一种等离子体磁过滤技术制备LAGP基固体电解质的方法与流程

技术特征：
1.一种等离子体磁过滤技术制备lagp基固体电解质的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：s1：将沉积基底固定在化学气相反应室中的可旋转基座上；s2：将弧光放电源、磁过滤管、化学气相反应室进行抽取真空；s3：采用等离子对沉积基底的镀膜表面进行清洗，去除沉积基底镀膜表面的油污及杂质；s4：将弧光放电固体源引入磁过滤管中进行筛选；s5：关闭弧光放电、磁过滤电源，释放真空度，待恢复至常压状态后打开化学气相反应室取出样品，将所得样品翻转180
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，重复s1～s5如上步骤进行再次沉积，最终得到lagp基固体电解质。2.根据权利要求1所述的一种等离子体磁过滤技术制备lagp基固体电解质的方法，其特征在于：在所述s2步骤中，真空度达到1
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4pa。3.根据权利要求1所述的一种等离子体磁过滤技术制备lagp基固体电解质的方法，其特征在于：在所述s4步骤中，所述固体源至少为碳族、贵金属等导电固体中的一种。4.根据权利要求3所述的一种等离子体磁过滤技术制备lagp基固体电解质的方法，其特征在于：所述固体源至少为c、au、ag中的一种。5.根据权利要求1所述的一种等离子体磁过滤技术制备lagp基固体电解质的方法，其特征在于：在所述s4步骤中，沉积弧流为100～120a，磁过滤弯管电流为1.6～2.5a，负偏压为160～320v，沉积时间为10～20min。6.根据权利要求1所述的一种等离子体磁过滤技术制备lagp基固体电解质的方法，其特征在于：在所述s1步骤中，所述沉积基底的制备方法为将200mg lagp 16mm模具在20mpa条件下压制成型在氩气条件下以5℃/min升温速率进行烧制至900℃保温6h，得到lagp陶瓷片用蒸馏水和无水乙醇清洗，烘干并将其分散在硅片材质的沉积基底上。7.根据权利要求6所述的一种等离子体磁过滤技术制备lagp基固体电解质的方法，其特征在于：在压片操作中所用摸具为16mm，压片压力为20mpa保持5分钟。8.根据权利要求6所述的一种等离子体磁过滤技术制备lagp基固体电解质的方法，其特征在于：所述lagp陶瓷片片压制所用lagp的量为280mg，其厚度为1mm。

技术总结
本发明揭示了一种等离子体磁过滤技术制备LAGP基固体电解质的方法，该方法包括以下步骤：S1：将沉积基底固定在化学气相反应室中的可旋转基座上；S2：将弧光放电源、磁过滤管、化学气相反应室进行抽取真空；S3：采用等离子对沉积基底的镀膜表面进行清洗，去除沉积基底镀膜表面的油污及杂质；S4：将弧光放电固体源引入磁过滤管中进行筛选；S5：关闭弧光放电、磁过滤电源，释放真空度，待恢复至常压状态后打开化学气相反应室取出样品，将所得样品翻转180


技术研发人员：韩旭然 何倩 徐诗源 刘显慧 焦云飞 吴强 陈子博 林秀婧 应世强 李谊 马延文
受保护的技术使用者：南京亿浦先进材料研究院有限公司
技术研发日：2021.07.13
技术公布日：2021/11/2