光通信O波段硅基高速半导体激光芯片的制作方法

技术特征：
1.一种光通信o波段硅基高速半导体激光芯片，其特征在于：在si衬底上，采用不同的缓冲层形成的低位错密度的生长表面；在材料结构上采用n
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inalgaas取代n
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inalas电子阻挡层，并采用超晶格结构量子垒结构。2.根据权利要求1所述的光通信o波段硅基高速半导体激光芯片，其特征在于：所述缓冲层包括：n
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gap缓冲层、n
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gaas缓冲层和n
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inp缓冲层。3.一种光通信o波段硅基高速半导体激光芯片，其特征在于：其外延层包括在si衬底上依次形成的：n
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gap缓冲层、n
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gaas缓冲层、n
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inp缓冲层、n
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inalgaas过渡层、inalgaas下波导层、inalgaas下分别限制层、ingaalas应变多量子阱和垒、inalgaas上分别限制层、p
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inalas电子阻挡层、p
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inp间隔层、p
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ingaasp光栅层、p
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inp光栅盖层、p
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ingaasp腐蚀停止层、p
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inp空间层、p
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ingaasp过渡层、p
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ingaas电接触层以及掺杂fe的绝缘inp层。4.根据权利要求3所述的光通信o波段硅基高速半导体激光芯片，其特征在于：芯片前后出光端面解离在再生长区域，再生长区域填充有再生长形成的p
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inp层、n
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ingaasp层和p
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inp层。5.根据权利要求4所述的光通信o波段硅基高速半导体激光芯片，其特征在于：还包括在外延层上腐蚀形成的脊型波导。6.根据权利要求5所述的光通信o波段硅基高速半导体激光芯片，其特征在于：所述脊型波导腐蚀至p
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ingaasp腐蚀停止层。7.根据权利要求3所述的光通信o波段硅基高速半导体激光芯片，其特征在于：在所述ingaalas应变多量子阱和垒中，垒层由3层2nm ingaalas垒和2层2nm ingaalas阱超晶格结构组成。

技术总结
本实用新型提出一种光通信O波段硅基高速半导体激光芯片，通过采用不同的缓冲层来形成InP材料低位错密度的生长表面；在能带结构上采用N


技术研发人员：薛正群 黄惠莺 张长平 林泽磊 方瑞禹 苏辉
受保护的技术使用者：福建中科光芯光电科技有限公司
技术研发日：2021.04.29
技术公布日：2021/11/9