技术特征：
1.一种能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路，其特征在于：所述的能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路包括有两个高电平导通开关元件、两个低电平导通开关元件、第一电源输入端、第二电源输入端和输出电源端，第一电源输入端与第一高电平导通开关元件的控制导通开关端相连接，第一高电平导通开关元件的受控回路的输出端与第二电源输入端、第二高电平导通开关元件的受控回路的控制导通开关端、第一低电平导通开关元件的受控回路的输入端和第二低电平导通开关元件的控制导通开关端同时连接，第一高电平导通开关元件的受控回路的输入端接地，第一电源输入端与第一低电平导通开关元件的控制导通开关端相连接，第一电源输入端与第二低电平导通开关元件的受控回路的输入端相连接，第一低电平导通开关元件的受控回路的输出端与输出电源端口相连接，第二电源输入端与第一低电平导通开关元件的受控回路的输入端，第二电源输入端与第二高电平导通开关元件的控制导通开关端相连接，第二高电平导通开关元件的受控回路的输入端接地。2.根据权利要求1所述的能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路，其特征在于：所述的高电平导通开关元件采用nmos晶体管，低电平导通开关元件采用pmos晶体管，第一电源输入端与第一nmos晶体管的栅极相连接，第一nmos晶体管的漏极与第二电源输入端相连接，第一nmos晶体管的漏极与第二nmos晶体管的栅极相连接，第一nmos晶体管的漏极与第一pmos晶体管的漏极相连接，第一nmos晶体管的漏极与第二pmos晶体管的栅极相连接，第一nmos晶体管的源极接地，第一电源输入端与第一pmos晶体管的栅极，第一电源输入端与第二pmos晶体管的漏极相连接，第一pmos晶体管的源极与输出电源端口相连接，第二pmos晶体管的源极与输出电源端口相连接，第二电源输入端与第一pmos晶体管的漏极相连接，第二电源输入端与第二nmos晶体管的栅极相连接，第二nmos晶体管的源极接地。3.根据权利要求2所述的能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路，其特征在于：所述的第一nmos5晶体管的漏极、第二nmos晶体管的栅极、第一pmos晶体管的漏极、第二pmos晶体管的栅极和第二电源输入端的公共端通过电阻r7接地。4.根据权利要求2所述的能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路，其特征在于：所述的输出电源端口连接有电阻r5。5.根据权利要求2所述的能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路，其特征在于：所述的第一nmos晶体管和第二nmos晶体管的型号为se2306。6.根据权利要求2所述的能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路，其特征在于：所述的第一pmos晶体管和第二pmos晶体管的型号为se2301。
技术总结
本实用新型公开一种能解决TWS耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路包括有两个高电平导通开关元件、低电平导通开关元件、第一电源输入端、第二电源输入端和输出电源端，其采用正反接充电结构，可以防止左右耳互换放反的时候出现耳机或者充电盒被烧掉的情况发生，保障耳机在 5V正反接时都可以进行充电。耳机在 5V正反接时都可以进行充电。耳机在 5V正反接时都可以进行充电。
技术研发人员：蒋晖 谢军
受保护的技术使用者：深圳市蓝蜂时代实业有限公司
技术研发日：2021.02.26
技术公布日：2021/11/9
再多了解一些
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