一种单晶硅料漂洗装置及漂洗方法与流程

1.本发明属于单晶硅料处理技术领域，涉及一种单晶硅料漂洗装置及漂洗方法。


背景技术：

2.单晶工序生产加工过程中，会产生可循环使用硅料，需要经过单晶硅料处理工序，去除表面附着的杂质，字迹，水斑，氧化色等等。因全自动清洗设备处理工艺单一，工艺参数不能频繁切换，为了应对表面质量难处理的单晶硅料，使用人工清洗工艺进行处理，但在处理过程中，原先使用的漂洗工艺使用上进水下排水，水不断溢流方式，不足之处在于漂洗时间长，漂洗一水槽硅料至少需要2.5—4h左右，人工处理效率受较大影响，消耗的纯水资源与人工产能存在极大浪费现象。


技术实现要素：

3.本发明要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，而提供一种单晶硅料漂洗装置及漂洗方法，该一种单晶硅料漂洗装置及漂洗方法为解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种单晶硅料漂洗装置，包括漂洗槽，所述漂洗槽上方设置有进水管，所述漂洗槽从上至下设置有三个排水孔，所述三个排水孔分别为第一排水孔、第二排水孔和第三排水孔，所述第一排水孔位于漂洗槽三分之二高度处且设置有第一阀门，所述第二排水孔位于漂洗槽三分之一高度处且设置有第二阀门，所述第三排水孔位于漂洗槽底部且设置有第三阀门。
4.优选的，所述进水管与三个排水孔分别位于漂洗槽的两侧。
5.优选的，所述第一排水孔、第二排水孔和第三排水孔外接排水管路，所述第一阀门、第二阀门和第三阀门均为pvc球阀。
6.优选的，所述进水管外接纯水箱。
7.一种单晶硅料漂洗方法，采用所述单晶硅料漂洗装置，包括以下步骤：
8.s1：将单晶硅料放置在漂洗槽中，开启进水管流入漂洗槽纯水至水满，关闭进水管；
9.s2：打开第一阀门，排水完成后关闭第一阀门，
10.s3：打开进水管至漂洗槽水满后，打开第一阀门和第二阀门，排水完成后关闭第一阀门和第二阀门；
11.s4:打开进水管至漂洗槽水满后，打开第一阀门、第二阀门和第三阀门，排水完成后关闭第一阀门、第二阀门和第三阀门；
12.s5：重复步骤s1
‑
s4两次，打开进水管至漂洗槽水满后，测试漂洗槽内ph值，若达到中性，清洗完成；若为酸性，重复步骤s1
‑
s4。
13.有益效果：此方式改变传统的上进水下排水，水不断溢流的漂洗结构和漂洗方式，采用分层排水，分层进水的方式，按照本发明的排水装置的结构，采用本发明的排水方法，极大的节省了漂洗时间，减少了耗水量，减少了污水的排放；提高了漂洗效率，节省了人工，
而且绿色环保。
附图说明
14.图1为漂洗装置结构示意图；
15.图中符号说明：1：漂洗槽；2：进水管；3：排水管路；4：第一排水孔；5：第二排水孔；6：第三排水孔；41：第一阀门；51：第二阀门；61：第三阀门。
具体实施方式
16.下面结合附图和具体较佳实施方式对本发明作进一步详细的说明。
17.本发明的描述中，需要理解的是，术语“左侧”、“右侧”、“上部”、“下部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，“第一”、“第二”等并不表示零部件的重要程度，因此不能理解为对本发明的限制。本实施例中采用的具体尺寸只是为了举例说明技术方案，并不限制本发明的保护范围。
18.实施例1：
19.参考图1，本发明提供一种技术方案，一种单晶硅料漂洗装置，包括漂洗槽1，漂洗槽1上方设置有进水管2，漂洗槽1从上至下设置有三个排水孔，三个排水孔分别为第一排水孔4、第二排水孔5和第三排水孔6，第一排水孔4位于漂洗槽1三分之二高度处且设置有第一阀门41，第二排水孔5位于漂洗槽1三分之一高度处且设置有第二阀门51，第三排水孔6位于漂洗槽1底部且设置有第三阀门61。
20.进一步地，进水管2与三个排水孔分别位于漂洗槽1的两侧，有利于纯水对单晶硅料的充分漂洗，增加接触时间。
21.进一步地，第一排水孔4、第二排水孔5和第三排水孔6外接排水管路3，第一阀门41、第二阀门51和第三阀门61均为pvc球阀，排水管路3可以方便排水至固定位置，pvc材质的球阀不仅控制水流流量大小，还可以防止酸腐蚀。
22.进一步地，进水管2外接纯水箱，保证纯水的供给，也可以外接一些漂洗液箱体，根据生产需要选择。
23.实施例2：
24.参考图1，本发明提供一种技术方案,在实施例1的基础上，一种单晶硅料漂洗方法，采用单晶硅料漂洗装置，包括以下步骤：
25.s1：将单晶硅料放置在漂洗槽1中，开启进水管2流入漂洗槽1纯水至水满，关闭进水管2；
26.s2：打开第一阀门41，排水完成后关闭第一阀门41，
27.s3：打开进水管2至漂洗槽1水满后，打开第一阀门41和第二阀门51，排水完成后关闭第一阀门41和第二阀门51；
28.s4:打开进水管2至漂洗槽1水满后，打开第一阀门41、第二阀门51和第三阀门61，排水完成后关闭第一阀门41、第二阀门51和第三阀门61；
29.s5：重复步骤s1
‑
s4两次，打开进水管2至漂洗槽1水满后，测试漂洗槽1内ph值，若达到中性，清洗完成；若为酸性，重复步骤s1
‑
s4。
30.实施例3：
31.在实施例1和2的基础上，漂洗槽1尺寸为1*1*1m，因单晶硅料之前存在缝隙，放单晶硅料至漂洗槽1的3/4位置处可装填250kg硅料，根据硅的密度，体积为0.107立方米；
32.s1:将单晶硅料放置在漂洗槽1中，开启进水管2流入漂洗槽1纯水至水满，进水量为0.893立方米，注水时间耗时11分钟，关闭进水管2；
33.s2：打开第一阀门41，排水量为0.297立方米，排水完成后关闭第一阀门41，
34.s3:打开进水管2至漂洗槽1水满后，进水量为0.297立方米，打开第一阀门41和第二阀门51，排出漂洗槽1三分之一高度之上的水，排水量为0.595立方米，排水完成后关闭第一阀门41和第二阀门51；
35.s4:打开进水管2至漂洗槽1水满后，进水量为0.595立方米，打开第一阀门41、第二阀门51和第三阀门61，排出漂洗槽1内所有纯水，排水量为0.893立方米；排水完成后关闭第一阀门41、第二阀门51和第三阀门61；
36.s5：重复步骤s1
‑
s4两次，打开进水管2至漂洗槽1水满后，测试漂洗槽1内ph值，测试为中性，符合标准；三次重复操作时间90分钟，耗水量为5.358立方米。
37.现有技术使用的漂洗工艺使用上进水下排水，水不断溢流的方式进行漂洗，漂水时间为2.5小时，耗水量为7.68立方米；对比可知，相对于传统的漂洗方法，本发明极大的节省了时间，减少了耗水量，进而减少了污水排放量，提高了工作效率，符合绿色环保的生产理念。
38.一般情况下，重复三次即可将纯水ph值漂至中性，达到清洗效果，当单晶硅料污染较严重，可按照步骤s5重复步骤s1
‑
s4再进行ph值测量，保证清洗干净。
39.尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换，这些等同变换均属于本发明的保护范围。