一种大功率快恢复二极管结构的制作方法

技术特征：
1.一种大功率快恢复二极管结构，其特征在于，从上至下依次设置有第一电极层(1)、第二导电类型的导通二区(3)、第一导电类型的阻断层(4)、第一导电类型的导通三区(6)和第二电极层(7)，所述导通二区(3)的上表面嵌入多个第二导电类型的导通一区(2)，多个所述导通一区(2)间隔设置；所述导通一区(2)和导通二区(3)的上表面与第一电极层(1)接触；所述导通二区(3)的下表面与阻断层(4)接触；所述阻断层(4)与导通三区(6)之间还设置有第一导电类型的过渡区(5)；所述过渡区(5)的下表面与导通三区(6)连接；所述过渡区的上表面及侧面与阻断层连接。2.根据权利要求1中所述的一种大功率快恢复二极管结构，其特征在于，所述过渡区(5)的掺杂浓度大于阻断层(4)的掺杂浓度，所述过渡区(5)的掺杂浓度小于导通三区(6)的掺杂浓度。3.根据权利要求2中所述的一种大功率快恢复二极管结构，其特征在于，所述过渡区(5)的掺杂浓度沿纵向方向递增。4.根据权利要求3中所述的一种大功率快恢复二极管结构，其特征在于，所述过渡区(5)包括过渡一区(51)和过渡二区(52)，所述过渡一区(51)和过渡二区(52)沿纵向方向依次并列设置；所述过渡一区(51)的上表面和侧面与阻断层(4)连接，所述过渡二区(52)的上表面与阻断层(4)连接；所述过渡二区(52)的下表面与导通三区(6)连接；所述过渡一区(51)的掺杂浓度小于过渡二区(52)的掺杂浓度；所述过渡一区(51)的掺杂浓度大于阻断层(4)的掺杂浓度，所述过渡二区(52)的掺杂浓度小于导通三区(6)的掺杂浓度。5.根据权利要求2中所述的一种大功率快恢复二极管结构，其特征在于，所述过渡区(5)的掺杂浓度沿横向方向递增。6.根据权利要求5中所述的一种大功率快恢复二极管结构，其特征在于，所述过渡区包括过渡一区(51)、过渡二区(52)和过渡三区(53)，所述过渡一区(51)、过渡二区(52)、过渡三区(53)沿横向方向依次并列设置；所述过渡三区(53)和过渡二区(52)的上表面与阻断层(4)连接，所述过渡三区(53)和过渡二区(52)的下表面与导通三区(6)连接；所述过渡一区(51)的上表面及侧面与阻断层(4)连接，所述过渡一区(51)的下表面与导通三区(6)连接；所述过渡三区(53)的掺杂浓度大于过渡二区(52)的掺杂浓度；所述过渡二区(52)的掺杂浓度大于过渡一区(51)的掺杂浓度；所述过渡一区(51)的掺杂浓度大于阻断层(4)的掺杂浓度，所述过渡三区(53)的掺杂浓度小于导通三区(6)的掺杂浓度。7.根据权利要求1中所述的一种大功率快恢复二极管结构，其特征在于，所述导通一区(2)的掺杂浓度大于导通二区(3)的掺杂浓度。8.根据权利要求7中所述的一种大功率快恢复二极管结构，其特征在于，所述导通一区(2)的掺杂浓度和导通二区(3)的掺杂浓度纵向方向递减。9.根据权利要求1中所述的一种大功率快恢复二极管结构，其特征在于，所述第一导电类型为n型导电类型材料，第二导电类型为p型导电类型材料。

技术总结
本发明公布了一种大功率快恢复二极管结构，其特征在于，从上至下依次设置有第一电极层、第二导电类型的导通二区、第一导电类型的阻断层、第一导电类型的导通三区和第二电极层，所述导通二区的上表面嵌入多个第二导电类型的导通一区，多个所述导通一区间隔设置；所述导通一区和导通二区的上表面与第一电极层接触；所述导通二区的下表面与阻断层接触；所述阻断层与导通三区之间还设置有第一导电类型的过渡区；所述过渡区的下表面与导通三区连接；所述过渡区的上表面及侧面与阻断层连接。本发明高度集成，可以改善二极管阻断区载流子的分布，在提升快恢复二极管的反向恢复特性的前提下降低其正向导通压降。前提下降低其正向导通压降。


技术研发人员：王俊 岳伟 俞恒裕 梁世维 刘航志 江希 杨余
受保护的技术使用者：湖南大学
技术研发日：2021.08.02
技术公布日：2021/11/14