一种能解决TWS耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路的制作方法

一种能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路
技术领域
1.本实用新型公开一种充电电路，特别是一种能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路，属于充电技术领域。


背景技术：

2.随着近年来智能型手机的发展，使得手机成为音乐、影片、玩游戏等多媒体的主要接口。配合着无线技术的发展，以及手机结构的简化，利用无线耳机，例如，蓝牙耳机的比例也逐步地的提升，随着无线耳机的普及，尤其是tws耳机的普及，因此tws顶针搭配充电仓的设计越来越多了。
3.目前，有很多部分耳机没有左右耳防电设计，会造成左右耳互换放反的时候出现耳机或者充电盒被烧掉。


技术实现要素：

4.针对上述提到的现有技术中的耳机没有左右耳防电设计，会造成左右耳互换放反的时候出现耳机或者充电盒被烧掉的问题，本实用新型提供一种能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路，其采用正反接充电结构，可以防止左右耳互换放反的时候出现耳机或者充电盒被烧掉的情况发生，保障耳机在 5v正反接时都可以进行充电。
5.本实用新型解决其技术问题采用的技术方案是：一种能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路，所述的一种能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路包括有两个高电平导通开关元件、两个低电平导通开关元件、第一电源输入端、第二电源输入端和输出电源端，第一电源输入端与第一高电平导通开关元件的控制导通开关端相连接，第一高电平导通开关元件的受控回路的输出端与第二电源输入端、第二高电平导通开关元件的受控回路的控制导通开关端、第一低电平导通开关元件的受控回路的输入端和第二低电平导通开关元件的控制导通开关端同时连接，第一高电平导通开关元件的受控回路的输入端接地，第一电源输入端与第一低电平导通开关元件的控制导通开关端相连接，第一电源输入端与第二低电平导通开关元件的受控回路的输入端相连接，第一低电平导通开关元件的受控回路的输出端与输出电源端口相连接，第二电源输入端与第一低电平导通开关元件的受控回路的输入端，第二电源输入端与第二高电平导通开关元件的控制导通开关端相连接，第二高电平导通开关元件的受控回路的输入端接地。
6.所述的能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路，所述的高电平导通开关元件采用nmos晶体管，低电平导通开关元件采用pmos晶体管，第一电源输入端与第一nmos晶体管的栅极相连接，第一nmos晶体管的漏极与第二电源输入端相连接，第一nmos晶体管的漏极与第二nmos晶体管的栅极相连接，第一nmos晶体管的漏极与第一pmos晶体管的漏极相连接，第一nmos晶体管的漏极与第二pmos晶体管的栅极相连接，第一nmos晶体管的源极接地，第一电源输入端与第一pmos晶体管的栅极，第一电源输入端与第二pmos晶体管的漏极相连接，第一pmos晶体管的源极与输出电源端口相连接，第二pmos晶体管的源极与
输出电源端口相连接，第二电源输入端与第一pmos晶体管的漏极相连接，第二电源输入端与第二nmos晶体管的栅极相连接，第二nmos晶体管的源极接地。
7.所述的能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路，其特征在于：所述的第一nmos晶体管的漏极、第二nmos晶体管的栅极、第一pmos晶体管的漏极、第二pmos晶体管的栅极和第二电源输入端的公共端通过电阻r7接地。
8.所述的能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路，其特征在于：所述的第一nmos晶体管和第二nmos晶体管的型号为se2306。
9.所述的能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路，其特征在于：所述的第一pmos晶体管和第二pmos晶体管的型号为se2301。
10.本实用新型的有益效果是：本实用新型一种能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路，可使得耳机无论在正反接的情况下都可以进行充电。
11.下面将结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步说明。
附图说明
12.图1为本实用新型电路方框图。
13.图2为本实用新型中的能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路原理图。
具体实施方式
14.本实施例为本实用新型优选实施方式，其他凡其原理和基本结构与本实施例相同或近似的，均在本实用新型保护范围之内。
15.请结合参看附图1至附图2，本实用新型为一种能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路，所述的能解决tws耳机正反放置而防止耳机被烧掉的电路包括有两个高电平导通开关元件、两个低电平导通开关元件、第一电源输入端、第二电源输入端和输出电源端，第一电源输入端与第一高电平导通开关元件的控制导通开关端相连接，第一高电平导通开关元件的受控回路的输出端与第二电源输入端相连接，第一高电平导通开关元件的受控回路的输出端与第二高电平导通开关元件的受控回路的控制导通开关端相连接，第一高电平导通开关元件的受控回路的输出端与第一低电平导通开关元件的受控回路的输入端相连接，第一高电平导通开关元件的受控回路的输出端与第二低电平导通开关元件的控制导通开关端相连接，第一高电平导通开关元件的受控回路的输入端接地，第一电源输入端与第一低电平导通开关元件的控制导通开关端相连接，第一电源输入端与第二低电平导通开关元件的受控回路的输入端相连接，第一低电平导通开关元件的受控回路的输出端与输出电源端口相连接，第二电源输入端与第一低电平导通开关元件的受控回路的输入端，第二电源输入端与第二高电平导通开关元件的控制导通开关端相连接，第二高电平导通开关元件的受控回路的输入端接地。
16.本实施例中，高电平导通开关元件包括有nmos晶体管或npn型三极管，低电平导通开关元包括有pmos晶体管或pnp型三极管，第一电源输入端与第一nmos晶体管的栅极相连接，第一nmos晶体管的漏极与第二电源输入端相连接，第一nmos晶体管的漏极与第二nmos晶体管的栅极相连接，第一nmos晶体管的漏极与第一pmos晶体管的漏极相连接，第一nmos晶体管的漏极与第二pmos晶体管的栅极相连接，第一nmos晶体管的源极接地，第一电源输
入端与第一pmos晶体管的栅极，第一电源输入端与第二pmos晶体管的漏极相连接，第一pmos晶体管的源极与输出电源端口相连接，第二pmos晶体管的源极与输出电源端口相连接，第二电源输入端与第一pmos晶体管的漏极相连接，第二电源输入端与第二nmos晶体管的栅极相连接，第二nmos晶体管的源极接地。通过上述，使用mos晶体管搭建一个充电电路，保障耳机在 5v充电时正反接都可以进行充电。
17.本实施例中，电源输入端有两种形式，(1)、第一电源输入端输出5v电源，第二电源输入端接地；(2)、第一电源输入端接地，第二电源输入端输出5v电源。当第一电源输入端接 5v时，第二电源输入端接地，第一nmos晶体管导通，第一nmos晶体管的漏极与第二电源输入端相连接，由于第一nmos晶体管的漏极处于低电平，则第二nmos晶体管不导通，第二pmos晶体管导通，第一pmos晶体管不导通，因此 5v通过第二pmos晶体管导通接入输出电源端口。当第一电源输入端接地，第二电源输入端接 5v时，第二pmos晶体管不导通，第二nmos晶体管导通，第一nmos晶体管的栅极和第二nmos晶体管的漏极都为低电平，第一nmos晶体管不导通，由于第一电源输入端接地，则第一pmos晶体管的栅极为低电平，第一pmos晶体管导通，因此第二电源输入端的 5v通过第一pmos晶体管导通接入输出电源端。
18.本实施例中，第一nmos晶体管的漏极、第二nmos晶体管的栅极、第二pmos晶体管的栅极和第二电源输入端的公共端通过电阻r7接地。电阻r7为下拉电阻，增强电路的可靠性，实现第一pmos晶体管和第二pmos晶体管稳定工作。
19.本实施例中，输出电源端口连接有上拉电阻r5，可增强电路的可靠性，实现第一pmos晶体管和第二pmos晶体管稳定工作。
20.本实施例中，第一nmos晶体管和第二nmos晶体管的型号为se2306。
21.本实施例中，第一pmos晶体管和第二pmos晶体管的型号为se2301。
22.以上所述仅为本实用新型的优先实施方式，本实用新型并不限定于上述实施方式，只要以基本相同手段实现本实用新型目的的技术方案都属于本实用新型的保护范围之内。