磁传感器的制作方法

技术特征：
1.一种用于对源自物体或受物体的影响的磁场进行冗余测量的装置(100)，所述装置(100)包括：至少一个第一霍尔感测元件(120)，所述至少一个第一霍尔感测元件(120)测量所述磁场的至少一个磁场属性，其中，所述至少一个第一霍尔感测元件(120)被实现在半导体基板的第一区域(140)上，并且其中至少一个所测得的磁场属性包括所述磁场沿特定空间方向的强度；至少一个第二霍尔感测元件(130)，所述至少一个第二霍尔感测元件(130)测量所述磁场的同一磁场属性，其中，所述至少一个第二霍尔感测元件(130)被实现在所述半导体基板的第二区域(150)上；并且其中，所述第一区域(140)和所述第二区域(150)彼此相邻并且通过绝缘体上硅技术彼此隔离。2.如权利要求1所述的装置(100)，进一步包括：确定单元(110)，用于基于在所述第一区域(140)和/或所述第二区域(150)中测得的所述磁场的至少一个磁场属性来确定虚拟位置(210、220、230、310、410)处的所述磁场的至少一个磁场属性。3.如权利要求2所述的装置(100)，其中，所述确定单元(110)适于：基于在所述第一区域(140)中测得的所述磁场的至少一个磁场属性，在第一时例中执行所述虚拟位置(210、220、230、310、410)处的所述磁场的至少一个磁场属性的确定；以及基于在所述第二区域(150)中测得的所述磁场的至少一个磁场属性，在第二时例中执行所述虚拟位置(210、220、230、310、410)处的所述磁场的至少一个磁场属性的确定。4.如权利要求2或3所述的装置(100)，其中，所述确定单元(110)适于将以下两项进行比较：基于在所述第一区域(140)中测得的所述磁场的至少一个磁场属性而确定的所述虚拟位置(210、220、230、310、410)处的所述磁场的至少一个磁场属性；以及基于在所述第二区域(150)中测得的所述磁场的至少一个磁场属性而确定的所述虚拟位置(210、220、230、310、410)处的所述磁场的至少一个磁场属性。5.如权利要求2至4中的任一项所述的装置(100)，其中，所述确定单元(110)适于提供：基于在所述第一区域(140)中测得的所述磁场的至少一个磁场属性而确定的所述虚拟位置(210、220、230、310、410)处的所述磁场的至少一个磁场属性；和/或基于在所述第二区域(150)中测得的所述磁场的至少一个磁场属性而确定的所述虚拟位置处的所述磁场的至少一个磁场属性。6.如权利要求2至5中的任一项所述的装置(100)，其中，每个区域(140、150)包括用于单独地将所述区域(140、150)连接到所述确定单元(110)的触点(125、135)。7.如权利要求1至6中的任一项所述的装置(100)，其中，所述至少一个第一霍尔感测元件(120)和所述至少一个第二霍尔感测元件(130)按相对的对来布置。8.如权利要求1至7中的任一项所述的装置(100)，其中，所述至少一个第一霍尔感测元件(120)以距共同的中心点第一距离来布置，并且所述至少一个第二霍尔感测元件(130)以距所述共同的中心点第二距离来布置。9.如权利要求1至8中的任一项所述的装置(100)，其中，所述第一霍尔感测元件(120)和所述第二霍尔感测元件(130)在数量上相等。
10.一种用于利用装置(100)对源自物体或受物体的影响的磁场进行冗余测量的方法，所述方法包括：利用至少一个第一霍尔感测元件(120)测量(510)所述磁场的至少一个磁场属性，其中至少一个所测得的磁场属性包括所述磁场沿特定空间方向的强度；利用至少一个第二霍尔感测元件(130)测量(520)所述磁场的同一磁场属性；并且其中，所述至少一个第一霍尔感测元件(120)和所述至少一个第二霍尔感测元件(130)通过绝缘体上硅技术被实现在同一半导体基板上的不同的被隔离的区域(140、150)上，其中不同的区域(140、150)彼此相邻。11.如权利要求10所述的方法，进一步包括：基于在第一区域(140)和/或第二区域(150)中测得的所述磁场的至少一个磁场属性来确定(530)虚拟位置(210、220、230、310、410)处的所述磁场的至少一个磁场属性。12.如权利要求11所述的方法，进一步包括：将以下两项进行比较(540)：基于在所述第一区域(140)中测得的所述磁场的至少一个磁场属性而确定的所述虚拟位置(210、220、230、310、410)处的所述磁场的至少一个磁场属性；以及基于在所述第二区域(150)中测得的所述磁场的至少一个磁场属性而确定的所述虚拟位置(210、220、230、310、410)处的所述磁场的至少一个磁场属性。

技术总结
本申请公开了磁传感器。描述了用于对源自可移动物体或受可移动物体的影响的磁场进行冗余测量的装置(100)和方法。装置(100)包括：至少一个第一磁场灵敏元件(120)，其测量磁场的至少一个磁场属性，其中，该至少一个第一磁场灵敏元件(120)被实现在半导体基板的第一区域(140)上；至少一个第二磁场灵敏元件(130)，其测量磁场的至少一个磁场属性，其中，该至少一个第二磁场灵敏元件(130)被实现在半导体基板的第二区域(150)上，并且其中，第一区域(140)和第二区域(150)彼此隔离。(140)和第二区域(150)彼此隔离。(140)和第二区域(150)彼此隔离。


技术研发人员：J-W
受保护的技术使用者：迈来芯电子科技有限公司
技术研发日：2017.12.14
技术公布日：2021/11/4