防潮覆晶薄膜封装及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种防潮覆晶薄膜封装，包括：基础膜，具有形成在所述基础膜的一个表面上的导电图案，并且具有形成在所述导电图案上的阻焊层；以及防潮涂层，通过涂覆形成在所述阻焊层上，并且配置为阻挡湿气通过所述阻焊层传递至所述导电图案。2.根据权利要求1所述的防潮覆晶薄膜封装，其中，所述防潮涂层具有聚合物系列材料。3.根据权利要求1所述的防潮覆晶薄膜封装，其中，所述防潮涂层具有硅材料。4.根据权利要求1所述的防潮覆晶薄膜封装，其中：电连接至所述导电图案的半导体芯片安装在所述基础膜的所述一个表面上，以及所述防潮涂层形成为覆盖所述半导体芯片和所述阻焊层。5.根据权利要求1所述的防潮覆晶薄膜封装，其中，所述防潮涂层形成为覆盖由所述阻焊层的顶部限定的区域。6.根据权利要求1所述的防潮覆晶薄膜封装，其中，所述防潮涂层通过在散布、灌注和喷涂中选择的方法形成。7.一种防潮覆晶薄膜封装的制造方法，包括：在导电图案上形成阻焊层以覆盖所述导电图案，所述导电图案形成在基础膜的一个表面上；以及通过涂覆，在所述阻焊层上形成防潮涂层，以阻挡湿气通过所述阻焊层传递至所述导电图案。8.根据权利要求7所述的方法，其中，使用硅材料形成所述防潮涂层。9.根据权利要求7所述的方法，还包括在所述基础膜的所述一个表面上安装电连接至所述导电图案的半导体芯片，其中，所述防潮涂层形成为覆盖所述半导体芯片和所述阻焊层。10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述防潮涂层形成为覆盖由所述阻焊层的顶部限定的区域。11.根据权利要求7所述的方法，其中：通过使用防潮材料的灌注形成所述防潮涂层，所述防潮材料通过供给喷嘴释放，以及所述灌注包括以下步骤：通过使用所述防潮材料在所述基础膜的所述一个表面的外缘中形成坝；在所述基础膜的所述一个表面上在所述坝内以锯齿状施加所述防潮材料；以及扩散所述防潮材料，然后在室温下固化所述扩散的防潮材料。12.根据权利要求7所述的方法，其中：通过使用防潮材料的散布形成所述防潮涂层，所述防潮材料通过供给喷嘴释放，以及所述散布包括：在所述基础膜的所述一个表面上以锯齿状施加所述防潮材料；以及扩散所述防潮材料，然后通过热处理或紫外辐射硬化所述扩散的防潮材料。13.根据权利要求7所述的方法，其中：通过使用防潮材料的喷涂形成所述防潮涂层，所述防潮材料从具有带预定喷涂宽度的
喷涂孔的喷涂模块中喷涂，以及所述喷涂包括：通过在所述基础膜的宽度方向上以逐步方式移动所述喷涂模块的同时在预定区域单元中喷涂所述防潮材料，将所述防潮材料施加至所述基础膜的一部分或整体；以及扩散所述防潮材料，然后通过热处理或紫外辐射硬化所述扩散的防潮材料。

技术总结
本公开公开了一种用于保护覆晶薄膜(COF)封装的导电图案免受湿气影响的防潮COF封装。防潮COF封装包括基础膜和防潮涂层，基础膜具有形成在其一个表面上的导电图案，并且具有形成在导电图案上的阻焊层，防潮涂层通过涂覆形成在阻焊层上，并且配置为阻挡湿气通过阻焊层传递至导电图案。传递至导电图案。传递至导电图案。


技术研发人员：河潭 金倞铉
受保护的技术使用者：硅工厂股份有限公司
技术研发日：2021.04.22
技术公布日：2021/11/14