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采样电路、采样阵列、存算一体芯片以及电子设备的制作方法

2021-11-09 20:41:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种采样电路,其特征在于,采用差分结构,包括:第一电压钳位电路、第二电压钳位电路、第一负载电阻、第二负载电阻、第一采样电容、第二采样电容、第一开关以及第二开关;第一输入电流通过所述第一电压钳位电路加载在所述第一负载电阻上;第二输入电流通过所述第二电压钳位电路加载在所述第二负载电阻上;所述第一采样电容一端通过所述第一开关连接在所述第一电压钳位电路与所述第一负载电阻之间,所述第二采样电容一端通过所述第二开关连接在所述第二电压钳位电路与所述第二负载电阻之间。2.根据权利要求1所述的采样电路,其特征在于,还包括:第三开关以及第四开关,所述第一采样电容的另一端通过所述第三开关连接在所述第二电压钳位电路与所述第二负载电阻之间;所述第二采样电容的另一端通过所述第四开关连接在所述第一电压钳位电路与所述第一负载电阻之间。3.根据权利要求1所述的采样电路,其特征在于,所述第一采样电容的另一端接入第一参考电压,所述第二采样电容的另一端接入所述第一参考电压。4.根据权利要求1所述的采样电路,其特征在于,所述第一负载电阻与所述第二负载电阻均连接电源。5.根据权利要求1所述的采样电路,其特征在于,所述第一负载电阻与所述第二负载电阻均接地。6.根据权利要求1至5任一项所述的采样电路,其特征在于,所述第一电压钳位电路包括:第一运算放大器以及第一mos管;所述第一运算放大器的反相输入端连接所述第一mos管的源极并作为第一电流输入端,正相输入端接入基准电压,所述第一运算放大器的输出端连接所述第一mos管的栅极,所述第一mos管的漏极连接所述第一负载电阻;所述第二电压钳位电路包括:第二运算放大器以及第二mos管;所述第二运算放大器的反相输入端连接所述第二mos管的源极并作为第二电流输入端,正相输入端接入所述基准电压,所述第二运算放大器的输出端连接所述第二mos管的栅极,所述第二mos管的漏极连接所述第二负载电阻。7.根据权利要求1至5任一项所述的采样电路,其特征在于,所述负载电阻包括多个电阻以及至少一个开关,所述开关用于控制多个电阻的连接拓扑,实现负载电阻阻值调节。8.一种采样阵列,其特征在于,包括:多个如权利要求1至7任一项所述的采样电路。9.一种存算一体芯片,其特征在于,包括:依次连接的输入转换电路、存算一体单元阵列、如权利要求8所述的采样阵列以及输出转换电路。10.根据权利要求9所述的存算一体芯片,其特征在于,所述输入转换电路采用电流舵型dac,所述电流舵型dac中的负载电阻与所述采样电路中的负载电阻采用同一类型电阻实现。11.一种电子设备,其特征在于,包括:如权利要求1至7任一项所述的采样电路或权利要求8所述的采样阵列或权利要求8或9所述的存算一体芯片。

技术总结
本发明实施例提供一种采样电路、采样阵列、存算一体芯片以及电子设备,该采样电路采用差分结构,包括:第一电压钳位电路、第二电压钳位电路、第一负载电阻、第二负载电阻、第一采样电容、第二采样电容、第一开关以及第二开关,第一输入电流通过该第一电压钳位电路加载在该第一负载电阻上;第二输入电流通过该第二电压钳位电路加载在该第二负载电阻上;该第一采样电容一端通过该第一开关连接在该第一电压钳位电路与该第一负载电阻之间,该第二采样电容一端通过该第二开关连接在该第二电压钳位电路与该第二负载电阻之间,没有引入放大器的失调,提高了采样阵列中各采样电路之间的匹配度,使阵列读出的精度提高,满足高精度运算的需求。需求。需求。


技术研发人员:徐明禄
受保护的技术使用者:北京知存科技有限公司
技术研发日:2021.07.19
技术公布日:2021/11/8
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