具有支石墓结构的半导体装置的制造方法、支撑片的制造方法、以及支撑片形成用层叠膜与流程

技术特征：
1.一种半导体装置的制造方法，其为具有支石墓结构的半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于所述基板上；多个支撑片，配置于所述基板上且所述第一芯片的周围；以及第二芯片，由所述多个支撑片支撑且配置成覆盖所述第一芯片，所述半导体装置的制造方法包括：(a)准备依次具备基材膜、压敏胶黏层、及支撑片形成用膜的层叠膜的工序；(b)通过将所述支撑片形成用膜单片化，在所述压敏胶黏层的表面上形成多个支撑片的工序；(c)从所述压敏胶黏层拾取所述支撑片的工序；(d)在基板上配置第一芯片的工序；(e)在所述基板上且所述第一芯片的周围配置多个所述支撑片的工序；(f)准备带黏合剂片的芯片的工序，所述带黏合剂片的芯片具备第二芯片、及设置在所述第二芯片的一个面上的黏合剂片；以及(g)通过在多个所述支撑片的表面上配置所述带黏合剂片的芯片来构筑支石墓结构的工序，所述支撑片形成用膜在120℃下的剪切黏度为4000pa
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s以上。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述支撑片形成用膜包含热固性树脂层，所述半导体装置的制造方法在(g)工序之前，包括对所述支撑片形成用膜或所述支撑片进行加热的工序。3.一种支撑片的制造方法，其为在具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺中所使用的支撑片的制造方法，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于所述基板上；多个支撑片，配置于所述基板上且所述第一芯片的周围；以及第二芯片，由所述多个支撑片支撑且配置成覆盖所述第一芯片，所述支撑片的制造方法包括：(a)准备依次具备基材膜、压敏胶黏层、及支撑片形成用膜的层叠膜的工序；(b)通过将所述支撑片形成用膜单片化，在所述压敏胶黏层的表面上形成多个支撑片的工序；以及(c)从所述压敏胶黏层拾取所述支撑片的工序，所述支撑片形成用膜在120℃下的剪切黏度为4000pa
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s以上。4.根据权利要求3所述的支撑片的制造方法，其中，所述支撑片形成用膜包含热固性树脂层。5.一种支撑片形成用层叠膜，其用于具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺中，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于所述基板上；多个支撑片，配置于所述基板上且所述第一芯片的周围；以及第二芯片，由所述多个支撑片支撑且配置成覆盖所述第一芯片，所述支撑片形成用层叠膜依次具备：基材膜；压敏胶黏层；以及支撑片形成用膜，所述支撑片形成用膜在120℃下的剪切黏度为4000pa
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s以上。6.根据权利要求5所述的支撑片形成用层叠膜，其中，
所述支撑片形成用膜包含热固性树脂层。

技术总结
本发明公开了一种支撑片的制造方法，其为在具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺中所使用的支撑片的制造方法，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于基板上；多个支撑片，配置于基板上且第一芯片的周围；以及第二芯片，由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片，所述支撑片的制造方法包括：(A)准备依次具备基材膜、压敏胶黏层、及支撑片形成用膜的层叠膜的工序；(B)通过将支撑片形成用膜单片化，在压敏胶黏层的表面上形成多个支撑片的工序；以及(C)从压敏胶黏层拾取支撑片的工序，支撑片形成用膜在120℃下的剪切黏度为4000Pa


技术研发人员：桥本慎太郎 谷口纮平 矢羽田达也 尾崎義信
受保护的技术使用者：昭和电工材料株式会社
技术研发日：2019.04.25
技术公布日：2021/11/5