显示面板、显示装置及显示面板的制备方法与流程

1.本发明涉及显示技术领域，尤其是指一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。


背景技术：

2.在中大尺寸有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体(active
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matrix organic light
‑
emitting diode，amoled)显示面板开发过程中，采用顶发光技术方案是实现透明显示的最佳方案，这样能够保证一定的分辨率，保证一定的显示效果，但该方案针对中大尺寸的oled阴极材料需要尽量高的透过率，因此不能制作太厚其电阻就受到了限制，这样需要制作辅助阴极用以降低整体阴极的电阻，否则会出现电压下降ir drop现象导致显示质量问题。
3.将辅助阴极制作在阵列array基板之上，通过阳极再与辅助阴极相连接的方式是结构上最简单的方式，但采用该结构需要单独制作辅助阴极及特定的搭接结构，会占用阵列基板array设计面积，而且所制作的搭接结构设置在透明区，这样会很大程度上影响透明度，导致整体透明显示的透过率或者分辨率降低。
4.同时在中大尺寸有源矩阵有机发光二极体面板(active matrix/organic light emitting diode，amoled)显示背板上，电容所占用的面积是最大的，导致整体tft区面积相对较大，限制了透明区的面积，因此电容的设置同样影响了透明显示的分辨率，无法实现高透过率及更高ppi的显示面板制作。


技术实现要素：

5.本发明技术方案的目的是提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，用于解决现有技术显示面板的透过率低的问题。
6.本发明实施例提供一种显示面板，包括透明的衬底基板，其中：
7.所述衬底基板包括第一设置区，所述第一设置区上设置有多个像素结构，每一所述像素结构包括依次制作于所述衬底基板上的驱动单元和发光单元，所述发光单元包括依次设置的第一电极、发光层和第二电极；其中所述第一电极与所述衬底基板之间的垂直距离小于所述第二电极与所述衬底基板之间的垂直距离；
8.所述像素结构还包括第一电传导层，位于所述驱动单元与所述发光单元之间，所述第一电传导层与所述第一电极之间绝缘间隔，且与所述发光单元的第一电极的至少部分区域相对，形成存储电容。
9.可选地，所述的显示面板，其中，所述衬底基板还包括第二设置区，所述第二设置区上设置有第二电传导层和与所述第二电传导层平行设置的第三电传导层，其中所述第二电传导层与所述第三电传导层之间通过第一绝缘层间隔；
10.其中，所述第二电极延伸至所述第二设置区，与所述第二电传导层和所述第三电传导层分别连接。
11.可选地，所述的显示面板，其中，所述第二电传导层与所述衬底基板之间的垂直距离小于所述第三电传导层与所述衬底基板之间的垂直距离，且所述第一电传导层与所述第三电传导层为同层同材料设置。
12.可选地，所述的显示面板，其中，所述第二电传导层还延伸至所述第一设置区，位于所述衬底基板与所述多个像素结构之间。
13.可选地，所述的显示面板，其中，所述像素结构包括设置于所述驱动单元上的平坦层，其中所述第一电传导层制作于所述平坦层上，所述平坦层与所述第一绝缘层为同层同材料设置。
14.可选地，所述的显示面板，其中，所述像素结构还包括设置于所述第一电传导层上的第二绝缘层，所述第一电极设置于所述第二绝缘层上，通过穿透所述第二绝缘层和所述平坦层的过孔与所述驱动单元电连接；
15.其中，在所述第二设置区，所述第三电传导层上设置有第三绝缘层，延伸至所述第二设置区的所述第二电极覆盖所述第三绝缘层，且与所述第二电传导层和所述第三电传导层连接；
16.所述第二绝缘层与所述第三绝缘层为同层同材料设置。
17.可选地，所述的显示面板，其中，每一所述像素结构中包括两个驱动单元，两个所述驱动单元分别包括有源层、栅极层和源/漏极层；其中两个所述驱动单元中，第一驱动单元的有源层与第二驱动单元的有源层、第一驱动单元的栅极层与第二驱动单元的栅极层、第一驱动单元的源/漏极层与所述第二驱动单元的源/漏极层对应为同层同材料设置；
18.其中，所述第一电极与所述第一驱动单元的源/漏极层电连接，所述第一电传导层与所述第二驱动单元的源/漏极层电连接。
19.可选地，所述的显示面板，其中，在所述第二设置区，所述第二电传导层、所述第一绝缘层和所述第三电传导层相组合所形成膜层结构的横截面呈工字型。
20.可选地，所述的显示面板，其中，所述衬底基板上设置有阵列分布的多个所述第一设置区和至少一所述第二设置区，至少一所述第二设置区间隔分布在多个所述第一设置区之间。
21.本发明实施例还提供一种显示装置，其中，包括如上任一项所述的显示面板。
22.本发明实施例还提供一种用于如上任一项所述显示面板的制备方法，其中，所述方法包括：
23.提供透明的衬底基板；
24.在所述衬底基板的第一设置区制作多个像素结构的驱动单元；
25.在制作有所述驱动单元的所述衬底基板的第一设置区制作第一电传导层；
26.在制作有所述第一电传导层的所述衬底基板的第一设置区制作多个像素结构的发光单元，所述第一电传导层与所述发光单元的第一电极绝缘间隔，且与所述发光单元的第一电极的至少部分区域相对，形成存储电容。
27.可选地，所述的制备方法，其中，所述提供透明的衬底基板之后，所述方法还包括：
28.在所述衬底基板上制作第二电传导层，所述第二电传导层从所述衬底基板的第一设置区延伸至第二设置区；
29.其中，在所述衬底基板的第一设置区制作多个像素结构的驱动单元，包括：
30.在制作有所述第二电传导层的整个所述衬底基板制作缓冲层；
31.在制作有所述缓冲层的所述衬底基板的第一设置区依次制作所述驱动单元的有源层及栅极层；
32.在制作有所述有源层及栅极层的整个所述衬底基板上制作栅绝缘层；
33.通过第一次构图工艺去除所述第二设置区的缓冲层和所述栅绝缘层，使所述第二电传导层在位于所述第二设置区的部分露出；
34.通过第二次构图工艺在所述第一设置区的栅绝缘层上制作第一过孔；
35.在制作有所述栅绝缘层的所述衬底基板的第一设置区制作所述驱动单元的源/漏极层，所述源/漏极层通过所述第一过孔连接至所述栅极。
36.可选地，所述的制备方法，其中，在制作有所述驱动单元的所述衬底基板上制作第一电传导层，包括：
37.在制作有所述源/漏极的整个所述衬底基板制作平坦层；
38.通过第三次构图工艺在所述第二设置区制作出预设形状的平坦层，形成位于第二电传导层上的第一绝缘层；
39.通过第四次构图工艺在所述第一设置区的平坦层上制作第一电传导层，以及在所述第二设置区的第一绝缘层上制作第三电传导层。
40.可选地，所述的制备方法，其中，所述方法还包括：
41.在通过第三次构图工艺在所述第二设置区制作出预设形状的平坦层的同时，通过所述第三构图工艺在所述第一设置区的所述平坦层上制作第二过孔和第三过孔；
42.其中，在所述衬底基板的第一设置区制作多个像素结构的驱动单元时，每一所述像素结构中包括两个驱动单元，两个所述驱动单元分别包括有源层、栅极层和源/漏极层；
43.在所述第一设置区的平坦层上制作的所述第一电传导层，通过第二过孔连接至两个所述驱动单元中的第二驱动单元的源/漏极层；
44.在制作完成所述第一电传导层的所述衬底基板上制作多个像素结构的发光单元后，所述发光单元的第一电极通过第三过孔连接至两个所述驱动单元中的第一驱动单元的源/漏极层。
45.本发明具体实施例上述技术方案中的至少一个具有以下有益效果：
46.本发明实施例所述显示面板，在驱动单元上方设置第一电传导层，与发光单元的第一电极相组合形成存储电容，存储电容与驱动单元层叠设置，以节省整个像素结构在平面上的布置空间，达到提高显示面板的光透过率及分辨率的效果。
附图说明
47.图1为常规技术显示面板的剖面结构示意图；
48.图2为本发明实施例所述显示面板的剖面结构示意图；
49.图3为本发明实施例所述显示面板的平面结构示意图；
50.图4至图12为本发明实施例所述显示面板的制作过程中的剖面结构示意图；
51.图13为本发明实施例所述显示面板的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
52.为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
53.图1为常规技术显示面板的剖面结构示意图，以顶发射型显示面板为例，在常规技术的显示面板中，衬底基板1上依次制作有驱动单元与发光单元，且衬底基板1上制作有缓冲层2，驱动单元包括依次制作于缓冲层2上的有源层3、栅绝缘层4、栅极层5、层间绝缘层6和源/漏极层7，发光单元包括依次制作于驱动单元上的第一电极8、发光层9和第二电极10，其中源/漏极层7上制作有平坦层11，第一电极8制作于平坦层11上，通过穿透平坦层11的过孔与驱动单元的源/漏极层7电连接。
54.另外，像素限定层12设置于第一电极8上，发光层9设置于像素限定层12中。可选地，第一电极8为阳极，第二电极10为阴极。发光层9包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
55.可选地，该显示面板的第一电极8为采用反射材料制作，能够将发光层9所发射光线朝第二电极10的方向反射，以通过第二电极10透出。例如，该第一电极8形成为包括ito层、al层和ito层的层叠结构。
56.另外，在该实施结构的基础上，如图1所示，在驱动单元的一侧，与有源层3同层制作有电容板12，该电容板12形成为像素电路的存储电容的第一基板，其中源/漏极层7中的源极或漏极形成为存储电容的第二基板，两者相结合形成为存储电容。
57.根据该实施结构，在显示面板中，存储电容的第一基板和第二基板的面积较大，而且该存储电容设置于驱动单元的一侧，从而导致了整个驱动单元的面积相对较大，从而限制了显示面板的透明区的面积，也增大了发光区的面积，无法实现更高透过率及更高ppi的显示背板制作。
58.为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种显示面板，在驱动单元上方设置第一电传导层，与发光单元的第一电极相组合形成存储电容，形成为存储电容与驱动单元层叠设置的结构，以节省整个像素结构在平面上的布置空间，达到提高显示面板的光透过率及分辨率的效果。
59.如图2为本发明实施例所述显示面板的其中一实施方式的剖面结构示意图。参阅图2所示，本发明实施例所述显示面板包括：透明的衬底基板100，其中：
60.衬底基板100包括第一设置区101，第一设置区101上设置有多个像素结构，每一像素结构包括依次制作于衬底基板100上的驱动单元110和发光单元120，发光单元120包括依次设置的第一电极121、发光层122和第二电极123；其中第一电极121与衬底基板100之间的垂直距离小于第二电极123与衬底基板100之间的垂直距离；
61.所述像素结构还包括第一电传导层130，位于驱动单元110与发光单元120之间，第一电传导层130与第一电极121之间绝缘间隔，且与发光单元120的第一电极121的至少部分区域相对，形成存储电容。
62.采用该实施结构，位于驱动单元110与发光单元120之间的第一电传导层130，与第一电极121相组合形成存储电容，这样该存储电容与驱动单元为层叠设置，对比图1所示，相较于现有技术存储电容设置于驱动单元的一侧，采用本发明实施例所述存储电容的设置结构，能够大大减少整个像素结构在平面上的布置空间。
63.本发明实施例中，可选地，结合图2所示，衬底基板100上制作有缓冲层104，驱动单元110包括依次制作于缓冲层104上的有源层111、栅绝缘层112、栅极层113、层间绝缘层114和源/漏极层115。可选地，缓冲层104采用siox或sinx等无机材料制作；有源层111采用金属氧化物半导体层，如采用铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，igzo)材料制作；栅绝缘层112和层间绝缘层114采用无机材料制作，如采用siox材料制作；栅极层113和源/漏极层115采用金属电极材料制作，如采用mo、al和cu等金属材料中的至少之一制作。
64.进一步，本发明实施例中，像素结构还包括设置于驱动单元110上的平坦层140，其中第一电传导层130制作于平坦层140上；第一电传导层130上设置有第二绝缘层150。
65.可选地，平坦层140可以采用透明的有机硅薄膜制作，也可以采用透明度较高且耐高温的pi材料制作；第二绝缘层150可以采用siox或sinx等无机材料制作。
66.发光单元120包括依次制作于第二绝缘层150上的第一电极121、发光层122和第二电极123，通过穿透第二绝缘层150和平坦层140的过孔，第一电极121与驱动单元电连接，也即与驱动单元的源/漏极层115电连接。
67.另外，像素结构还包括像素限定层160，设置于第一电极121上，发光层122设置于像素限定层160中，可选地，像素限定层160采用pi材料制作。
68.可选地，第一电极121为阳极，第二电极123为阴极。发光层122包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
69.本发明实施例中，可选地，显示面板的第二电极123为采有透光材料制作，第一电极121采用反射材料制作，能够将发光层122所发射光线朝第二电极123的方向反射，通过第二电极123透出，这样显示面板形成为顶发射型显示面板。可选地，第一电极121形成为包括ito层、al层和ito层的层叠结构。
70.本发明实施例所述显示面板，参阅图2所示，可选地，衬底基板100还包括第二设置区102，第二设置区102上设置有第二电传导层170和与第二电传导层170平行设置的第三电传导层180，其中第二电传导层170与第三电传导层180之间通过第一绝缘层190间隔；
71.其中，第二电极123延伸至第二设置区102，与第二电传导层170和第三电传导层180分别连接。
72.该实施方式中，可选地，第二设置区102的第二电传导层170、第一绝缘层190和第三电传导层180均为采用透光材料制作，使得第二设置区102形成为透光区域。
73.采用该实施结构，通过在第二设置区102设置与第二电极123连接的第二电传导层170和第三电传导层180，第二电传导层170和第三电传导层180形成为第二电极123的辅助电极，第二电极120为阴极，则第二电传导层170和第三电传导层180形成为辅助阴极。通过设置辅助阴极，用于降低阴极的电阻，避免为了满足阴极的透光率，导致阴极厚度太小，造成阴极电阻，从而出现ir drop现象导致显示质量缺陷的问题。
74.本发明实施例中，将辅助阴极直接制作于衬底基板100上，相较于现有技术辅助阴极制作于像素阵列层的设置方式，无需单独制作辅助阴极搭接结构，且不会占用像素结构的设计面积，从而保证显示面板的整体透明显示的透过率和分辨率。
75.参阅图2所示，本发明实施例中，第二电传导层170与衬底基板100之间的垂直距离小于第三电传导层180与衬底基板100之间的垂直距离，且第一电传导层130与第三电传导层180为同层同材料设置。
76.另外，本发明实施例中，结合图2所示，在第一设置区101，第一电传导层130制作于平坦层140上，在第二设置区102，第三电传导层180制作于第一绝缘层190上，其中平坦层140与第一绝缘层190为同层同材料设置。
77.进一步，该实施方式中，在第一设置区101，第一电传导层130上设置有第二绝缘层150，在第二设置区102，第三电传导层180上设置有第三绝缘层181，延伸至第二设置区102的第二电极123覆盖第三绝缘层181，且与第二电传导层170和第三电传导层180连接；其中，可选地，第二绝缘层150与第三绝缘层181为同层同材料设置。
78.通过上述实施结构，在第一设置区101和第二设置区102，由于平坦层140与第一绝缘层190为同层同材料设置、第一电传导层130与第三电传导层180为同层同材料设置、以及第二绝缘层150与第三绝缘层181为同层同材料设置，能够保证显示面板制备过程中，以最小的工艺制程成本完成辅助阴极的制作，避免制作成本的增加。
79.本发明实施例中，可选地，设置于衬底基板100上的第二电传导层170还延伸至第一设置区101，位于衬底基板100与多个像素结构之间，也即位于衬底基板100与缓冲层104之间。
80.另外，可选地，如图2所示，本发明实施例中，在第一设置区101上，第二电传导层170与缓冲层104之间还制作有光屏蔽层200，该光屏蔽层200与发光层122相对应设置，用于防止发光层122所发出光线在远离第二电极123的一侧，透过衬底基板100传输。
81.可选地，该光屏蔽层200为采用遮光金属层制作，如采用al或mo等不透明的高导电材料制成。其中，该光屏蔽层200制作于第二电传导层170上，第二电传导层170形成为透明导电膜层，可以采用ito材料制作。具体地，在衬底基板100上制作第二电传导层170时，可以采用半色调掩膜halftone mask工艺在第一设置区101和第二设置区102制作第二电传导层170，形成辅助阴极底接触的导电层，在制作第二电传导层170的衬底基板100上，第一设置区101制作光屏蔽层200，该光屏蔽层200在第一设置区101对应像素结构的区域设置，起到遮光作用。另外，由于光屏蔽层200与第二电传导层170接触，且光屏蔽层200与多个像素结构相对应设置，在衬底基板100上形成为阵列分布形式，作为整个显示面板的辅助阴极的网状金属，达到有效降低阴极电阻的作用。
82.可选地，如图2所示，每一像素结构中包括两个驱动单元110，两个驱动单元110分别包括有源层111、栅极层113和源/漏极层115；其中两个驱动单元中，第一驱动单元1101的有源层111与第二驱动单元1102的有源层111、第一驱动单元1101的栅极层113与第二驱动单元1102的栅极层113、第一驱动单元1101的源/漏极层115与第二驱动单元1102的源/漏极层115对应为同层同材料设置；
83.其中，第一电极121与第一驱动单元1101的源极电连接，第一电传导层130与第二驱动单元1102的源极电连接。
84.其中，该第一驱动单元1101可以形成为像素结构的驱动晶体管，第二驱动单元1102可以形成为驱动晶体管的开关控制晶体管。采用该实施方式，形成为存储电容的两个极板的第一电极121和第一电传导层130，分别与不同驱动单元的源极电连接，以在两个极板之间形成电压差。
85.本发明实施例中，可选地，如图2所示，在第二设置区102，第二电传导层170、第一绝缘层190和第三电传导层180相组合所形成膜层结构的横截面呈工字型。采用该实施结
构，在沉积第二电极123时，第二电极123填充在第二电传导层170与第三电传导层180之间，同时与第二电传导层170与第三电传导层180接触连接。
86.本发明实施例所述显示面板，其中一实施方式，如图3所示，衬底基板100上设置有阵列分布的多个第一设置区101和至少一第二设置区102，且至少一第二设置区102间隔分布在多个第一设置区101之间。
87.如图3所示，需要说明的是，本发明实施例中，一个第一设置区101可以对应为一个像素单元的设置区域，也可以为包括多个像素单元的设置区域，在衬底基板100上，多个第一设置区101呈阵列分布。第二设置区102也即为辅助阴极的设置区域，其中至少一第二设置区102设置在多个第一设置区101之间，例如可以设置在相邻多个第一设置区101之间，也可以设置在整个衬底基板100的边缘位置，本发明实施例中，不对第二设置区102的设置位置和分布面积进行限定，只要能够保证辅助阴极的设置区域和面积，满足降低阴极电阻所需要达到的效果即可。
88.本发明实施例所述显示面板，可以为oled显示面板，尤其可以为大尺寸的amoled透明显示面板，通过在显示面板的透明显示区的衬底基板上直接制作辅助阴极，且利用平坦层将存储电容设置在第一电极与驱动单元之间，以有效利用驱动单元上方的空间布置存储电容，以节省像素结构的布置空间，增加透光区域的面积，达到提高显示面板的光透过率及分辨率的效果。
89.另外，采用该实施结构，由于辅助阴极的各个层分别与像素结构上的相应层同层同材料制作，能够保证以最小的工艺制程成本完成辅助阴极的制作，避免制作成本的增加。
90.以下结合图4至图12对本发明实施例所述显示面板的制备方法的具体实施过程进行说明，该制备方法的具体过程可以包括以下的步骤：
91.1)提供透明的衬底基板100；
92.2)在透明的衬底基板100上依次制作第二电传导层170和光屏蔽层200，如图4所示；可选地，可以采用halftone mask工艺在衬底基板100上制作第二电传导层170，并进一步在第二电传导层170的上方的部分区域，采用构图工艺制作光屏蔽层200；其中，第二电传导层170可以采用ito材料制作，光屏蔽层200可以采用al或mo等不透明的高导电材料制作。采用该制作过程，在第二电传导层170上，对应光屏蔽层200的制作区域形成为第一设置区101，未制作光屏蔽层200的区域形成为第二设置区102；
93.3)在制作第二电传导层170和光屏蔽层200的衬底基板100上沉积缓冲层104，如图5所示，该缓冲层104同时分布于第一设置区101和第二设置区102；可选地，该缓冲层104采用siox或sinx等无机材料制作；
94.4)在缓冲层104上依次制作有源层111、栅绝缘层112、栅极层113和层间绝缘层114，如图6所示；可选地，有源层111采用金属氧化物半导体层，如采用igzo材料制作；栅绝缘层112和层间绝缘层114采用无机材料制作，如采用siox材料制作；栅极层113采用金属电极材料制作，如采用mo、al和cu等金属材料中的至少之一制作；可选地，栅极层113与栅绝缘层112可以采用自对准的方式图形化；
95.5)如图6所示，在制作层间绝缘层114后，通过第一次曝光工艺刻蚀第二设置区102的无机薄膜，也即刻蚀掉缓冲层104和层间绝缘层114，使第二电传导层170露出；之后通过第二次曝光工艺在层间绝缘层114上制作源/漏极层115连接至有源层111的过孔，如图7所
示；
96.6)在层间绝缘层114上制作源/漏极层115，该源/漏极层115通过层间绝缘层114上的过孔连接至有源层111，如图8所示；可选地，源/漏极层115采用金属电极材料制作，如采用mo、al和cu等金属材料中的至少之一制作；
97.7)在制作完成源/漏极层115的衬底基板100上，对应第一设置区101和第二设置区102均制作平坦层140，之后在第一设置区101的平坦层140上制作过孔，使过孔连通至源/漏极层115，如图9所示；其中，该平坦层140可以采用透明有机材料制作，也可以采用透明且耐高温的pi材料制作；
98.8)在制作完成平坦层140的衬底基板100上采用同一构图工艺制作第一设置区101的第一电传导层130和第二设置区102的第三电传导层180，如图10所示，其中第一电传导层130通过平坦层140中的其中一过孔连接至其中一驱动单元的源极或漏极，实现存储电容的下电极信号接入；可选地，第一电传导层130的区域大小可以根据像素电路所需电容大小确定；
99.9)在制作完成第一电传导层130和第三电传导层180的衬底基板100上制作绝缘层，并在第一设置区101的该绝缘层和平坦层140上制作连通至另一驱动单元的源/漏极层115的过孔，之后采用刻蚀工艺去除第二设置区102的部分绝缘层和第二电传导层170上方部分的平坦层140，保留绝缘层对应第三电传导层180的设置部分，使得第一设置区101上所保留的绝缘层形成为第二绝缘层150，第二设置区102的第三电传导层180上所保留的绝缘层形成为第三绝缘层181，且在第二设置区102上，第二电传导层170、第一绝缘层190和第三电传导层180相组合所形成膜层结构的横截面呈工字型，如图11所示；
100.10)在衬底基板100的第一设置区101，依次制作第一电极121和像素限定层160，像素限定层160所形成图形包括多个像素界定空间，且第一电极121通过穿透第二绝缘层150和平坦层140的过孔连接至驱动单元的源极或漏极，如图12所示；可选地，第一电极121采用al金属材料制成，这样第一电极121在制作过程进行刻蚀时，不会使得第二设置区102的第二电传导层170和第三电传导层180被刻蚀掉，且该第一电极121具备对发光层所发射光的反射功能，使发光层所发射光线透过第二电极123传输；此外，所制作的该第一电极121与第一电传导层130的至少部分区域相对，也即第一电极121在第一电传导层130所在平面的正投影，至少部分覆盖第一电传导层130，使第一电极121与第一电传导层130相组合形成为存储电容；可选地，像素限定层160采用常规的pi材料制作；
101.11)在像素限定层160的上方依次制作发光层122和第二电极123，如图2所示，其中发光层122制作于第一设置区101上通过像素限定层160所形成的多个像素界定空间内，第二电极123制作于衬底基板100的整个第一设置区101和第二设置区102，在该第二设置区102与第二电传导层170和第三电传导层180均连接。
102.根据以上，采用本发明实施例所述显示面板，将存储电容层叠设置在驱动单元的上方，并利用第一电极形成为存储电容的一个极板，通过第一电传导层的大小可以控制所需要存储电容的大小，不会影响第一电极的图形最大化发光开口率的效果。此外，在源/漏极层制作后，利用平坦层制作第一电传导层，实现第一电传导层上方的高平坦化，在第一电极上也保证发光层的平坦，同时平坦层可通过厚度及自身的低介电常数，避免上方存储电容对下方驱动单元的影响。
103.进一步地，通过在第二设置区上，衬底基板上直接制作辅助阴极，且辅助阴极的各层结构均与驱动单元的相应层为同层同材料制作，未增加制作工艺过程的工序，以避免造成显示面板制作成本的提高。
104.本发明实施例另一方面还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述任一实施方式的显示面板。
105.结合图2至图12，并参阅以上的详细描述，本领域技术人员应该能够了解采用本发明实施例所述显示面板的显示装置的具体实施结构，在此不再详细说明。
106.本发明另一实施例还提供一种如上任一实施方式所述显示面板的制备方法，结合图13所示，所述制备方法包括：
107.s1301，提供透明的衬底基板；
108.s1302，在所述衬底基板的第一设置区制作多个像素结构的驱动单元；
109.s1303，在制作有所述驱动单元的所述衬底基板的第一设置区制作第一电传导层；
110.s1304，在制作有所述第一电传导层的所述衬底基板的第一设置区制作多个像素结构的发光单元，所述第一电传导层与所述发光单元的第一电极之间绝缘间隔，且与所述发光单元的第一电极的至少部分区域相对，形成存储电容。
111.可选地，所述的制备方法，其中，在步骤s1401，所述提供透明的衬底基板之后，所述方法还包括：
112.在所述衬底基板上制作第二电传导层，所述第二电传导层从所述衬底基板的第一设置区延伸至第二设置区；
113.其中，在所述衬底基板的第一设置区制作多个像素结构的驱动单元，包括：
114.在制作有所述第二电传导层的整个所述衬底基板制作缓冲层；
115.在制作有所述缓冲层的所述衬底基板的第一设置区依次制作所述驱动单元的有源层及栅极层；
116.在制作有所述有源层及栅极层的整个所述衬底基板上制作栅绝缘层；
117.通过第一次构图工艺去除所述第二设置区的缓冲层和所述栅绝缘层，使所述第二电传导层在位于所述第二设置区的部分露出；
118.通过第二次构图工艺在所述第一设置区的栅绝缘层上制作第一过孔；
119.在制作有所述栅绝缘层的所述衬底基板的第一设置区制作所述驱动单元的源/漏极层，所述源/漏极层通过所述第一过孔连接至所述栅极。
120.具体地，上述驱动单元的制作过程，可以结合图4至图8，并参考以上描述中的步骤2至步骤6，在此不再详细说明。
121.可选地，在制作有所述驱动单元的所述衬底基板上制作第一电传导层，包括：
122.在制作有所述源/漏极的整个所述衬底基板制作平坦层；
123.通过第三次构图工艺在所述第二设置区制作出预设形状的平坦层，形成位于第二电传导层上的第一绝缘层；
124.通过第四次构图工艺在所述第一设置区的平坦层上制作第一电传导层，以及在所述第二设置区的第一绝缘层上制作第三电传导层。
125.具体地，上述第一电传导层的具体制作过程，可以结合图9至10，并参阅上述的步骤7和8，在此不再详细说明。
126.可选地，所述方法还包括：
127.在通过第三次构图工艺在所述第二设置区制作出预设形状的平坦层的同时，通过所述第三构图工艺在所述第一设置区的所述平坦层上制作第二过孔和第三过孔；
128.其中，在所述衬底基板的第一设置区制作多个像素结构的驱动单元时，每一所述像素结构中包括两个驱动单元，两个所述驱动单元分别包括有源层、栅极层和源/漏极层；
129.在所述第一设置区的平坦层上制作的所述第一电传导层，通过第二过孔连接至两个所述驱动单元中的第二驱动单元的源/漏极层；
130.在制作完成所述第一电传导层的所述衬底基板上制作多个像素结构的发光单元后，所述发光单元的第一电极通过第三过孔连接至两个所述驱动单元中的第一驱动单元的源/漏极层。
131.具体地，上述发光单元的制作过程可以结合11至图12，并参阅上述步骤8至步骤11中的详细说明，在此不再说明。
132.本发明实施例上述实施结构的显示面板的制备方法，能够节省整个像素结构在平面上的布置空间，达到提高显示面板的光透过率及分辨率的效果，且不会增加显示面板的制作成本。
133.以上所述的是本发明的优选实施方式，应当指出对于本技术领域的普通人员来说，在不脱离本发明所述原理前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。