发光显示装置以及发光显示装置的制作方法与流程

技术特征：
1.一种发光显示装置，其特征在于，包括：量子点发光芯片，包括一体成型制成的微发光二极管芯片及对应所述微发光二极管芯片上的量子点层，所述微发光二极管芯片包括依次层叠设置的第一电极、外延片以及第二电极，所述第一电极与所述第二电极设置在所述外延片的两相对应的表面上；以及驱动基板，所述量子点发光芯片的所述第二电极电性连接在所述驱动基板上的至少一电极区上。2.如权利要求1所述发光显示装置，其特征在于，其中，所述量子点层的四周边缘与所述微发光二极管芯片的四周边缘齐平设置。3.如权利要求1所述发光显示装置，其特征在于，所述驱动基板还包括衬底基板及设置在所述衬底基板上的呈阵列分布的多个驱动电路单元，每一所述驱动电路单元包括二个所述电极区，使每一所述驱动电路单元对应地固接在每一所述微发光二极管芯片的所述第一电极上。4.如权利要求3所述发光显示装置，其特征在于，还包括涂布在所述量子点层上的透明封装体，所述量子点层包括多个量子点粒子以及量子点填料。5.一种发光显示装置的制作方法，其特征在于，包括以下步骤:提供衬底，在所述衬底上制作外延片，在所述外延片一侧表面上形成图案化的第一电极；键合导电衬底，将具有所述第一电极的所述外延片转移键合到所述导电衬底，以形成阵列分布的多个微发光二极管芯片；激光剥离所述外延片的所述衬底，使所述衬底界面处与所述外延片气化分解而剥离；以及涂布量子点层在所述微发光二极管芯片上，并切割成单颗量子点发光芯片。6.如权利要求5所述发光显示装置的制作方法，其特征在于，所述外延片通过金属有机化合物气相沉积或分子束外延工艺在所述衬底制成，所述第一电极以光刻、刻蚀工艺在所述外延片上形成。7.如权利要求5所述发光显示装置的制作方法，其特征在于，在键合导电衬底的步骤中，通过300
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500摄氏度高温热压工艺实现，其中在形成所述多个微发光二极管芯片前，还包括在所述导电衬底通过光刻、刻蚀工艺形成第二电极，使所述第一电极与所述第二电极形成在每一所述外延片的两相对应的表面上。8.如权利要求7所述发光显示装置的制作方法，其特征在于，还包括将所述单颗量子点发光芯片通过打件或异性导电胶工艺转移到驱动基板上。9.如权利要求8所述发光显示装置的制作方法，其特征在于，还包括电性连接所述驱动基板上的至少一电极区，通过加热或加压等工艺将所述单颗量子点发光芯片的所述第一电极与所述驱动基板上的所述电极区结合，使所述量子点发光芯片连接在所述驱动基板上。10.如权利要求9所述发光显示装置的制作方法，其特征在于，还包括将透明封装胶体通过喷涂等工艺覆盖在各所述量子点发光芯片上。

技术总结
一种发光显示装置及发光显示装置的制作方法，其中所述发光显示装置包括量子点发光芯片以及驱动基板。所述量子点发光芯片包括一体成型制成的微发光二极管芯片及对应所述微发光二极管芯片上的量子点层，所述微发光二极管芯片包括依次层叠设置的第一电极、外延片以及第二电极，所述第一电极与所述第二电极设置在所述外延片的两相对应的表面上。所述量子点发光芯片的所述第二电极电性连接在所述驱动基板上的至少一电极区上，增加微发光二极管芯片(QD


技术研发人员：段淼
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2021.07.19
技术公布日：2021/11/9