含两个第一m0a的组合识别为测试单元；识别测试单元内的v0为连接v0；步骤s4.在测试单元中的第一m0a上铺设对应的m1，生成条状的梳齿，所述连接v0连接第一m0a 和其上的梳齿；所述梳齿包括交错间隔设置的第一梳齿和第二梳齿；步骤s5.将第一梳齿在第一方向上的一端通过m1连接在一起组成第一梳状结构，将第二梳齿在第一方向上的另一端通过m1连接在一起组成第二梳状结构；所述第一梳状结构和第二梳状结构，以及连接的测试单元，组成测试结构；将第一梳状结构和第二梳状结构分别连到各自不同的测试端，用于对测试单元内的sdb隔离效果进行测试。
32.本实施例中结合参考图3、图4、图5、图6和图7，第一方向y与第二方向x相互垂直，本实施例中，步骤s1在版图中确定的测试区域包括，第一测试区a、第二测试区b和第三测试区c。第一测试区a为矩形，将其的每条边沿着垂直于该边的方向，朝内移动预设的第一距离，得到缩小后的矩形区域为第二测试区b，本实施例中第一距离设定为0.5μm。第一距离也可以是其它的预设值，0.5μm是本实施例较好的一个做法示例，并不能因此限定本发明。同样将第二测试区b的每条边沿着垂直于该边的方向，朝内移动预设的第二距离，得到缩小后的矩形区域为第三测试区c，本实例中第二距离预设是1μm，也是本实施例中预设版图设计规则中规定的m1连线之间的最小距离。当然这只是本实施例较好的一个做法示例，并不能因此限定本发明。
33.本实施例中，步骤s2中，第三测试区c内识别出两侧与有源区接触的sdb 为第一sdb，并记为sdbseed1，将与所述sdbseed1接触的有源区，即第一有源区各记为sdbseed1_asd。识别出位于所述sdbseed1_asd上、不与除 sdbseed1_asd外其他有源区接触、并不与m0p接触且连接有至少一个v0的 m0a记为sdbseed1_m0a，即第一m0a。将sdbseed1以及与该sdbseed1接触的sdbseed1_asd上的sdbseed1_m0a的组合记为sdbseed1_cluster，并将所述sdbseed1_cluster中包含两个sdbseed1_m0a的组合记为sdbseed2_cluster，即识别为测试单元。将sdbseed2_cluster中的v0记为connection_v0，即连接 v0。sdbseed2_cluster为在
指在第三测试区域c中自动采样选定的测试单元，用于对该测试单元中的sdb隔离效果进行测试。在sdbseed2_cluster中的 sdbseed1_m0a上铺设对应等宽的m1，生成条状的梳齿，记为connection_valid。本实施例中铺设的m1与第一m0a在第二方向x上的宽度相等是一个较佳的做法示例，铺设m1的宽度，即生成的梳齿的宽度也可以与第一m0a不相等，并不限定。connection_v0用于连接sdbseed1_m0a和其上的connection_valid。在铺设connection_valid时，要保证m1在第三测试区c内且满足预设版图设计规则，并在m1无法满足预设版图设计规则时舍弃该m1所连接的测试单元 sdbseed2_cluster。本实施例中，m1满足预设版图设计规则是：当连接m1和sdbseed1_m0a的connection_v0，与该m1中垂直于第一方向y的边，在第一方向y上的距离未达到预设版图设计规则(本实施例中该预设版图设计规则为保证m1对v0的enclosure，是一个包围规则，限定了m1边缘要超出v0边缘的距离)时，则将第二方向x上的边沿着第一方向y向m1外移动至距离满足预设版图设计规则，实现该m1在栅极延伸方向上的延伸扩展。
34.将所有connection_valid分为connection_valid_a和connection_all_b，即所述梳齿包括交错间隔设置的第一梳齿和第二梳齿。需要说明的是，对于第一梳齿和第二梳齿，在有些实际情况在第一方向y上也有差距，需要每根 connection_valid沿着栅极走向的中线的延长直线，才能看到第一梳齿和第二梳齿间隔设置。即本实施例中connection_valid_a和connection_valid_b间隔设置，若作每根connection_valid沿着栅极延伸方向的中线所在的直线，则对于每两根相邻的connection_valid_a的直线之间，必然存在一根connection_valid_b的直线，对于每两根相邻的connection_valid_b的直线之间，必然存在一根以 connection_valid_a的直线。
35.本实施例中，先将所有connection_valid_a的一端沿着第一方向y延长至第二测试区b的边缘后，再将所有connection_valid_a的这一端通过垂直于第一方向y的m1连接在一起，并这些用于连接connection_valid_a一端的m1生成的条状结构记为connection_extension_a，将connection_extension_a和所有 connection_valid_a组成的梳状结构，即第一梳状结构记为comb_a。将所有 connection_valid_b的一端沿着第一方向y反向延长至第二测试区域b的边缘后，通过垂直于第一方向y的m1连接在一起，并将这些用于连接connection_valid_b 一端的m1生成的条状结构记为connection_extension_b，将connection_extension_b和所有connection_valid_b组成的梳状结构，即第二梳状结构记为comb_b。条状结构垂直于第一方向y是本实施例较好的一个做法，在其它一些实施例中条状结构也可以和第一方向y成其它角度，并不限定。
36.条状结构connection_extension_a和connection_extension_b，是不在第二测试区域b内但在第一测试区a内的图形区域，且connection_extension_a和 connection_extension_b在第一方向y上的宽度在本实施例中是0.5μm，等于第一距离。这是本实施例较好的一个示例，在其它一些实施例中 connection_extension_a和connection_extension_b在第一方向y上的宽度也可以小于或者大于第一距离，并不限定。将comb_a和comb_b分别连到两个各自不同的测试端test1和test2，即对测试区域内的sdb隔离效果进行检测。
37.实施例二
38.如图8所示，实施例二与实施例一的区别主要在于步骤s1中确定的测试区域是3个，每个测试区域相互独立，各自包括相应的测试单元和梳状结构，用于对版图中的sdb隔
离效果进行批量采样测试，有利于提高测试效率。确定的测试区域有3个是本实施例的一个举例，实际也可以多于3个或者是2个，根据实际生产中的应用情况而设定，并不限定。需要指出的是，以上列举的仅是本实用新型的具体实施例。显然，本实用新型不限于以上实施例，还可以有很多变形。本领域的普通技术人员能从本实用新型公开的内容中直接导出或联想到的所有变形，均应认为是本实用新型的保护范围。
39.上述实施方式为本实用新型的优选案例，并不用来限制本实用新型的保护范围。为明确说明起见，许多实施上的细节在以上叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实施中的细节不应用以限制本实用新型。