一种选择性真空树脂塞孔工艺的制作方法

1.本发明涉及线路板制作技术领域，具体是一种选择性真空树脂塞孔工艺。


背景技术：

2.传统多层印制电路板的垂直互连主要通过过孔进行导通互连，过孔互连可靠是多层印制板长期稳定运行的关键。随着电子产品的高密度化需求,印制板过孔设计越来越小，厚径比越来越高,较多印制板采用贲中孔、百埋孔设计等。以上种种需求都要求印制板制造过程中对过孔做处理，最普遍做法是做树脂塞孔处理。树脂塞孔工艺目前主要有辗涂、挤压、网印等方式，以上塞孔方式各有特点，但都面临着塞孔气泡、孔口树脂有凹陷、树后与铜结合是否紧密的问题。特别是针对高厚径比多种孔径的pcb板，由于大、小孔塞孔所需的压力不同，现行工艺采用小压力，多刀塞，易出现孔内空洞、孔口树脂有凹陷等不良现象，而采用大小孔分步塞孔，生产效率低下，生产成本高。


技术实现要素：

3.本发明提供一种实现了高厚径比大小孔同步塞孔，解决了高厚径比大小孔同时塞孔的难点，且保证各种孔内塞孔饱满，没有气泡，孔口平整无凹陷，同时适用于不同孔径的pcb板选用不同褪膜时间的褪膜液的一种选择性真空树脂塞孔工艺。
4.本发明所采用的技术方案为：一种选择性真空树脂塞孔工艺，其特征在于：包括具体步骤如下：
5.步骤一：钻孔，基板钻孔时，钻有需要树脂塞孔的孔；
6.步骤二：镀铜，对基板进行沉铜、整板电镀加工；
7.步骤三：对基板进行osp加工；
8.步骤四：贴膜，对基板贴干膜；
9.步骤五：褪膜，可选用无机碱褪膜液或有机碱褪膜液进行褪膜；
10.步骤六：树脂塞孔，采用整板真空塞孔机以整板涂覆方式对褪膜后的基板进行树脂塞孔；
11.步骤七：研磨，完成树脂塞孔的基板进行烘烤，进行树脂研磨。
12.所述无机碱褪膜液的反应为：na oh
‑
r1cooh
→
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na

h2o。
13.所述有机碱褪膜液的反应为：rnh2 r1cooh
→
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3
。
14.所述无机碱褪膜液和有机碱褪膜液的褪膜过程为：
15.s1：扩散/膨胀：褪膜液中的小分子扩散至干膜中，干膜逐渐膨胀；
16.s2：反应：褪膜液中的碱性基团与干膜粘合剂中的羧酸类基团发生反应，生成溶于水的盐类物质；
17.s3：界面攻击/裂解：筐膜液分子持续攻击铜/干膜的结合处，渗入干膜内部褪膜液与干膜发生发生反应，增大了内应力，干膜开始破裂；
18.s4：剥离：筐膜液持续渗透到干膜中，并攻击干膜与铜面结合处，直至结合力丧失，
干膜完成筐膜。
19.所述基板选用环氧基板网版。
20.所述烘烤温度75℃～140℃，烘烤时间20～35分钟。
21.所述树脂研磨采用不织布和陶瓷刷对基板进行树脂研磨。
22.本发明的有益效果：
23.本发明实现了高厚径比大小孔同步塞孔，解决了高厚径比大小孔同时塞孔的难点，且保证各种孔内塞孔饱满，没有气泡，孔口平整无凹陷，同时适用于不同孔径的pcb板选用不同褪膜时间的褪膜液；环氧基板网版在环氧基材钻孔后蚀刻掉铜箔，孔口光滑，无批峰现象，并且制作方法同铝片网版，可重复使用,寿命比铝片网版长，一次塞孔良率96％以上，一次制作成本约是铝片网版的2
‑
3倍；通过贴干膜可以有效保护板面不需要树脂塞孔的地方粘上多余的树脂；不同干膜的褪膜时间差别较大，当干膜厚度一样时，优选褪膜时间短的干膜，对于凹坑深度较大的线路板，因此也可清楚的选用不同的褪膜液。
具体实施方式
24.一种选择性真空树脂塞孔工艺，其特征在于：包括具体步骤如下：
25.步骤一：钻孔，基板钻孔时，钻有需要树脂塞孔的孔；
26.步骤二：镀铜，对基板进行沉铜、整板电镀加工；
27.步骤三：对基板进行osp加工；osp药水采用四国化成的f2(lx)plus；
28.步骤四：贴膜，对基板贴干膜，通过贴干膜可以保护板面不需要树脂塞孔的地方粘上多余的树脂；
29.步骤五：褪膜，可选用无机碱褪膜液或有机碱褪膜液进行褪膜；
30.步骤六：树脂塞孔，采用整板真空塞孔机以整板涂覆方式对褪膜后的基板进行树脂塞孔；
31.步骤七：研磨，完成树脂塞孔的基板进行烘烤，进行树脂研磨。
32.所述无机碱褪膜液的反应为：na oh
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33.所述有机碱褪膜液的反应为：rnh2 r1cooh
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34.所述无机碱褪膜液和有机碱褪膜液的褪膜过程为：
35.s1：扩散/膨胀：褪膜液中的小分子扩散至干膜中，干膜逐渐膨胀；
36.s2：反应：褪膜液中的碱性基团与干膜粘合剂中的羧酸类基团发生反应，生成溶于水的盐类物质，随着反应的进行，加速了扩散和膨胀；
37.s3：界面攻击/裂解：筐膜液分子持续攻击铜/干膜的结合处，渗入干膜内部褪膜液与干膜发生发生反应，增大了内应力，干膜开始破裂；
38.s4：剥离：筐膜液持续渗透到干膜中，并攻击干膜与铜面结合处，直至结合力丧失，干膜完成筐膜。
39.无机碱褪膜液与有机碱褪膜液的主要区别表现为扩散速度和干膜膨胀破裂速度方面的不同。
40.所述基板选用环氧基板网版。
41.所述烘烤温度75℃～140℃，烘烤时间20～35分钟。
42.所述树脂研磨采用不织布和陶瓷刷对基板进行树脂研磨。
43.本发明实现了高厚径比大小孔同步塞孔，解决了高厚径比大小孔同时塞孔的难点，且保证各种孔内塞孔饱满，没有气泡，孔口平整无凹陷，同时适用于不同孔径的pcb板选用不同褪膜时间的褪膜液；环氧基板网版在环氧基材钻孔后蚀刻掉铜箔，孔口光滑，无批峰现象，并且制作方法同铝片网版，可重复使用,寿命比铝片网版长，一次塞孔良率96％以上，一次制作成本约是铝片网版的2
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3倍；通过贴干膜可以有效保护板面不需要树脂塞孔的地方粘上多余的树脂；不同干膜的褪膜时间差别较大，当干膜厚度一样时，优选褪膜时间短的干膜，对于凹坑深度较大的线路板，因此也可清楚的选用不同的褪膜液。
44.以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围。


技术特征：
1.一种选择性真空树脂塞孔工艺，其特征在于：包括具体步骤如下：步骤一：钻孔，基板钻孔时，钻有需要树脂塞孔的孔；步骤二：镀铜，对基板进行沉铜、整板电镀加工；步骤三：对基板进行osp加工；步骤四：贴膜，对基板贴干膜；步骤五：褪膜，可选用无机碱褪膜液或有机碱褪膜液进行褪膜；步骤六：树脂塞孔，采用整板真空塞孔机以整板涂覆方式对褪膜后的基板进行树脂塞孔；步骤七：研磨，完成树脂塞孔的基板进行烘烤，进行树脂研磨。2.根据权利要求1所述的一种选择性真空树脂塞孔工艺，其特征在于：所述无机碱褪膜液的反应为：na oh
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r1cooh
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h2o。3.根据权利要求1所述的一种选择性真空树脂塞孔工艺，其特征在于：所述有机碱褪膜液的反应为：rnh2 r1cooh
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。4.根据权利要求1所述的一种选择性真空树脂塞孔工艺，其特征在于：所述无机碱褪膜液和有机碱褪膜液的褪膜过程为：s1：扩散/膨胀：褪膜液中的小分子扩散至干膜中，干膜逐渐膨胀；s2：反应：褪膜液中的碱性基团与干膜粘合剂中的羧酸类基团发生反应，生成溶于水的盐类物质；s3：界面攻击/裂解：筐膜液分子持续攻击铜/干膜的结合处，渗入干膜内部褪膜液与干膜发生发生反应，增大了内应力，干膜开始破裂；s4：剥离：筐膜液持续渗透到干膜中，并攻击干膜与铜面结合处，直至结合力丧失，干膜完成筐膜。5.根据权利要求1所述的一种选择性真空树脂塞孔工艺，其特征在于：所述基板选用环氧基板网版。6.根据权利要求1所述的一种选择性真空树脂塞孔工艺，其特征在于：所述烘烤温度75℃～140℃，烘烤时间20～35分钟。7.根据权利要求1所述的一种选择性真空树脂塞孔工艺，其特征在于：所述树脂研磨采用不织布和陶瓷刷对基板进行树脂研磨。

技术总结
本发明涉及线路板制作技术领域，具体是一种选择性真空树脂塞孔工艺。包括具体步骤如下：钻孔，基板钻孔时，钻有需要树脂塞孔的孔；镀铜，对基板进行沉铜、整板电镀加工；对基板进行OSP加工；步骤四：贴膜，对基板贴干膜；褪膜，可选用无机碱褪膜液或有机碱褪膜液进行褪膜；树脂塞孔，采用整板真空塞孔机以整板涂覆方式对褪膜后的基板进行树脂塞孔；研磨，完成树脂塞孔的基板进行烘烤，进行树脂研磨。本发明提供一种实现了高厚径比大小孔同步塞孔，解决了高厚径比大小孔同时塞孔的难点，且保证各种孔内塞孔饱满，没有气泡，孔口平整无凹陷，同时适用于不同孔径的PCB板选用不同褪膜时间的褪膜液的一种选择性真空树脂塞孔工艺。液的一种选择性真空树脂塞孔工艺。


技术研发人员：王树波 司俊峰 柯小龙 马金山 文旭波
受保护的技术使用者：深圳市普林电路有限公司
技术研发日：2021.07.28
技术公布日：2021/11/4