部件承载件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种部件承载件(100)，其中，所述部件承载件(100)包括：第一层叠置件(120)，所述第一层叠置件(120)包括至少一个第一电传导层结构(124)和/或至少一个第一电绝缘层结构(122)；嵌置在所述第一层叠置件(120)中的部件(110)；第二层叠置件(130)，所述第二层叠置件(130)包括至少一个第二电传导层结构(134)和/或至少一个第二电绝缘层结构(132)；以及热传导块(150)，所述热传导块(150)嵌置在所述第二层叠置件(130)中；其中，所述第一层叠置件(120)和所述第二层叠置件(130)彼此连接，以使得从所述部件承载件(100)的嵌置的所述部件(110)经由所述热传导块(150)直至所述部件承载件(100)的外部表面(101)的热路径(t)的最小热导率为至少7w/mk，特别地，所述热路径(t)的最小热导率为至少40w/mk。2.根据权利要求1所述的部件承载件(100)，其中，所述热路径(t)至少部分地沿着所述部件承载件(100)的z轴定向。3.根据权利要求1所述的部件承载件(100)，其中，所述热路径(t)是连续地电传导的。4.根据权利要求1所述的部件承载件(100)，其中，所述部件承载件(100)还包括：热传导耦合介质(140)，所述热传导耦合介质(140)布置在所述热传导块(150)与嵌置的所述部件(110)之间的接合部(141)处，特别地，其中，所述热传导耦合介质(140)包括热传导浆料，更特别地，所述热传导耦合介质(140)包括烧结浆料或焊接浆料；以及/或者其中，所述热传导耦合介质(140)包括铜层和/或传导微过孔。5.根据权利要求1所述的部件承载件(100)，其中，嵌置的所述部件(110)是芯片，特别地，嵌置的所述部件(110)是功率芯片或高频芯片。6.根据权利要求1所述的部件承载件(100)，其中，所述热传导块(150)是金属块，特别地，所述热传导块(150)是铜块。7.根据权利要求1所述的部件承载件(100)，其中，所述热传导块(150)的横向延伸量大致等于或大于嵌置的所述部件(110)的横向延伸量。8.根据权利要求1所述的部件承载件(100)，其中，所述热路径(t)的最小宽度为嵌置的所述部件(110)的宽度的至少90％，特别地其中，所述热路径(t)的最小宽度至少为嵌置的所述部件(110)的宽度。9.根据权利要求1所述的部件承载件(100)，其中，所述部件(110)被嵌置成使得所述部件(110)的主表面(114)与所述第一层叠置件(120)的外部主表面(121)齐平。10.根据权利要求1所述的部件承载件(100)，其中，所述热传导块(150)被嵌置成使得所述热传导块(150)的主表面(154)与所述第二层叠置件(130)的外部主表面(131)齐平。11.根据权利要求1所述的部件承载件(100)，
其中，所述第一层叠置件(120)与所述第二层叠置件(130)是通过电绝缘层(170)连接的，特别地，所述第一层叠置件(120)与所述第二层叠置件(130)是通过树脂层连接的。12.根据权利要求11所述的部件承载件(100)，其中，所述电绝缘层(170)在所述部件(110)与所述热传导块(150)之间的接合部(180)处包括开口(175)。13.根据权利要求12所述的部件承载件(100)，其中，所述热传导耦合介质(140)的至少一部分布置在所述开口(175)内，以用于将所述部件(110)与所述热传导块(150)热连接。14.根据权利要求11所述的部件承载件(100)，其中，所述电绝缘层(170)布置在所述第一层叠置件(120)的第一电传导层结构(124)与所述第二层叠置件(130)的第二电传导层结构(134)之间，其中，所述电绝缘层(170)在所述第一电传导层结构(124)与所述第二电传导层结构(134)之间包括多个开口(175)，以及其中，在所述开口(175)的至少一部分中布置有热传导耦合介质(140)，以用于将所述第一电传导层结构(124)与所述第二电传导层结构(134)热连接。15.根据权利要求1所述的部件承载件(100)，还包括以下特征中的至少一者：其中，嵌置的所述部件(110)的电信号仅传导至所述部件承载件(100)的另外的外部表面(102)，其中，所述另外的外部表面(102)与所述外部表面(101)相反；其中，所述第一层叠置件(120)和所述第二层叠置件(130)具有不同的集成密度和/或由不同的材料制成；其中，所述部件承载件(100)的所述外部表面(101)和/或所述另外的外部表面(102)与壳体或散热器连接。16.根据权利要求1所述的部件承载件(100)，所述部件承载件(100)包括以下特征中的至少一者：其中，嵌置的至少一个所述部件(110)特别地选自以下各者：电子部件、非电传导嵌体和/或导电嵌体、热传递单元、光引导元件、光学元件、桥接件、能量收集单元、有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储设备、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、电压转换器、密码部件、发送器和/或接收器、机电换能器、致动器、微机电系统、微处理器、电容器、电阻器、电感、蓄能器、开关、相机、天线、磁性元件、另外的部件承载件、以及逻辑芯片；其中，所述部件承载件的所述第一电传导层结构(124)和所述第二电传导层结构(134)中的至少一者包括铜、铝、镍、银、金、钯和钨中的至少一者，并且所述铜、铝、镍、银、金、钯和钨中的任意者可选地被涂覆有诸如石墨烯之类的超导材料；其中，所述第一电绝缘层结构(122)和所述第二电绝缘层结构(132)包括树脂、fr
‑
4、fr
‑
5、氰酸酯、聚亚苯基衍生物、玻璃、预浸材料、聚酰亚胺、聚酰胺、液晶聚合物、环氧基积层膜、聚四氟乙烯、陶瓷和金属氧化物中的至少一者，特别地，所述树脂是增强树脂或非增强树脂、例如环氧树脂或双马来酰亚胺
‑
三嗪树脂；其中，所述部件承载件(100)被成形为板；其中，所述部件承载件(100)被构造为印刷电路板、基板以及中介层中的一者；
其中，所述部件承载件(100)被构造为层压型部件承载件。17.一种制造部件承载件(100)的方法，其中，所述方法包括：将部件(110)嵌置在第一层叠置件(120)中，所述第一层叠置件(120)包括至少一个第一电传导层结构(124)和/或至少一个第一电绝缘层结构(122)；将热传导块(150)嵌置在第二层叠置件(130)中，所述第二层叠置件(130)包括至少一个第二电传导层结构(134)和/或至少一个第二绝缘层结构(132)；以及将所述第一层叠置件(120)与所述第二层叠置件(130)连接，以使得从所述部件承载件(100)的嵌置的所述部件(110)经由所述热传导块(150)直至所述部件承载件(100)的外部表面(101)的热路径(t)的热导率为至少7w/mk，特别地，所述热路径(t)的热导率为至少40w/mk。18.根据权利要求17所述的方法，还包括：在所述热传导块(150)与嵌置的所述部件(110)之间的接合部(141)处施加热传导耦合介质(140)，其中，在所述第一层叠置件(120)与所述第二层叠置件(130)连接之前将所述热传导耦合介质(140)施加至所述热传导块(150)。19.根据权利要求17所述的方法，还包括：使用热压结合而将所述热传导块(150)与嵌置的所述部件(110)连接。

技术总结
描述了一种部件承载件(100)，其中，部件承载件(100)包括：i)第一层叠置件(120)，其包括至少一个第一电传导层结构(124)和/或至少一个第一电绝缘层结构(122)，ii)嵌置在第一层叠置件(120)中的部件(110)，iii)第二层叠置件(130)，其包括至少一个第二电传导层结构(134)和/或至少一个第二电绝缘层结构(132)，以及iv)热传导块(150)，其嵌置在第二层叠置件(130)中。由此，第一层叠置件(120)和第二层叠置件(130)彼此连接，以使得从部件承载件(100)的嵌置的部件(110)经由热传导块(150)直至部件承载件的外部表面(101)的热路径(T)的最小热导率为至少7W/mK、特别地为至少40W/mK。此外，描述了一种制造部件承载件(100)的方法。描述了一种制造部件承载件(100)的方法。描述了一种制造部件承载件(100)的方法。


技术研发人员：埃里克
受保护的技术使用者：奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司
技术研发日：2021.04.26
技术公布日：2021/11/14